2推薦：串口擴(kuò)展芯片GM812X和非易失性存
標(biāo)簽： 812X 812 GM 串口擴(kuò)展
上傳時(shí)間： 2015-06-16
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全面理解非易失存儲(chǔ)器(Flash,EPROM,EEPROM
標(biāo)簽： EEPROM Flash EPROM 非易失
上傳時(shí)間： 2014-01-10
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本書(shū)內(nèi)容包括： 快速有效的測(cè)試存儲(chǔ)器芯片 如何寫(xiě)入和擦除快閃存儲(chǔ)器 用循環(huán)冗余校驗(yàn)碼驗(yàn)證非易失性存儲(chǔ)器數(shù)據(jù) 與芯片的內(nèi)部外設(shè)和外部外設(shè)接口 設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)設(shè)備驅(qū)動(dòng) 優(yōu)化嵌入式軟件 最大限度高性能的應(yīng)用C++特性 本書(shū)適用于嵌入式系統(tǒng)程序員、設(shè)計(jì)師和項(xiàng)目管理人員
標(biāo)簽： 測(cè)試 存儲(chǔ)器芯片 存儲(chǔ)器數(shù)據(jù) 外設(shè)
上傳時(shí)間： 2016-08-31
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FM25L256B是采用先進(jìn)的鐵電技術(shù)制造的256Kb非易失性存儲(chǔ)器。鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器（FRAM）具有非易失性，并且可以象RAM一樣快速讀寫(xiě)。數(shù)據(jù)在掉電后可以保存10年，同時(shí)消除由EEPROM和其他非易失性存儲(chǔ)器導(dǎo)致的復(fù)雜性，開(kāi)銷(xiāo)和系統(tǒng)級(jí)別可靠性問(wèn)題。
上傳時(shí)間： 2016-09-26
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程控增益線性脈沖放大器的設(shè)計(jì)。 設(shè)計(jì)了一種新型程控增益線性脈沖放大器。采用準(zhǔn)高斯CR2RC2CR 成形電路結(jié)構(gòu),使用非易失性數(shù)字電位器和精密運(yùn)放,使電路結(jié)構(gòu)大大簡(jiǎn)化,抗干擾能力強(qiáng),增益多級(jí)連續(xù)變化平穩(wěn),且具有溫漂低、脈沖線性好等特點(diǎn)
上傳時(shí)間： 2013-11-27
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C8051F系列單片機(jī)Flash讀寫(xiě)程序,可存儲(chǔ)非易失數(shù)據(jù).
標(biāo)簽： C8051F Flash 單片機(jī) 讀寫(xiě)程序
上傳時(shí)間： 2013-11-26
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fm1808中文資料 描述 FM1808是用先進(jìn)的鐵電技術(shù)制造的 256K位的非易失性的記憶體 鐵電隨機(jī) 存儲(chǔ)器 FRAM 是一種具有非易失 性 并且可以象RAM一樣快速讀寫(xiě) 但 它沒(méi)有BBSRAM模組系統(tǒng)的設(shè)計(jì)復(fù)雜 性 缺點(diǎn)和相關(guān)的可靠性問(wèn)題 數(shù)據(jù)在 掉電可以保存10年 高速寫(xiě)以及高擦寫(xiě) 次數(shù)使得它比EEPROM或其他非易失性 存儲(chǔ)器可靠性更高 系統(tǒng)更簡(jiǎn)單
上傳時(shí)間： 2014-01-11
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VRS51L3074是一款嵌入非易失性 FRAM存儲(chǔ)器的8051MCU。該器件8KB真正的非易失性隨機(jī)存儲(chǔ)器映像到VRS51L3074的XRAM存儲(chǔ)尋址空間上充分發(fā)揮其快速讀寫(xiě)以及讀寫(xiě)壽命無(wú)限的特點(diǎn)。單周期8051處理器 內(nèi)核可以提供高達(dá) 4O MIPS的吞吐量，并且與標(biāo)準(zhǔn)8051s指令兼容。
上傳時(shí)間： 2014-01-03
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非移失性x9241與89c2051的接口電路與編程
標(biāo)簽： 89c2051 x9241 接口電路 編程
上傳時(shí)間： 2013-12-23
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NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù),本文介紹了兩者的區(qū)別!
標(biāo)簽： NAND NOR 非易失 閃存技術(shù)
上傳時(shí)間： 2014-01-27
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