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額定功率

模糊參數自適應自整定的逆變電源系統研究

為了研究既簡單又具有優良動、靜態性能的逆變電源控制方案，介紹一套全新的帶有自適應功能的逆變電源模糊參數自整定系統，并通過MATLAB/SIMULINK仿真實驗驗證了該方法能夠出色滿足各項苛刻性能指標要求，具有十分廣闊的應用前景。

標簽： 模糊參數自適應自整定系統研究

上傳時間： 2013-11-22

上傳用戶：完瑪才讓
SM7503高性能原邊反饋控制功率開關芯片

SM7503是應用于離線式小功率AC/DC開關電源的高性能原邊反饋控制功率開關芯片，在全電壓輸入范圍內實現高精度恒壓/恒流輸出，精度均小于±3℅，并可使系統節省光耦和TL431等元件，降低成本。芯片內部集成了高壓功率開關、逐周期峰值電流限制、VDD過壓保護、VDD欠壓保護、VDD電壓嵌位等完善的保護功能，以提高系統的可靠性。封裝形式：SOP8

標簽： 7503 SM 性能反饋控制

上傳時間： 2013-10-08

上傳用戶：李哈哈哈
SM8502高性能離線式功率開關

SM8502是應用于小功率AC/DC開關電源系統的高性能離線式功率開關。內置高壓功率三極管，采用原邊反饋控制技術，在全電壓輸入范圍內實現輸出恒壓精度小于±5℅，恒流精度小于±10℅。并且可使系統節省光耦和431等元件以降低成本。芯片集成過流保護、過壓保護、欠壓保護、過溫保護等完善的保護功能以提高系統的可靠性。SOP8、HDIP4的封裝形式。

標簽： 8502 SM 性能功率開關

上傳時間： 2013-10-30

上傳用戶：極客
SM7505高性能原邊反饋控制功率開關芯片

SM7505是應用于離線式小功率AC/DC開關電源的高性能原邊反饋控制功率開關芯片，在全電壓輸入范圍內實現高精度恒壓/恒流輸出，精度均小于±3℅，并可使系統節省光耦和TL431等元件，降低成本。芯片內部集成了高壓功率開關、逐周期峰值電流限制、VDD過壓保護、VDD欠壓保護、VDD電壓嵌位等完善的保護功能，以提高系統的可靠性。內置輸出線壓降補償和前沿消隱電路（LEB），SOP8的封裝形式。主要應用于LED照明驅動，小功率電源配適器，電腦、電視等產品的輔助電源或待機電源等

標簽： 7505 SM 性能反饋控制

上傳時間： 2013-12-12

上傳用戶：咔樂塢
IGBT和MOSFET功率模塊應用手冊

IGBT和MOSFET功率模塊應用手冊

標簽： MOSFET IGBT 功率模塊應用手冊

上傳時間： 2013-11-19

上傳用戶：JasonC
開關功率器件的測試示波器

開關功率器件的測試示波器

標簽： 開關功率器件測試示波器

上傳時間： 2013-10-14

上傳用戶：chongchong1234
固定開關頻率三電平PWM整流器直接功率控制

提出了一種固定開關頻率的三電平PWM整流器的直接功率控制方法。該方法基于空間電壓矢量調制，實現了動態過程中有功功率和無功功率的解耦控制。

標簽： PWM 開關頻率三電平功率控制

上傳時間： 2013-11-07

上傳用戶：lml1234lml
基于灰色模型的風速風電功率預測研究

對不穩定風和陣風進行風速預測，以平穩風為例，根據實際風電功率和對應時序風速的關系建模，得到了風電功率隨風速變化的各類模型下的擬合參數。為了提高風電功率的預測精度，通過從分段函數和整體建模兩個角度比較各種模型的準確程度，得到了適宜于作為風電功率特性曲線的函數模型。

標簽： 灰色模型功率預測風速風電

上傳時間： 2013-10-08

上傳用戶：星仔
誼邦電子-半導體測試專家-IGBT測試-功率器件測試-分立器件全參數測試

西安誼邦電子公司引進美國的先進半導體測試技術，在此基礎上研制生產了YB6000系列半導體分立器件測試系統，該測試系統擁有功率大、速度快、精度高、測試種類全等技術特點，各項技術指標均達到國際領先水平。其雄厚的技術實力，多年的開發產品經驗和獨特嚴謹的設計方案使誼邦電子YB系列測試系統性能更加超群，品質更為可靠穩定。誼邦電子研發技術涉及高端集成電路測試、半導體分立器件測試和各種客戶產品測試等領域。產品主要應用于軍工、汽車、飛機、船舶制造、能源等行業領域。西安誼邦憑借較強的技術實力和完善的科學管理，能夠給用戶提供完善的售前售后技術支持。科技創新、服務無限，是我們工作的宗旨。

標簽： IGBT 測試電子半導體測試

上傳時間： 2013-10-30

上傳用戶：yangqian
CMOS射頻功率放大器中的變壓器合成技術

設計了一種可在CMOS射頻功率放大器中用于功率合成的寬帶變壓器。通過對變壓器的并聯和串聯兩種功率合成形式進行分析與比較，指出了匝數比、功率單元數目以及寄生電阻對變壓器功率合成性能的影響；提出了一種片上變壓器的設計方法，即采用多層金屬疊層并聯以及將功放單元內置于變壓器線圈中的方式，解決了在CMOS工藝中設計變壓器時面臨的寄生電阻過大及有效耦合長度不足等困難。設計的變壓器在2～3 GHz頻段內的損耗小于1．35 dB，其功率合成效率高達76 以上，適合多模多頻段射頻前端的應用。

標簽： CMOS 射頻功率放大器變壓器合成技術

上傳時間： 2014-12-24

上傳用戶：ewtrwrtwe

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