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面陣

  • 電氣工程師面試題

    想應聘電氣工程師的tx們面試或許能用上哦

    標簽: 電氣工程師 面試題

    上傳時間: 2013-06-12

    上傳用戶:tgeyangjh

  • protel99se簡明教程

    Protel 99 采用全新的管理方式,即數據庫的管理方式。Protel 99 是在桌 面環境下第一個以獨特的設計管理和團隊合作技術為核心的全方位的印制板設 計系統。所有Protel 99 設計文件都被存儲在唯一的綜合設計數據庫中,并顯示 在唯一的綜合設計編輯窗口。Protel 99 軟件沿襲了Protel 以前版本方便易學的 特點,內部界面與Protel 98 大體相同,新增加了一些功能模塊。Protel 公司引 進了德國INCASES 公司的先進技術,在Protel99 中集成了信號完整性工具,精 確的模型和板分析,幫助你在設計周期里利用信號完整性分析可獲得一次性成 功和消除盲目性。Protel99 容易使用的特性就是新的“這是什么”幫助。按下 任何對話框右上角的小問號,然后選擇你所要的信息。現在可以很快地看到特 性的功能,然后用到設計中,按下狀態欄末端的按鈕,使用自然語言幫助顧問。

    標簽: protel 99 se 簡明教程

    上傳時間: 2013-04-24

    上傳用戶:zhang469965156

  • 面試27問

    面試的27個經典問題,找工作的可以看看,準備充分才是重點

    標簽:

    上傳時間: 2013-06-06

    上傳用戶:chfanjiang

  • 微軟等數據結構+算法面試100題

    微軟等數據結構算法面試100題全部答案集錦 找工作的朋友們,可以下載來看看,全部都是經典面試題。

    標簽: 100 微軟 數據結構 算法

    上傳時間: 2013-04-24

    上傳用戶:songnanhua

  • Protel使用中的一些問題和解答

    Q01、如何使一條走線至兩個不同位置零件的距離相同?  您可先在Design/Rule/High Speed/Matched Net Lengths的規則中來新增規則設定,最 后再用Tools/EqualizeNet Lengths 來等長化即可。   Q02、在SCHLIB中造一零件其PIN的屬性,如何決定是Passive, Input, I/O, Hi- Z,Power,…..?在HELP中能找到說明嗎?市面有關 SIM?PLD?的書嗎?或貴公司有講義?  你可在零件庫自制零件時點選零件Pin腳,并在Electrical Type里,可以自行設定PIN的 屬性,您可參考臺科大的Protel sch 99se 里 面有介紹關于SIM的內容。   Q03、請問各位業界前輩,如何能順利讀取pcad8.6版的線路圖,煩請告知  Protel 99SE只能讀取P-CAD 2000的ASCII檔案格式,所以你必須先將P-CAD8.6版的格式 轉為P-CAD 2000的檔案格式,才能讓Protel讀取。

    標簽: Protel

    上傳時間: 2013-11-22

    上傳用戶:daxigua

  • Allegro SPB V15.2 版新增功能

    15.2 已經加入了有關貫孔及銲點的Z軸延遲計算功能. 先開啟 Setup - Constraints - Electrical constraint sets  下的 DRC 選項.  點選 Electrical Constraints dialog box 下 Options 頁面 勾選 Z-Axis delay欄. 

    標簽: Allegro 15.2 SPB

    上傳時間: 2013-10-08

    上傳用戶:王慶才

  • 硬件工程師筆試及面試題

    囊括了模擬電子技術、數字電子技術、單片機原理、MCU、DSP等專業知識,同時搜集了各大名企的面試真題。

    標簽: 硬件工程師 筆試 面試題

    上傳時間: 2013-12-18

    上傳用戶:劉江林1420

  • CoolMos的原理、結構及制造

    對于常規VDMOS器件結構, Rdson與BV存在矛盾關系,要想提高BV,都是從減小EPI參雜濃度著手,但是外延層又是正向電流流通的通道,EPI參雜濃度減小了,電阻必然變大,Rdson增大。所以對于普通VDMOS,兩者矛盾不可調和。 但是對于COOLMOS,這個矛盾就不那么明顯了。通過設置一個深入EPI的的P區,大大提高了BV,同時對Rdson上不產生影響。為什么有了這個深入襯底的P區,就能大大提高耐壓呢? 對于常規VDMOS,反向耐壓,主要靠的是N型EPI與body區界面的PN結,對于一個PN結,耐壓時主要靠的是耗盡區承受,耗盡區內的電場大小、耗盡區擴展的寬度的面積,也就是下圖中的淺綠色部分,就是承受電壓的大小。常規VDMOS,P body濃度要大于N EPI, PN結耗盡區主要向低參雜一側擴散,所以此結構下,P body區域一側,耗盡區擴展很小,基本對承壓沒有多大貢獻,承壓主要是P body--N EPI在N型的一側區域,這個區域的電場強度是逐漸變化的,越是靠近PN結面(a圖的A結),電場強度E越大。所以形成的淺綠色面積有呈現梯形。

    標簽: CoolMos 制造

    上傳時間: 2013-11-11

    上傳用戶:小眼睛LSL

  • 用于硅半導體探測器的電荷靈敏放大器的研制

      氛及其子體的能譜測量中常用到鈍化離子注人硅探測器或金硅面壘探測器。本文介紹了一種用于這兩類硅半導體探測器的電荷靈敏放大器的實例,它由電荷靈敏級和電壓放大級構成。給出了它的設計思想和調試過程。介紹了測試手段并測試了它的技術指標,說明了應用場合。

    標簽: 硅半導體 探測器 電荷靈敏 放大器

    上傳時間: 2014-12-23

    上傳用戶:hphh

  • 數字式液位測量儀設計

    本文設計數字式液位測量儀,采用雙差壓法對液位進行測量,有效地克服了液體密度變化對液位測量結果的影響,提高液位測量的精度。本設計的液位測量儀還能直接顯示液位高度的厘米數。關鍵詞:雙差壓法 液位測量儀 普通差壓法測量液位, 精度無法保證。本文提出雙差壓法的改進方案,以克服液體密度變化對液位測量結果的影響,提高液位測量的精度。 雙差壓法液位測量原理普通差壓法測量液位的原理:只有在液體密度ρ恒定不變的條件下,差壓△ P 才與液位高度H 呈線性正比關系,才可通過測量差壓△P 間接地獲取液位H 值。但液體密度ρ是液體組份和溫度的多元函數。當液體組份和溫度變化導致密度ρ改變時,即使液位高度H 沒有變化,也將使差壓信號△ P 改變,此時若還按原先的液體密度ρ從差壓信號△ P 計算出液位H,顯然將導致測量誤差, 嚴重時會造成操作人員的錯誤判斷。為此,本文提出采用兩個差壓傳感器,如圖1。其中差壓傳感器1 用于測量未知液位高度H 產生的差壓,即密閉容器底部和液面上方的壓力差:

    標簽: 數字式 液位 測量儀

    上傳時間: 2013-11-21

    上傳用戶:源碼3

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