磁珠由氧磁體組成,電感由磁心和線圈組成,磁珠把交流信號(hào)轉(zhuǎn)化為熱能,電感把交流存儲(chǔ)起來,緩慢的釋放出去。 磁珠對(duì)高頻信號(hào)才有較大阻礙作用,一般規(guī)格有100歐/100mMHZ ,它在低頻時(shí)電阻比電感小得多。電感的等效電阻可有Z=2X3.14xf 來求得。 鐵氧體磁珠 (Ferrite Bead) 是目前應(yīng)用發(fā)展很快的一種抗干擾元件,廉價(jià)、易用,濾除高頻噪聲效果顯著。 在電路中只要導(dǎo)線穿過它即可(我用的都是象普通電阻模樣的,導(dǎo)線已穿過并膠合,也有表面貼裝的形式,但很少見到賣的)。當(dāng)導(dǎo)線中電流穿過時(shí),鐵氧體對(duì)低頻電流幾乎沒有什么阻抗,而對(duì)較高頻率的電流會(huì)產(chǎn)生較大衰減作用。高頻電流在其中以熱量形式散發(fā),其等效電路為一個(gè)電感和一個(gè)電阻串聯(lián),兩個(gè)元件的值都與磁珠的長(zhǎng)度成比例。 磁珠種類很多,制造商應(yīng)提供技術(shù)指標(biāo)說明,特別是磁珠的阻抗與頻率關(guān)系的曲線。 有的磁珠上有多個(gè)孔洞,用導(dǎo)線穿過可增加元件阻抗(穿過磁珠次數(shù)的平方),不過在高頻時(shí)所增加的抑制噪聲能力不可能如預(yù)期的多,而用多串聯(lián)幾個(gè)磁珠的辦法會(huì)好些。 鐵氧體是磁性材料,會(huì)因通過電流過大而產(chǎn)生磁飽和,導(dǎo)磁率急劇下降。大電流濾波應(yīng)采用結(jié)構(gòu)上專門設(shè)計(jì)的磁珠,還要注意其散熱措施。 鐵氧體磁珠不僅可用于電源電路中濾除高頻噪聲(可用于直流和交流輸出),還可廣泛應(yīng)用于其他電路,其體積可以做得很小。特別是在數(shù)字電路中,由于脈沖信號(hào)含有頻率很高的高次諧波,也是電路高頻輻射的主要根源,所以可在這種場(chǎng)合發(fā)揮磁珠的作用。 鐵氧體磁珠還廣泛應(yīng)用于信號(hào)電纜的噪聲濾除。 以常用于電源濾波的HH-1H3216-500為例,其型號(hào)各字段含義依次為:HH 是其一個(gè)系列,主要用于電源濾波,用于信號(hào)線是HB系列;1 表示一個(gè)元件封裝了一個(gè)磁珠,若為4則是并排封裝四個(gè)的;H 表示組成物質(zhì),H、C、M為中頻應(yīng)用(50-200MHz),T低頻應(yīng)用(<50MHz),S高頻應(yīng)用(>200MHz);3216 封裝尺寸,長(zhǎng)3.2mm,寬1.6mm,即1206封裝;500 阻抗(一般為100MHz時(shí)),50 ohm。 其產(chǎn)品參數(shù)主要有三項(xiàng):阻抗[Z]@100MHz (ohm) : Typical 50, Minimum 37;直流電阻DC Resistance (m ohm): Maximum 20;額定電流Rated Current (mA): 2500. 磁珠有很高的電阻率和磁導(dǎo)率, 他等效于電阻和電感串聯(lián), 但電阻值和電感值都隨頻率變化。 他比普通的電感有更好的高頻濾波特性,在高頻時(shí)呈現(xiàn)阻性,所以能在相當(dāng)寬的頻率范圍內(nèi)保持較高的阻抗,從而提高調(diào)頻濾波效果。 磁珠主要用于高頻隔離,抑制差模噪聲等。
標(biāo)簽: 電感
上傳時(shí)間: 2013-11-05
上傳用戶:貓愛薛定諤
pcb阻抗設(shè)計(jì)必備
標(biāo)簽: pcb 阻抗 設(shè)計(jì)原則
上傳時(shí)間: 2013-11-23
上傳用戶:my_cc
pcb阻抗
上傳時(shí)間: 2013-11-10
上傳用戶:thuyenvinh
阻抗減少軟件
上傳時(shí)間: 2013-10-12
上傳用戶:daguogai
這里講述了將PCB還原成SCH原理圖的過程。幫助您成功將PCB還原成SCH原理圖。
上傳時(shí)間: 2013-11-21
上傳用戶:wincoder
數(shù)字與模擬電路設(shè)計(jì)技巧IC與LSI的功能大幅提升使得高壓電路與電力電路除外,幾乎所有的電路都是由半導(dǎo)體組件所構(gòu)成,雖然半導(dǎo)體組件高速、高頻化時(shí)會(huì)有EMI的困擾,不過為了充分發(fā)揮半導(dǎo)體組件應(yīng)有的性能,電路板設(shè)計(jì)與封裝技術(shù)仍具有決定性的影響。 模擬與數(shù)字技術(shù)的融合由于IC與LSI半導(dǎo)體本身的高速化,同時(shí)為了使機(jī)器達(dá)到正常動(dòng)作的目的,因此技術(shù)上的跨越競(jìng)爭(zhēng)越來越激烈。雖然構(gòu)成系統(tǒng)的電路未必有clock設(shè)計(jì),但是毫無疑問的是系統(tǒng)的可靠度是建立在電子組件的選用、封裝技術(shù)、電路設(shè)計(jì)與成本,以及如何防止噪訊的產(chǎn)生與噪訊外漏等綜合考慮。機(jī)器小型化、高速化、多功能化使得低頻/高頻、大功率信號(hào)/小功率信號(hào)、高輸出阻抗/低輸出阻抗、大電流/小電流、模擬/數(shù)字電路,經(jīng)常出現(xiàn)在同一個(gè)高封裝密度電路板,設(shè)計(jì)者身處如此的環(huán)境必需面對(duì)前所未有的設(shè)計(jì)思維挑戰(zhàn),例如高穩(wěn)定性電路與吵雜(noisy)性電路為鄰時(shí),如果未將噪訊入侵高穩(wěn)定性電路的對(duì)策視為設(shè)計(jì)重點(diǎn),事后反復(fù)的設(shè)計(jì)變更往往成為無解的夢(mèng)魘。模擬電路與高速數(shù)字電路混合設(shè)計(jì)也是如此,假設(shè)微小模擬信號(hào)增幅后再將full scale 5V的模擬信號(hào),利用10bit A/D轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào),由于分割幅寬祇有4.9mV,因此要正確讀取該電壓level并非易事,結(jié)果造成10bit以上的A/D轉(zhuǎn)換器面臨無法順利運(yùn)作的窘境。另一典型實(shí)例是使用示波器量測(cè)某數(shù)字電路基板兩點(diǎn)相隔10cm的ground電位,理論上ground電位應(yīng)該是零,然而實(shí)際上卻可觀測(cè)到4.9mV數(shù)倍甚至數(shù)十倍的脈沖噪訊(pulse noise),如果該電位差是由模擬與數(shù)字混合電路的grand所造成的話,要測(cè)得4.9 mV的信號(hào)根本是不可能的事情,也就是說為了使模擬與數(shù)字混合電路順利動(dòng)作,必需在封裝與電路設(shè)計(jì)有相對(duì)的對(duì)策,尤其是數(shù)字電路switching時(shí),ground vance noise不會(huì)入侵analogue ground的防護(hù)對(duì)策,同時(shí)還需充分檢討各電路產(chǎn)生的電流回路(route)與電流大小,依此結(jié)果排除各種可能的干擾因素。以上介紹的實(shí)例都是設(shè)計(jì)模擬與數(shù)字混合電路時(shí)經(jīng)常遇到的瓶頸,如果是設(shè)計(jì)12bit以上A/D轉(zhuǎn)換器時(shí),它的困難度會(huì)更加復(fù)雜。
標(biāo)簽: 數(shù)字 模擬電路 設(shè)計(jì)技巧
上傳時(shí)間: 2013-11-16
上傳用戶:731140412
PCB 被動(dòng)組件的隱藏特性解析 傳統(tǒng)上,EMC一直被視為「黑色魔術(shù)(black magic)」。其實(shí),EMC是可以藉由數(shù)學(xué)公式來理解的。不過,縱使有數(shù)學(xué)分析方法可以利用,但那些數(shù)學(xué)方程式對(duì)實(shí)際的EMC電路設(shè)計(jì)而言,仍然太過復(fù)雜了。幸運(yùn)的是,在大多數(shù)的實(shí)務(wù)工作中,工程師并不需要完全理解那些復(fù)雜的數(shù)學(xué)公式和存在于EMC規(guī)范中的學(xué)理依據(jù),只要藉由簡(jiǎn)單的數(shù)學(xué)模型,就能夠明白要如何達(dá)到EMC的要求。本文藉由簡(jiǎn)單的數(shù)學(xué)公式和電磁理論,來說明在印刷電路板(PCB)上被動(dòng)組件(passivecomponent)的隱藏行為和特性,這些都是工程師想讓所設(shè)計(jì)的電子產(chǎn)品通過EMC標(biāo)準(zhǔn)時(shí),事先所必須具備的基本知識(shí)。導(dǎo)線和PCB走線導(dǎo)線(wire)、走線(trace)、固定架……等看似不起眼的組件,卻經(jīng)常成為射頻能量的最佳發(fā)射器(亦即,EMI的來源)。每一種組件都具有電感,這包含硅芯片的焊線(bond wire)、以及電阻、電容、電感的接腳。每根導(dǎo)線或走線都包含有隱藏的寄生電容和電感。這些寄生性組件會(huì)影響導(dǎo)線的阻抗大小,而且對(duì)頻率很敏感。依據(jù)LC 的值(決定自共振頻率)和PCB走線的長(zhǎng)度,在某組件和PCB走線之間,可以產(chǎn)生自共振(self-resonance),因此,形成一根有效率的輻射天線。在低頻時(shí),導(dǎo)線大致上只具有電阻的特性。但在高頻時(shí),導(dǎo)線就具有電感的特性。因?yàn)樽兂筛哳l后,會(huì)造成阻抗大小的變化,進(jìn)而改變導(dǎo)線或PCB 走線與接地之間的EMC 設(shè)計(jì),這時(shí)必需使用接地面(ground plane)和接地網(wǎng)格(ground grid)。導(dǎo)線和PCB 走線的最主要差別只在于,導(dǎo)線是圓形的,走線是長(zhǎng)方形的。導(dǎo)線或走線的阻抗包含電阻R和感抗XL = 2πfL,在高頻時(shí),此阻抗定義為Z = R + j XL j2πfL,沒有容抗Xc = 1/2πfC存在。頻率高于100 kHz以上時(shí),感抗大于電阻,此時(shí)導(dǎo)線或走線不再是低電阻的連接線,而是電感。一般而言,在音頻以上工作的導(dǎo)線或走線應(yīng)該視為電感,不能再看成電阻,而且可以是射頻天線。
標(biāo)簽: PCB 被動(dòng)組件
上傳時(shí)間: 2013-10-09
上傳用戶:時(shí)代將軍
當(dāng)你認(rèn)為你已經(jīng)掌握了PCB 走線的特征阻抗Z0,緊接著一份數(shù)據(jù)手冊(cè)告訴你去設(shè)計(jì)一個(gè)特定的差分阻抗。令事情變得更困難的是,它說:“……因?yàn)閮筛呔€之間的耦合可以降低有效阻抗,使用50Ω的設(shè)計(jì)規(guī)則來得到一個(gè)大約80Ω的差分阻抗!”這的確讓人感到困惑!這篇文章向你展示什么是差分阻抗。除此之外,還討論了為什么是這樣,并且向你展示如何正確地計(jì)算它。 單線:圖1(a)演示了一個(gè)典型的單根走線。其特征阻抗是Z0,其上流經(jīng)的電流為i。沿線任意一點(diǎn)的電壓為V=Z0*i( 根據(jù)歐姆定律)。一般情況,線對(duì):圖1(b)演示了一對(duì)走線。線1 具有特征阻抗Z11,與上文中Z0 一致,電流i1。線2具有類似的定義。當(dāng)我們將線2 向線1 靠近時(shí),線2 上的電流開始以比例常數(shù)k 耦合到線1 上。類似地,線1 的電流i1 開始以同樣的比例常數(shù)耦合到線2 上。每根走線上任意一點(diǎn)的電壓,還是根據(jù)歐姆定律,
標(biāo)簽: 差分阻抗
上傳時(shí)間: 2013-10-20
上傳用戶:lwwhust
本文將接續(xù)介紹電源與功率電路基板,以及數(shù)字電路基板導(dǎo)線設(shè)計(jì)。寬帶與高頻電路基板導(dǎo)線設(shè)計(jì)a.輸入阻抗1MHz,平滑性(flatness)50MHz 的OP增幅器電路基板圖26 是由FET 輸入的高速OP 增幅器OPA656 構(gòu)成的高輸入阻抗OP 增幅電路,它的gain取決于R1、R2,本電路圖的電路定數(shù)為2 倍。此外為改善平滑性特別追加設(shè)置可以加大噪訊gain,抑制gain-頻率特性高頻領(lǐng)域時(shí)峰值的R3。圖26 高輸入阻抗的寬帶OP增幅電路圖27 是高輸入阻抗OP 增幅器的電路基板圖案。降低高速OP 增幅器反相輸入端子與接地之間的浮游容量非常重要,所以本電路的浮游容量設(shè)計(jì)目標(biāo)低于0.5pF。如果上述部位附著大浮游容量的話,會(huì)成為高頻領(lǐng)域的頻率特性產(chǎn)生峰值的原因,嚴(yán)重時(shí)頻率甚至?xí)驗(yàn)閒eedback 阻抗與浮游容量,造成feedback 信號(hào)的位相延遲,最后導(dǎo)致頻率特性產(chǎn)生波動(dòng)現(xiàn)象。此外高輸入阻抗OP 增幅器輸入部位的浮游容量也逐漸成為問題,圖27 的電路基板圖案的非反相輸入端子部位無full ground設(shè)計(jì),如果有外部噪訊干擾之虞時(shí),接地可設(shè)計(jì)成網(wǎng)格狀(mesh)。圖28 是根據(jù)圖26 制成的OP 增幅器Gain-頻率特性測(cè)試結(jié)果,由圖可知即使接近50MHz頻率特性非常平滑,-3dB cutoff頻率大約是133MHz。
標(biāo)簽: PCB
上傳時(shí)間: 2013-11-13
上傳用戶:hebanlian
Hyperlynx仿真應(yīng)用:阻抗匹配.下面以一個(gè)電路設(shè)計(jì)為例,簡(jiǎn)單介紹一下PCB仿真軟件在設(shè)計(jì)中的使用。下面是一個(gè)DSP硬件電路部分元件位置關(guān)系(原理圖和PCB使用PROTEL99SE設(shè)計(jì)),其中DRAM作為DSP的擴(kuò)展Memory(64位寬度,低8bit還經(jīng)過3245接到FLASH和其它芯片),DRAM時(shí)鐘頻率133M。因?yàn)轭l率較高,設(shè)計(jì)過程中我們需要考慮DRAM的數(shù)據(jù)、地址和控制線是否需加串阻。下面,我們以數(shù)據(jù)線D0仿真為例看是否需要加串阻。模型建立首先需要在元件公司網(wǎng)站下載各器件IBIS模型。然后打開Hyperlynx,新建LineSim File(線路仿真—主要用于PCB前仿真驗(yàn)證)新建好的線路仿真文件里可以看到一些虛線勾出的傳輸線、芯片腳、始端串阻和上下拉終端匹配電阻等。下面,我們開始導(dǎo)入主芯片DSP的數(shù)據(jù)線D0腳模型。左鍵點(diǎn)芯片管腳處的標(biāo)志,出現(xiàn)未知管腳,然后再按下圖的紅線所示線路選取芯片IBIS模型中的對(duì)應(yīng)管腳。 3http://bbs.elecfans.com/ 電子技術(shù)論壇 http://www.elecfans.com 電子發(fā)燒友點(diǎn)OK后退到“ASSIGN Models”界面。選管腳為“Output”類型。這樣,一樣管腳的配置就完成了。同樣將DRAM的數(shù)據(jù)線對(duì)應(yīng)管腳和3245的對(duì)應(yīng)管腳IBIS模型加上(DSP輸出,3245高阻,DRAM輸入)。下面我們開始建立傳輸線模型。左鍵點(diǎn)DSP芯片腳相連的傳輸線,增添傳輸線,然后右鍵編輯屬性。因?yàn)槲覀兪褂盟膶影澹诒韺幼呔€,所以要選用“Microstrip”,然后點(diǎn)“Value”進(jìn)行屬性編輯。這里,我們要編輯一些PCB的屬性,布線長(zhǎng)度、寬度和層間距等,屬性編輯界面如下:再將其它傳輸線也添加上。這就是沒有加阻抗匹配的仿真模型(PCB最遠(yuǎn)直線間距1.4inch,對(duì)線長(zhǎng)為1.7inch)。現(xiàn)在模型就建立好了。仿真及分析下面我們就要為各點(diǎn)加示波器探頭了,按照下圖紅線所示路徑為各測(cè)試點(diǎn)增加探頭:為發(fā)現(xiàn)更多的信息,我們使用眼圖觀察。因?yàn)闀r(shí)鐘是133M,數(shù)據(jù)單沿采樣,數(shù)據(jù)翻轉(zhuǎn)最高頻率為66.7M,對(duì)應(yīng)位寬為7.58ns。所以設(shè)置參數(shù)如下:之后按照芯片手冊(cè)制作眼圖模板。因?yàn)槲覀冏铌P(guān)心的是接收端(DRAM)信號(hào),所以模板也按照DRAM芯片HY57V283220手冊(cè)的輸入需求設(shè)計(jì)。芯片手冊(cè)中要求輸入高電平VIH高于2.0V,輸入低電平VIL低于0.8V。DRAM芯片的一個(gè)NOTE里指出,芯片可以承受最高5.6V,最低-2.0V信號(hào)(不長(zhǎng)于3ns):按下邊紅線路徑配置眼圖模板:低8位數(shù)據(jù)線沒有串阻可以滿足設(shè)計(jì)要求,而其他的56位都是一對(duì)一,經(jīng)過仿真沒有串阻也能通過。于是數(shù)據(jù)線不加串阻可以滿足設(shè)計(jì)要求,但有一點(diǎn)需注意,就是寫數(shù)據(jù)時(shí)因?yàn)榇嬖诨貨_,DRAM接收高電平在位中間會(huì)回沖到2V。因此會(huì)導(dǎo)致電平判決裕量較小,抗干擾能力差一些,如果調(diào)試過程中發(fā)現(xiàn)寫RAM會(huì)出錯(cuò),還需要改版加串阻。
上傳時(shí)間: 2013-11-05
上傳用戶:dudu121
蟲蟲下載站版權(quán)所有 京ICP備2021023401號(hào)-1