根據紅外成像無損檢測原理,利用機器視覺技術,通過實驗將紅外熱像儀采集的亞表面紅外缺陷圖像進行一系列的處理,包括濾波降噪,圖像增強,邊緣提取等,將缺陷檢測出來。文中用matlab和Visual C++2010聯合編程的方式對紅外缺陷進行識別,通過窗口可視化將圖像和圖像中的缺陷位置,大小提取出來。通過多次實驗,本方法能夠檢測大多的亞平面缺陷,具有較高的應用價值。
標簽: 紅外熱 成像技術 中的應用 缺陷檢測
上傳時間: 2013-10-10
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MSP40-V1.2-CHS[1]微硅壓力傳感器。
標簽: MSP 1.2 CHS 40
上傳時間: 2013-11-13
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在對低噪聲CMOS圖像傳感器的研究中,除需關注其噪聲外,目前數字化也是它的一個重要的研究和設計方向,設計了一種可用于低噪聲CMOS圖像傳感器的12 bit,10 Msps的流水線型ADC,并基于0.5 ?滋m標準CMOS工藝進行了流片。最后,通過在PCB測試版上用本文設計的ADC實現了模擬輸出的低噪聲CMOS圖像傳感器的模數轉換,并基于自主開發的成像測試系統進行了成像驗證,結果表明,成像畫面清晰,該ADC可作為低噪聲CMOS圖像傳感器的芯片級模數轉換器應用。
標簽: CMOS ADC 低噪聲 圖像傳感器
上傳時間: 2013-11-19
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無論是自動應答機、護照/身份驗證設備,或者是便利店內的銷售點終端,都有一些重要信息,例如口令、個人身份識別號(PIN)、密鑰和專有加密算法等,需要特別保護以防失竊。金融服務領域采用了各種精細的策略和程序來保護硬件和軟件。因此,對于金融交易系統的設計者來講,在他設計一個每年要處理數十億美元業務的設備時,必將面臨嚴峻挑戰。為確保可信度,一個支付系統必須具有端到端的安全性。中央銀行的服務器通常放置在一個嚴格限制進入的建筑物內,周圍具有嚴密的保護,但是遠端的支付終端位于公共場所,很容易遭受竊賊侵襲。盡管也可以將微控制器用保護外殼封閉起來,并附以防盜系統,一個有預謀的攻擊者仍然可以切斷電源后突破防盜系統。外殼可以被打開,如果將外殼與微控制器的入侵響應加密邊界相聯結,對于安全信息來講就增加了一道保護屏障。為了實現真正的安全性,支付系統應該將入侵響應技術建立在芯片內部,并使用可以信賴的運算內核。這樣,執行運算的芯片在發生入侵事件時就可以迅速刪除密鑰、程序和數據存儲器,實現對加密邊界的保護1。安全微控制器最有效的防護措施就是,在發現入侵時迅速擦除存儲器內容。DS5250安全型高速微控制器就是一個很好的典范,它不僅可以擦除存儲器內容,而且還是一個帶有SRAM程序和數據存儲器的廉價的嵌入式系統。物理存儲器的信心保證多數嵌入式系統采用的是通用計算機,而這些計算機在設計時考慮更多的是靈活性和調試的便利性。這些優點常常又會因引入安全缺口而成為其缺陷2。竊賊的首個攻擊點通常是微控制器的物理存儲器,因此,對于支付終端來講,采用最好的存儲技術尤其顯得重要。利用唾手可得的邏輯分析儀,例如Hewlett-Packard的HP16500B,很容易監視到地址和數據總線上的電信號,它可能會暴露存儲器的內容和私有數據,例如密鑰。防止這種竊聽手段最重要的兩個對策是,在存儲器總線上采用強有力的加密措施,以及選擇在沒有電源時也能迅速擦除的存儲技術。有些嵌入式系統試圖采用帶內部浮置柵存儲器(例如EPROM或閃存)的微控制器來獲得安全性。最佳的存儲技術應該能夠擦除其內容,防止泄密。但紫外可擦除的EPROM不能用電子手段去擦除,需要在紫外燈光下照射數分鐘才可擦除其內容,這就增加了它的脆弱性。閃存或EEPROM要求處理器保持工作,并且電源電壓在規定的工作范圍之內,方可成功完成擦除。浮置柵存儲技術對于安全性應用來講是很壞的選擇,當電源移走后,它們的狀態會無限期地保持,給竊賊以無限長的時間來找尋敏感數據。更好的辦法是采用象SRAM這樣的存儲技術,當電源被移走或入侵監測電路被觸發時以下述動作之一響應:• 當電源被移走后存儲器復零。• 入侵監測電路在數納秒內擦除內部存儲器和密鑰。• 外部存儲器在應用軟件的控制下以不足100ns的寫時間進行擦除。
標簽: SRAM 微控制器 安全性
上傳時間: 2013-11-14
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MC9S12XS128微控制器輸出PWM
標簽: 128 MC9 S12 PWM
上傳時間: 2013-11-04
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紅外熱成像
標簽: 紅外熱 成像系統 論文
上傳時間: 2013-10-19
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本資料是關于意法半導體的STM8L和STM32L系列微控制器的可用封裝匯總。 圖 STM8L系列微控制器的部分可用封裝
標簽: STM8L STM 32L 32
上傳時間: 2013-11-10
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基于簡化Cortex-M核微控制器嵌入式軟件的開發步驟,增強軟件可移植性的目的,對微控制器軟件接口標準(CMSIS)、ST公司標準外設庫V3.5的文件結構、相互聯系、功能作用進行了簡要介紹,并以具有Cortex-M3內核的STM32F103VET6為例,給出了IAR FOR ARM6.30編程環境下的開發步驟。結合具體應用,本文對數據端口、中斷進行設置,縮短了開發時間,提高了代碼效率。
標簽: STM 10X 32F F10
上傳時間: 2013-11-23
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第1章 微帶扇形偏置電路基本理論之一 1 第2章 扇形微帶偏置理論之二 4 第3章 利用ADS仿真設計扇形微帶偏置的整個過程 6 3.1 計算10GHz時四分之一波長高阻線(假設設計阻抗為100歐)的長度和寬度。 7 3.2 將高阻線和扇形微帶放入電路中,并仿真和優化(注意優化的變量都有哪些) 7 3.3 仿真結果分析(關鍵) 9 3.4 生成版圖 10 3.5 導出到autoCAD中并填充 11 第4章 有助于加深理解扇形微帶偏置原理的ADS仿真分析 11 4.1 單根四分之一波長微帶線的仿真 11 4.2 四分之一波長微帶線+扇形微帶線的仿真 12 4.3 我的理解 12
標簽: ADS 詳細設計 過程
上傳時間: 2013-10-15
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對一種具有正多邊形結構的圓極化微帶貼片天線進行了研究, 利用寄生的調諧支節, 對設計結果進行了有益的補償, 有效地消除了各種誤差對設計結果的影響. 最后給出了實驗調整方法及測量結果.
標簽: 正多邊形 圓極化 微帶天線 貼片
上傳時間: 2013-11-01
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