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非晶硅

晶閘管調(diào)速驅(qū)動(dòng)裝置故障診斷與檢修

介紹了晶閘管調(diào)速粗動(dòng)裝原理, 分析了典型故障的原因

標(biāo)簽： 晶閘管故障診斷調(diào)速檢修

上傳時(shí)間： 2013-11-16

上傳用戶(hù)：cmc_68289287
3GHz射頻信號(hào)源模塊GR6710

產(chǎn)品概要： 3GHz射頻信號(hào)源模塊GR6710是軟件程控的虛擬儀器模塊，可以通過(guò)測(cè)控軟件產(chǎn)生9kHz到3GHz的射頻信號(hào)源和AM/FM/CW調(diào)制輸出，具有CPCI、PXI、SPI、RS232、RS485和自定義IO接口。產(chǎn)品描述： 3GHz射頻信號(hào)源模塊GR6710是軟件程控的虛擬儀器模塊，可以通過(guò)測(cè)控軟件產(chǎn)生9kHz到3GHz的射頻信號(hào)源和AM/FM/CW調(diào)制輸出，還可以通過(guò)IQ選件實(shí)現(xiàn)其它任意調(diào)制輸出。GR6710既可程控發(fā)生點(diǎn)頻信號(hào)和掃頻信號(hào)，也支持內(nèi)部調(diào)制和外部調(diào)制。GR6710可安裝于3U/6U背板上工作，也可以獨(dú)立供電工作，使用靈活。該模塊可用于通信測(cè)試、校準(zhǔn)信號(hào)源。技術(shù)指標(biāo) 頻率特性頻率范圍：9kHz～3GHz，500KHz以下指標(biāo)不保證頻率分辨率：3Hz，1Hz（載頻<10MHz時(shí)）頻率穩(wěn)定度：晶振保證電平特性電平范圍：-110dBm～+10dBm 電平分辨率：0.5dB 電平準(zhǔn)確度：≤±2.5dB@POWER<-90dBm，≤±1.5dB@POWER>-90dBm 輸出關(guān)斷功能頻譜純度諧波：9KHz～200MHz≥20dBc，200MHz～3GHz≥30dBc 非諧波：≤80dBc典型值（偏移10kHz，載頻<1GHz），≥68dBc（偏移10kHz，其它載頻），鎖相環(huán)小數(shù)分頻雜散≥64dBc（偏移10kHz） SSB相噪： ≤-98dBc/Hz 偏移20kHz（500MHz） ≤-102dBc/Hz 偏移20kHz（1GHz） ≤-90dBc/Hz 偏移20kHz（>1GHz）調(diào)制輸出：調(diào)幅AM、調(diào)頻FM、脈沖CW，其它調(diào)制輸出可以通過(guò)IQ選件實(shí)現(xiàn) 調(diào)制源：內(nèi)、外參考時(shí)鐘輸入和輸出：10MHz，14dBm 控制接口：CPCI、PXI、SPI、RS232、RS485、自定義GPIO 射頻和時(shí)鐘連接器：SMA-K 電源接口：背板供電、獨(dú)立供電可選電源及其功耗：+5V DC、±12V DC（紋波≤2%輸出電壓），≤38W 結(jié)構(gòu)尺寸：3U高度4槽寬度（100mm×160mm×82mm，不含連接器部分）工作環(huán)境：商業(yè)級(jí)溫度和工業(yè)級(jí)溫度可選，振動(dòng)、沖擊、可靠性、MTBF 測(cè)控軟件功能：射頻信號(hào)發(fā)生、調(diào)制信號(hào)輸出、跳頻/掃頻信號(hào)發(fā)生、支持WindowsXP系統(tǒng) 成功案例: 通信綜測(cè)儀器內(nèi)部的信號(hào)源模塊無(wú)線電監(jiān)測(cè)設(shè)備內(nèi)部的信號(hào)校準(zhǔn)模塊無(wú)線電通信測(cè)試儀器的調(diào)制信號(hào)發(fā)生

標(biāo)簽： 3GHz 6710 GR 射頻信號(hào)源

上傳時(shí)間： 2013-11-13

上傳用戶(hù)：s363994250
秒表課程設(shè)計(jì)(非單片機(jī)的，基于74芯片的)

秒表課程設(shè)計(jì)，非單片機(jī)的，基于74芯片的

標(biāo)簽： 單片機(jī) 74芯片

上傳時(shí)間： 2013-11-23

上傳用戶(hù)：whenfly
高等模擬集成電路

近年來(lái)，隨著集成電路工藝技術(shù)的進(jìn)步，電子系統(tǒng)的構(gòu)成發(fā)生了兩個(gè)重要的變化：一個(gè)是數(shù)字信號(hào)處理和數(shù)字電路成為系統(tǒng)的核心，一個(gè)是整個(gè)電子系統(tǒng)可以集成在一個(gè)芯片上（稱(chēng)為片上系統(tǒng))。這些變化改變了模擬電路在電子系統(tǒng)中的作用，并且影響著模擬集成電路的發(fā)展。數(shù)字電路不僅具有遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)模擬電路的集成規(guī)模，而且具有可編程、靈活、易于附加功能、設(shè)計(jì)周期短、對(duì)噪聲和制造工藝誤差的抗擾性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，因而大多數(shù)復(fù)雜系統(tǒng)以數(shù)字信號(hào)處理和數(shù)字電路為核心已成為必然的趨勢(shì)。雖然如此，模擬電路仍然是電子系統(tǒng)中非常重要的組成部分。這是因?yàn)槲覀兘佑|到的外部世界的物理量主要都是模擬量，比如圖像、聲音、壓力、溫度、濕度、重量等，要將它們變換為數(shù)字信號(hào)，需要模擬信號(hào)處理和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路，如果這些電路性能不夠高，將會(huì)影響整個(gè)系統(tǒng)的性能。其次，系統(tǒng)中的許多功能不可能或很難用數(shù)字電路完成，如微弱信號(hào)放大，很高頻率和寬頻帶信號(hào)的實(shí)時(shí)處理等。因此，雖然模擬電路在系統(tǒng)中不再是核心，但作為固有的模擬世界與數(shù)字系統(tǒng)的接口，其地位和作用仍然十分重要。片上系統(tǒng)要求將數(shù)字電路和模擬電路集成在一個(gè)芯片上，這希望模擬電路使用與數(shù)字電路相同的制造工藝。隨著MOS器件的線寬不斷減小，使MOS器件的性能不斷提高，MOS數(shù)字電路成為數(shù)字集成電路的主流，并因此促進(jìn)了MOS模擬集成電路的迅速發(fā)展。為了適應(yīng)電子系統(tǒng)功能的不斷擴(kuò)展和性能的不斷提高，對(duì)模擬電路在降低電源電壓、提高工作頻率、擴(kuò)大線性工作范圍和提高性能指標(biāo)的精度和穩(wěn)定度等方面提出更高要求，促進(jìn)了新電路技術(shù)的發(fā)展。作為研究生課程的教材，本書(shū)內(nèi)容是在本科相關(guān)課程基礎(chǔ)上的深化和擴(kuò)展，同時(shí)涉及實(shí)際設(shè)計(jì)中需要考慮的一些問(wèn)題，重點(diǎn)介紹具有高工作頻率、低電源電壓和高工作穩(wěn)定性的新電路技術(shù)和在電子系統(tǒng)中占有重要地位的功能電路及其中的新技術(shù)。全書(shū)共7章，大致可分為三個(gè)部分。第一部分包括第1章和第7章。第1章為MOS模擬集成電路基礎(chǔ)，比較全面地介紹MOS器件的工作原理和特性以及由MOS器件構(gòu)成的基本單元電路，為學(xué)習(xí)本教材其他內(nèi)容提供必要的知識(shí)。由于版圖設(shè)計(jì)與工藝參數(shù)對(duì)模擬集成電路性能的影響很大，因此第7章簡(jiǎn)單介紹制造MOS模擬集成電路的CMOS工藝過(guò)程和版圖設(shè)計(jì)技術(shù)，讀者可以通過(guò)對(duì)該章所介紹的相關(guān)背景知識(shí)的了解，更深入地理解MOS器件和電路的特性，有助于更好地完成模擬集成電路的可實(shí)現(xiàn)性設(shè)計(jì)。第二部分為新電路技術(shù)，由第2章、第3章和第5章的部分組成，包括近年來(lái)逐步獲得廣泛應(yīng)用的電流模電路、抽樣數(shù)據(jù)電路和對(duì)數(shù)域電路，它們?cè)谔岣吖ぷ黝l率、降低電源電壓、擴(kuò)大線性工作范圍和提高性能指標(biāo)的精度和穩(wěn)定度方面具有明顯的潛力，同時(shí)它們也引入了一些模擬電路的新概念。這些內(nèi)容有助于讀者開(kāi)拓提高電路性能方面的思路。第2章介紹電流模電路的工作原理、特點(diǎn)和典型電路。與傳統(tǒng)的以電壓作為信號(hào)載體的電路不同，這是一種以電流作為信號(hào)載體的電路，雖然在電路中電壓和電流總是共同存在并相互作用的，但由于信號(hào)載體不同，不僅電路性能不同而且電路結(jié)構(gòu)也不同。第3章介紹抽樣數(shù)據(jù)電路的特點(diǎn)和開(kāi)關(guān)電容與開(kāi)關(guān)電流電路的工作原理、分析方法與典型電路。抽樣數(shù)據(jù)電路類(lèi)似于數(shù)字電路，處理的是時(shí)間離散信號(hào)，又類(lèi)似于模擬電路，處理的是幅度連續(xù)信號(hào)，它比模擬電路具有穩(wěn)定準(zhǔn)確的時(shí)間常數(shù)，解決了模擬電路實(shí)際應(yīng)用中的一大障礙。對(duì)數(shù)域電路在第5章中結(jié)合其在濾波器中的應(yīng)用介紹，這類(lèi)電路除具有良好的電性能外，還提出了一種利用器件的非線性特性實(shí)現(xiàn)線性電路的新思路。第三部分介紹幾個(gè)模擬電路的功能模塊，它們是電子系統(tǒng)中的關(guān)鍵組成部分，并且與信號(hào)和信號(hào)處理聯(lián)系密切，有助于在信號(hào)和電路間形成整體觀念。這部分包括第4章至第6章。第4章介紹數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路的技術(shù)指標(biāo)和高精度與高速度轉(zhuǎn)換電路的構(gòu)成、工作原理、特點(diǎn)和典型電路。第5章介紹模擬集成濾波器的設(shè)計(jì)方法和主要類(lèi)型，包括連續(xù)時(shí)間濾波器、對(duì)數(shù)域?yàn)V波器和抽樣數(shù)據(jù)濾波器。第6章介紹通信系統(tǒng)中的收發(fā)器與射頻前端電路，包括收信器、發(fā)信器的技術(shù)指標(biāo)、結(jié)構(gòu)和典型電路。因?yàn)檩d波通信系統(tǒng)傳輸?shù)氖悄M信號(hào)，射頻前端電路的性能對(duì)整個(gè)通信系統(tǒng)有直接的影響，所以射頻集成電路已成為重要的研究課題。〖〗高等模擬集成電路〖〗〖〗前言〖〗〖〗本書(shū)是在為研究生開(kāi)設(shè)的“高等模擬集成電路”課程講義的基礎(chǔ)上整理而成，由董在望主編，第1、4、7章由李冬梅編寫(xiě)，第6章由王志華編寫(xiě)，第5章由李永明和董在望編寫(xiě)，第2、3章由董在望編寫(xiě)，李國(guó)林參加了部分章節(jié)的校核工作。本書(shū)可作為信息與通信工程和電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)科相關(guān)課程的研究生教材或教學(xué)參考書(shū)，也可作為本科教學(xué)參考書(shū)或選修課教材和供相關(guān)專(zhuān)業(yè)的工程技術(shù)人員參考。清華大學(xué)出版社多位編輯為本書(shū)的出版做了卓有成效的工作，深致謝意。限于編者水平，難免有錯(cuò)誤和疏漏之處，歡迎批評(píng)指正。目錄 1.1MOS器件基礎(chǔ)及器件模型 1.1.1結(jié)構(gòu)及工作原理 1.1.2襯底調(diào)制效應(yīng) 1.1.3小信號(hào)模型 1.1.4亞閾區(qū)效應(yīng) 1.1.5短溝效應(yīng) 1.1.6SPICE模型 1.2基本放大電路 1.2.1共源(CS)放大電路 1.2.2共漏(CD)放大電路 1.2.3共柵(CG)放大電路 1.2.4共源共柵(CSCG)放大電路 1.2.5差分放大電路 1.3電流源電路 1.3.1二極管連接的MOS器件 1.3.2基本鏡像電流源 1.3.3威爾遜電流源 1.3.4共源共柵電流源 1.3.5有源負(fù)載放大電路 1.4運(yùn)算放大器 1.4.1運(yùn)算放大器的主要參數(shù) 1.4.2單級(jí)運(yùn)算放大器 1.4.3兩級(jí)運(yùn)算放大器 1.4.4共模反饋(CMFB) 1.4.5運(yùn)算放大器的頻率補(bǔ)償 1.5模擬開(kāi)關(guān) 1.5.1導(dǎo)通電阻 1.5.2電荷注入與時(shí)鐘饋通 1.6帶隙基準(zhǔn)電壓源 1.6.1工作原理 1.6.2與CMOS工藝兼容的帶隙基準(zhǔn)電壓源思考題 2電流模電路 2.1概述 2.1.1電流模電路的概念 2.1.2電流模電路的特點(diǎn) 2.2基本電流模電路 2.2.1電流鏡電路 2.2.2電流放大器 2.2.3電流模積分器 2.3電流模功能電路 2.3.1跨導(dǎo)線性電路 2.3.2電流傳輸器 2.4從電壓模電路變換到電流模電路 2.5電流模電路中的非理想效應(yīng) 2.5.1MOSFET之間的失配 2.5.2寄生電容對(duì)頻率特性的影響思考題 3抽樣數(shù)據(jù)電路 3.1開(kāi)關(guān)電容電路和開(kāi)關(guān)電流電路的基本分析方法 3.1.1開(kāi)關(guān)電容電路的時(shí)域分析 3.1.2開(kāi)關(guān)電流電路的時(shí)域分析 3.1.3抽樣數(shù)據(jù)電路的頻域分析 3.2開(kāi)關(guān)電容電路 3.2.1開(kāi)關(guān)電容單元電路 3.2.2開(kāi)關(guān)電容電路的特點(diǎn) 3.2.3非理想因素的影響 3.3開(kāi)關(guān)電流電路 3.3.1開(kāi)關(guān)電流單元電路 3.3.2開(kāi)關(guān)電流電路的特點(diǎn) 3.3.3非理想因素的影響思考題 4A/D轉(zhuǎn)換器與D/A轉(zhuǎn)換器 4.1概述 4.1.1電子系統(tǒng)中的A/D與D/A轉(zhuǎn)換 4.1.2A/D與D/A轉(zhuǎn)換器的基本原理 4.1.3A/D與D/A轉(zhuǎn)換器的性能指標(biāo) 4.1.4A/D與D/A轉(zhuǎn)換器的分類(lèi) 4.1.5A/D與D/A轉(zhuǎn)換器中常用的數(shù)碼類(lèi)型 4.2高速A/D轉(zhuǎn)換器 4.2.1全并行結(jié)構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器 4.2.2兩步結(jié)構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器 4.2.3插值與折疊結(jié)構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器 4.2.4流水線結(jié)構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器 4.2.5交織結(jié)構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器 4.3高精度A/D轉(zhuǎn)換器 4.3.1逐次逼近型A/D轉(zhuǎn)換器 4.3.2雙斜率積分型A/D轉(zhuǎn)換器 4.3.3過(guò)采樣ΣΔA/D轉(zhuǎn)換器 4.4D/A轉(zhuǎn)換器 4.4.1電阻型D/A轉(zhuǎn)換器 4.4.2電流型D/A轉(zhuǎn)換器 4.4.3電容型D/A轉(zhuǎn)換器思考題 5集成濾波器 5.1引言 5.1.1濾波器的數(shù)學(xué)描述 5.1.2濾波器的頻率特性 5.1.3濾波器設(shè)計(jì)的逼近方法 5.2連續(xù)時(shí)間濾波器 5.2.1連續(xù)時(shí)間濾波器的設(shè)計(jì)方法 5.2.2跨導(dǎo)電容（GmC）連續(xù)時(shí)間濾波器 5.2.3連續(xù)時(shí)間濾波器的片上自動(dòng)調(diào)節(jié)電路 5.3對(duì)數(shù)域?yàn)V波器 5.3.1對(duì)數(shù)域電路概念及其特點(diǎn) 5.3.2對(duì)數(shù)域電路基本單元 5.3.3對(duì)數(shù)域?yàn)V波器 5.4抽樣數(shù)據(jù)濾波器 5.4.1設(shè)計(jì)方法 5.4.2SZ域映射 5.4.3開(kāi)關(guān)電容電路轉(zhuǎn)換為開(kāi)關(guān)電流電路的方法思考題 6收發(fā)器與射頻前端電路 6.1通信系統(tǒng)中的射頻收發(fā)器 6.2集成收信器 6.2.1外差式接收與鏡像信號(hào) 6.2.2復(fù)數(shù)信號(hào)處理 6.2.3收信器前端結(jié)構(gòu) 6.3集成發(fā)信器 6.3.1上變換器 6.3.2發(fā)信器結(jié)構(gòu) 6.4收發(fā)器的技術(shù)指標(biāo) 6.4.1噪聲性能 6.4.2靈敏度 6.4.3失真特性與線性度 6.4.4動(dòng)態(tài)范圍 6.5射頻電路設(shè)計(jì) 6.5.1晶體管模型與參數(shù) 6.5.2噪聲 6.5.3集成無(wú)源器件 6.5.4低噪聲放大器 6.5.5混頻器 6.5.6頻率綜合器 6.5.7功率放大器思考題 7CMOS集成電路制造工藝及版圖設(shè)計(jì) 7.1集成電路制造工藝簡(jiǎn)介 7.1.1單晶生長(zhǎng)與襯底制備 7.1.2光刻 7.1.3氧化 7.1.4擴(kuò)散及離子注入 7.1.5化學(xué)氣相淀積（CVD） 7.1.6接觸與互連 7.2CMOS工藝流程與集成電路中的元件 7.2.1硅柵CMOS工藝流程 7.2.2CMOS集成電路中的無(wú)源元件 7.2.3CMOS集成電路中的寄生效應(yīng) 7.3版圖設(shè)計(jì) 7.3.1硅柵CMOS集成電路的版圖構(gòu)成 7.3.2版圖設(shè)計(jì)規(guī)則 7.3.3CMOS版圖設(shè)計(jì)技術(shù) 思考題

標(biāo)簽： 模擬集成電路

上傳時(shí)間： 2013-11-13

上傳用戶(hù)：chengxin
對(duì)非整周期正弦波形信噪比計(jì)算方法的研究

以雙音多頻信號(hào)為例，通過(guò)運(yùn)用快速傅里葉變換和Hanning窗等數(shù)學(xué)方法，分析了信號(hào)頻率，電平和相位之間的關(guān)系，推導(dǎo)出了計(jì)算非整周期正弦波形信噪比的算法，解決了數(shù)字信號(hào)處理中非整周期正弦波形信噪比計(jì)算精度低下的問(wèn)題。以C編程語(yǔ)言進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，證明了算法的正確性和可重用性，并可極大的提高工作效率。

標(biāo)簽： 周期信噪比正弦波形

上傳時(shí)間： 2014-01-18

上傳用戶(hù)：laomv123
用于硅半導(dǎo)體探測(cè)器的電荷靈敏放大器的研制

氛及其子體的能譜測(cè)量中常用到鈍化離子注人硅探測(cè)器或金硅面壘探測(cè)器。本文介紹了一種用于這兩類(lèi)硅半導(dǎo)體探測(cè)器的電荷靈敏放大器的實(shí)例，它由電荷靈敏級(jí)和電壓放大級(jí)構(gòu)成。給出了它的設(shè)計(jì)思想和調(diào)試過(guò)程。介紹了測(cè)試手段并測(cè)試了它的技術(shù)指標(biāo)，說(shuō)明了應(yīng)用場(chǎng)合。

標(biāo)簽： 硅半導(dǎo)體探測(cè)器電荷靈敏放大器

上傳時(shí)間： 2014-12-23

上傳用戶(hù)：hphh
非標(biāo)準(zhǔn)VGA-TV轉(zhuǎn)換器的實(shí)現(xiàn)

介紹了以AL128 芯片為核心設(shè)計(jì)的一種將非標(biāo)準(zhǔn)視頻顯示模式轉(zhuǎn)換為標(biāo)準(zhǔn)電視視頻制式的視頻模式轉(zhuǎn)換器。對(duì)該視頻模式轉(zhuǎn)換器的工作原理、硬件構(gòu)成及設(shè)計(jì)思路等給以了詳細(xì)的介紹。

標(biāo)簽： VGA-TV 標(biāo)準(zhǔn) 轉(zhuǎn)換器

上傳時(shí)間： 2013-11-07

上傳用戶(hù)：集美慧
High-Speed Digital System desi

前面討論了很多內(nèi)容，基本上涉及了有關(guān)PCB板的絕大部分相關(guān)的知識(shí)。第二章探討了傳輸線的基本原理，第三章探討了串?dāng)_，在第四章里我們闡述了許多在現(xiàn)代設(shè)計(jì)中必須關(guān)注的非理想互連的問(wèn)題。對(duì)于信號(hào)從驅(qū)動(dòng)端引腳到接收端引腳的電氣路徑的相關(guān)問(wèn)題，我們已經(jīng)做了一些探究，然而對(duì)于硅芯片，即處于封裝內(nèi)部的IC來(lái)說(shuō)，其信號(hào)傳輸通常要通過(guò)過(guò)孔和連接器來(lái)進(jìn)行，對(duì)這樣的情況我們?cè)撊绾翁幚恚吭诒菊轮校覀儗⑼ㄟ^(guò)對(duì)封裝、過(guò)孔和連接器的研究，闡述其原理，從而指導(dǎo)大家在設(shè)計(jì)的時(shí)候?qū)φ麄€(gè)電氣路徑進(jìn)行完整地分析，即從驅(qū)動(dòng)端內(nèi)部IC芯片的焊盤(pán)到接受器IC芯片的焊盤(pán)。

標(biāo)簽： High-Speed Digital System desi

上傳時(shí)間： 2013-11-24

上傳用戶(hù)：maizezhen
什么是導(dǎo)熱硅脂？

導(dǎo)熱硅脂的介紹

標(biāo)簽： 導(dǎo)熱硅脂

上傳時(shí)間： 2013-11-14

上傳用戶(hù)：gaome
基于STM32的晶閘管三相調(diào)壓電路的設(shè)計(jì)

SCR三相調(diào)壓觸發(fā)電路已有不少設(shè)計(jì)與應(yīng)用，文中提出了一種簡(jiǎn)化的基于STM32的調(diào)壓觸發(fā)電路設(shè)計(jì)方案，并完成了系統(tǒng)的軟硬件設(shè)計(jì)。該設(shè)計(jì)主要采用了光電隔離并利用三相電源自身的相間換流特性，只用三組觸發(fā)信號(hào)就可以達(dá)到控制六只晶閘管導(dǎo)通角的作用。軟件部分采用了STM32芯片多個(gè)高性能定時(shí)器及周邊AD接口，完成了高精度觸發(fā)信號(hào)發(fā)生、PID控制調(diào)壓等功能。通過(guò)實(shí)驗(yàn)表明該系統(tǒng)簡(jiǎn)便可靠，達(dá)到了設(shè)計(jì)要求。

標(biāo)簽： STM 32 晶閘管三相調(diào)壓電路

上傳時(shí)間： 2013-10-21

上傳用戶(hù)：wfymay