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  • IC封裝製程簡(jiǎn)介(IC封裝制程簡(jiǎn)介)

    半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多,應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛,圖一是常見的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來(lái)劃分類別,圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為   PDID:Plastic Dual Inline Package SOP:Small Outline Package SOJ:Small Outline J-Lead Package PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier QFP:Quad Flat Package PGA:Pin Grid Array BGA:Ball Grid Array         雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多,在電路板上常用的組裝方式有二種,一種是插入電路板的銲孔或腳座,如PDIP、PGA,另一種是貼附在電路板表面的銲墊上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。    從半導(dǎo)體元件的外觀,只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳,而半導(dǎo)體元件真正的的核心,是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片,透過(guò)伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件,從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片,圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大,可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳,這些接腳向外延伸並穿出膠體,成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線從中斷裂,那是使用不當(dāng)引發(fā)過(guò)電流而燒毀,致使晶片失去功能,這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。   圖四是常見的LED,也就是發(fā)光二極體,其內(nèi)部也是一顆晶片,圖五是以顯微鏡正視LED的頂端,可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線,若以LED二支接腳的極性來(lái)做分別,晶片是貼附在負(fù)極的腳上,經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過(guò)正向電流時(shí),晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮,如圖六所示。     半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序,前一段是先製造元件的核心─晶片,稱為晶圓製造;後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品,稱為IC封裝製程,又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟,在本章節(jié)中將簡(jiǎn)介這兩段的製造程序。

    標(biāo)簽: 封裝 IC封裝 制程

    上傳時(shí)間: 2014-01-20

    上傳用戶:蒼山觀海

  • 模塊電源功能性參數(shù)指標(biāo)及測(cè)試方法

      模塊電源的電氣性能是通過(guò)一系列測(cè)試來(lái)呈現(xiàn)的,下列為一般的功能性測(cè)試項(xiàng)目,詳細(xì)說(shuō)明如下: 電源調(diào)整率(Line Regulation) 負(fù)載調(diào)整率(Load Regulation) 綜合調(diào)整率(Conmine Regulation) 輸出漣波及雜訊(Ripple & Noise) 輸入功率及效率(Input Power, Efficiency) 動(dòng)態(tài)負(fù)載或暫態(tài)負(fù)載(Dynamic or Transient Response) 起動(dòng)(Set-Up)及保持(Hold-Up)時(shí)間 常規(guī)功能(Functions)測(cè)試 1. 電源調(diào)整率   電源調(diào)整率的定義為電源供應(yīng)器于輸入電壓變化時(shí)提供其穩(wěn)定輸出電壓的能力。測(cè)試步驟如下:于待測(cè)電源供應(yīng)器以正常輸入電壓及負(fù)載狀況下熱機(jī)穩(wěn)定后,分別于低輸入電壓(Min),正常輸入電壓(Normal),及高輸入電壓(Max)下測(cè)量并記錄其輸出電壓值。 電源調(diào)整率通常以一正常之固定負(fù)載(Nominal Load)下,由輸入電壓變化所造成其輸出電壓偏差率(deviation)的百分比,如下列公式所示:   [Vo(max)-Vo(min)] / Vo(normal) 2. 負(fù)載調(diào)整率   負(fù)載調(diào)整率的定義為開關(guān)電源于輸出負(fù)載電流變化時(shí),提供其穩(wěn)定輸出電壓的能力。測(cè)試步驟如下:于待測(cè)電源供應(yīng)器以正常輸入電壓及負(fù)載狀況下熱機(jī)穩(wěn)定后,測(cè)量正常負(fù)載下之輸出電壓值,再分別于輕載(Min)、重載(Max)負(fù)載下,測(cè)量并記錄其輸出電壓值(分別為Vo(max)與Vo(min)),負(fù)載調(diào)整率通常以正常之固定輸入電壓下,由負(fù)載電流變化所造成其輸出電壓偏差率的百分比,如下列公式所示:   [Vo(max)-Vo(min)] / Vo(normal)    3. 綜合調(diào)整率   綜合調(diào)整率的定義為電源供應(yīng)器于輸入電壓與輸出負(fù)載電流變化時(shí),提供其穩(wěn)定輸出電壓的能力。這是電源調(diào)整率與負(fù)載調(diào)整率的綜合,此項(xiàng)測(cè)試系為上述電源調(diào)整率與負(fù)載調(diào)整率的綜合,可提供對(duì)電源供應(yīng)器于改變輸入電壓與負(fù)載狀況下更正確的性能驗(yàn)證。 綜合調(diào)整率用下列方式表示:于輸入電壓與輸出負(fù)載電流變化下,其輸出電壓之偏差量須于規(guī)定之上下限電壓范圍內(nèi)(即輸出電壓之上下限絕對(duì)值以內(nèi))或某一百分比界限內(nèi)。 4. 輸出雜訊   輸出雜訊(PARD)系指于輸入電壓與輸出負(fù)載電流均不變的情況下,其平均直流輸出電壓上的周期性與隨機(jī)性偏差量的電壓值。輸出雜訊是表示在經(jīng)過(guò)穩(wěn)壓及濾波后的直流輸出電壓上所有不需要的交流和噪聲部份(包含低頻之50/60Hz電源倍頻信號(hào)、高于20 KHz之高頻切換信號(hào)及其諧波,再與其它之隨機(jī)性信號(hào)所組成)),通常以mVp-p峰對(duì)峰值電壓為單位來(lái)表示。   一般的開關(guān)電源的規(guī)格均以輸出直流輸出電壓的1%以內(nèi)為輸出雜訊之規(guī)格,其頻寬為20Hz到20MHz。電源實(shí)際工作時(shí)最惡劣的狀況(如輸出負(fù)載電流最大、輸入電源電壓最低等),若電源供應(yīng)器在惡劣環(huán)境狀況下,其輸出直流電壓加上雜訊后之輸出瞬時(shí)電壓,仍能夠維持穩(wěn)定的輸出電壓不超過(guò)輸出高低電壓界限情形,否則將可能會(huì)導(dǎo)致電源電壓超過(guò)或低于邏輯電路(如TTL電路)之承受電源電壓而誤動(dòng)作,進(jìn)一步造成死機(jī)現(xiàn)象。   同時(shí)測(cè)量電路必須有良好的隔離處理及阻抗匹配,為避免導(dǎo)線上產(chǎn)生不必要的干擾、振鈴和駐波,一般都采用雙同軸電纜并以50Ω于其端點(diǎn)上,并使用差動(dòng)式量測(cè)方法(可避免地回路之雜訊電流),來(lái)獲得正確的測(cè)量結(jié)果。 5. 輸入功率與效率   電源供應(yīng)器的輸入功率之定義為以下之公式:   True Power = Pav(watt) = Vrms x Arms x Power Factor 即為對(duì)一周期內(nèi)其輸入電壓與電流乘積之積分值,需注意的是Watt≠VrmsArms而是Watt=VrmsArmsxP.F.,其中P.F.為功率因素(Power Factor),通常無(wú)功率因素校正電路電源供應(yīng)器的功率因素在0.6~0.7左右,其功率因素為1~0之間。   電源供應(yīng)器的效率之定義為為輸出直流功率之總和與輸入功率之比值。效率提供對(duì)電源供應(yīng)器正確工作的驗(yàn)證,若效率超過(guò)規(guī)定范圍,即表示設(shè)計(jì)或零件材料上有問(wèn)題,效率太低時(shí)會(huì)導(dǎo)致散熱增加而影響其使用壽命。 6. 動(dòng)態(tài)負(fù)載或暫態(tài)負(fù)載   一個(gè)定電壓輸出的電源,于設(shè)計(jì)中具備反饋控制回路,能夠?qū)⑵漭敵鲭妷哼B續(xù)不斷地維持穩(wěn)定的輸出電壓。由于實(shí)際上反饋控制回路有一定的頻寬,因此限制了電源供應(yīng)器對(duì)負(fù)載電流變化時(shí)的反應(yīng)。若控制回路輸入與輸出之相移于增益(Unity Gain)為1時(shí),超過(guò)180度,則電源供應(yīng)器之輸出便會(huì)呈現(xiàn)不穩(wěn)定、失控或振蕩之現(xiàn)象。實(shí)際上,電源供應(yīng)器工作時(shí)的負(fù)載電流也是動(dòng)態(tài)變化的,而不是始終維持不變(例如硬盤、軟驅(qū)、CPU或RAM動(dòng)作等),因此動(dòng)態(tài)負(fù)載測(cè)試對(duì)電源供應(yīng)器而言是極為重要的。可編程序電子負(fù)載可用來(lái)模擬電源供應(yīng)器實(shí)際工作時(shí)最惡劣的負(fù)載情況,如負(fù)載電流迅速上升、下降之斜率、周期等,若電源供應(yīng)器在惡劣負(fù)載狀況下,仍能夠維持穩(wěn)定的輸出電壓不產(chǎn)生過(guò)高激(Overshoot)或過(guò)低(Undershoot)情形,否則會(huì)導(dǎo)致電源之輸出電壓超過(guò)負(fù)載組件(如TTL電路其輸出瞬時(shí)電壓應(yīng)介于4.75V至5.25V之間,才不致引起TTL邏輯電路之誤動(dòng)作)之承受電源電壓而誤動(dòng)作,進(jìn)一步造成死機(jī)現(xiàn)象。 7. 啟動(dòng)時(shí)間與保持時(shí)間   啟動(dòng)時(shí)間為電源供應(yīng)器從輸入接上電源起到其輸出電壓上升到穩(wěn)壓范圍內(nèi)為止的時(shí)間,以一輸出為5V的電源供應(yīng)器為例,啟動(dòng)時(shí)間為從電源開機(jī)起到輸出電壓達(dá)到4.75V為止的時(shí)間。   保持時(shí)間為電源供應(yīng)器從輸入切斷電源起到其輸出電壓下降到穩(wěn)壓范圍外為止的時(shí)間,以一輸出為5V的電源供應(yīng)器為例,保持時(shí)間為從關(guān)機(jī)起到輸出電壓低于4.75V為止的時(shí)間,一般值為17ms或20ms以上,以避免電力公司供電中于少了半周或一周之狀況下而受影響。    8. 其它 在電源具備一些特定保護(hù)功能的前提下,還需要進(jìn)行保護(hù)功能測(cè)試,如過(guò)電壓保護(hù)(OVP)測(cè)試、短路保護(hù)測(cè)試、過(guò)功保護(hù)等

    標(biāo)簽: 模塊電源 參數(shù) 指標(biāo) 測(cè)試方法

    上傳時(shí)間: 2013-10-22

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  • STC15系單片機(jī)仿真說(shuō)明

    STC15系單片機(jī)仿真說(shuō)明

    標(biāo)簽: STC 15 單片機(jī)仿真

    上傳時(shí)間: 2013-10-13

    上傳用戶:Thuan

  • STC12系列單片機(jī)與PC機(jī)在數(shù)據(jù)采集系

    STC12系列單片機(jī)與PC機(jī)在數(shù)據(jù)采集系

    標(biāo)簽: STC 12 PC機(jī) 單片機(jī)

    上傳時(shí)間: 2013-11-03

    上傳用戶:shirleyYim

  • Keil C51使用詳解

    Keil C51使用詳解Keil C51 是美國(guó)Keil Software 公司出品的51 系列兼容單片機(jī)C 語(yǔ)言軟件開發(fā)系統(tǒng),與匯編相比,C 語(yǔ)言在功能上、結(jié)構(gòu)性、可讀性、可維護(hù)性上有明顯的優(yōu)勢(shì),因而易學(xué)易用。用過(guò)匯編語(yǔ)言后再使用C 來(lái)開發(fā),體會(huì)更加深刻。Keil C51 軟件提供豐富的庫(kù)函數(shù)和功能強(qiáng)大的集成開發(fā)調(diào)試工具,全Windows界面。另外重要的一點(diǎn),只要看一下編譯后生成的匯編代碼,就能體會(huì)到Keil C51生成的目標(biāo)代碼效率非常之高,多數(shù)語(yǔ)句生成的匯編代碼很緊湊,容易理解。在開發(fā)大型軟件時(shí)更能體現(xiàn)高級(jí)語(yǔ)言的優(yōu)勢(shì)。下面詳細(xì)介紹 Keil C51 開發(fā)系統(tǒng)各部分功能和使用。第二節(jié) Keil C51 單片機(jī)軟件開發(fā)系統(tǒng)的整體結(jié)構(gòu)C51 工具包的整體結(jié)構(gòu),如圖(1)所示,其中uVision 與Ishell 分別是C51 forWindows 和for Dos 的集成開發(fā)環(huán)境(IDE),可以完成編輯、編譯、連接、調(diào)試、仿真等整個(gè)開發(fā)流程。開發(fā)人員可用IDE 本身或其它編輯器編輯C 或匯編源文件。然后分別由C51 及A51 編譯器編譯生成目標(biāo)文件(.OBJ)。目標(biāo)文件可由LIB51 創(chuàng)建生成庫(kù)文件,也可以與庫(kù)文件一起經(jīng)L51 連接定位生成絕對(duì)目標(biāo)文件(.ABS)。ABS 文件由OH51 轉(zhuǎn)換成標(biāo)準(zhǔn)的Hex 文件,以供調(diào)試器dScope51 或tScope51 使用進(jìn)行源代碼級(jí)調(diào)試,也可由仿真器使用直接對(duì)目標(biāo)板進(jìn)行調(diào)試,也可以直接寫入程序存貯器如EPROM 中。圖(1) C51 工具包整體結(jié)構(gòu)圖第三節(jié) Keil C51 工具包的安裝81. C51 for Dos在 Windows 下直接運(yùn)行軟件包中DOS\C51DOS.exe 然后選擇安裝目錄即可。完畢后欲使系統(tǒng)正常工作須進(jìn)行以下操作(設(shè)C:\C51 為安裝目錄):修改 Autoexec.bat,加入path=C:\C51\BinSet C51LIB=C:\C51\LIBSet C51INC=C:\C51\INC然后運(yùn)行Autoexec.bat2. C51 for Windows 的安裝及注意事項(xiàng):在 Windows 下運(yùn)行軟件包中WIN\Setup.exe,最好選擇安裝目錄與C51 for Dos相同,這樣設(shè)置最簡(jiǎn)單(設(shè)安裝于C:\C51 目錄下)。然后將軟件包中crack 目錄中的文件拷入C:\C51\Bin 目錄下。第四節(jié) Keil C51 工具包各部分功能及使用簡(jiǎn)介1. C51 與A51(1) C51C51 是C 語(yǔ)言編譯器,其使用方法為:C51 sourcefile[編譯控制指令]或者 C51 @ commandfile其中 sourcefile 為C 源文件(.C)。大量的編譯控制指令完成C51 編譯器的全部功能。包控C51 輸出文件C.LST,.OBJ,.I 和.SRC 文件的控制。源文件(.C)的控制等,詳見第五部分的具體介紹。而 Commandfile 為一個(gè)連接控制文件其內(nèi)容包括:.C 源文件及各編譯控制指令,它沒(méi)有固定的名字,開發(fā)人員可根據(jù)自己的習(xí)慣指定,它適于用控制指令較多的場(chǎng)合。(2) A51A51 是匯編語(yǔ)言編譯器,使用方法為:9A51 sourcefile[編譯控制指令]或 A51 @ commandfile其中sourcefile 為匯編源文件(.asm或.a51),而編譯控制指令的使用與其它匯編如ASM語(yǔ)言類似,可參考其他匯編語(yǔ)言材料。Commandfile 同C51 中的Commandfile 類似,它使A51 使用和修改方便。2. L51 和BL51(1) L51L51 是Keil C51 軟件包提供的連接/定位器,其功能是將編譯生成的OBJ 文件與庫(kù)文件連接定位生成絕對(duì)目標(biāo)文件(.ABS),其使用方法為:L51 目標(biāo)文件列表[庫(kù)文件列表] [to outputfile] [連接控制指令]或 L51 @Commandfile源程序的多個(gè)模塊分別經(jīng) C51 與A51 編譯后生成多個(gè)OBJ 文件,連接時(shí),這些文件全列于目標(biāo)文件列表中,作為輸入文件,如果還需與庫(kù)文件(.LiB)相連接,則庫(kù)文件也必須列在其后。outputfile 為輸文件名,缺少時(shí)為第一模塊名,后綴為.ABS。連接控制指令提供了連接定位時(shí)的所有控制功能。Commandfile 為連接控制文件,其具體內(nèi)容是包括了目標(biāo)文件列表,庫(kù)文件列表及輸出文件、連接控制命令,以取代第一種繁瑣的格式,由于目標(biāo)模塊庫(kù)文件大多不止1 個(gè),因而第2 種方法較多見,這個(gè)文件名字也可由使用者隨意指定。(2) Bl51BL51 也是C51 軟件包的連接/定位器,其具有L51 的所有功能,此外它還具有以下3 點(diǎn)特別之處:a. 可以連接定位大于64kBytes 的程序。b. 具有代碼域及域切換功能(CodeBanking & Bank Switching)c. 可用于RTX51 操作系統(tǒng)RTX51 是一個(gè)實(shí)時(shí)多任務(wù)操作系統(tǒng),它改變了傳統(tǒng)的編程模式,甚至不必用main( )函數(shù),單片機(jī)系統(tǒng)軟件向RTOS 發(fā)展是一種趨勢(shì),這種趨勢(shì)對(duì)于186 和38610及68K 系列CPU 更為明顯和必須,對(duì)8051 因CPU 較為簡(jiǎn)單,程序結(jié)構(gòu)等都不太復(fù)雜,RTX51 作用顯得不太突出,其專業(yè)版軟件PK51 軟件包甚至不包括RTX51Full,而只有一個(gè)RTX51TINY 版本的RTOS。RTX51 TINY 適用于無(wú)外部RAM 的單片機(jī)系統(tǒng),因而可用面很窄,在本文中不作介紹。Bank switching 技術(shù)因使用很少也不作介紹。3. DScope51,Tscope51 及Monitor51(1) dScope51dScope51 是一個(gè)源級(jí)調(diào)試器和模擬器,它可以調(diào)試由C51 編譯器、A51 匯編器、PL/M-51 編譯器及ASM-51 匯編器產(chǎn)生的程序。它不需目標(biāo)板(for windows 也可通過(guò)mon51 接目標(biāo)板),只能進(jìn)行軟件模擬,但其功能強(qiáng)大,可模擬CPU 及其外圍器件,如內(nèi)部串口,外部I/O 及定時(shí)器等,能對(duì)嵌入式軟件功能進(jìn)行有效測(cè)試。

    標(biāo)簽: Keil C51 使用詳解

    上傳時(shí)間: 2013-11-01

    上傳用戶:zhouxuepeng1

  • 離散傅里葉變換,(DFT)Direct Fouriet Tr

    離散傅里葉變換,(DFT)Direct Fouriet Transformer(PPT課件) 一、序列分類對(duì)一個(gè)序列長(zhǎng)度未加以任何限制,則一個(gè)序列可分為:    無(wú)限長(zhǎng)序列:n=-∞~∞或n=0~∞或n=-∞~ 0    有限長(zhǎng)序列:0≤n≤N-1有限長(zhǎng)序列在數(shù)字信號(hào)處理是很重要的一種序列。由于計(jì)算機(jī)容量的限制,只能對(duì)過(guò)程進(jìn)行逐段分析。二、DFT引入由于有限長(zhǎng)序列,引入DFT(離散付里葉變換)。DFT它是反映了“有限長(zhǎng)”這一特點(diǎn)的一種有用工具。DFT變換除了作為有限長(zhǎng)序列的一種付里葉表示,在理論上重要之外,而且由于存在著計(jì)算機(jī)DFT的有效快速算法--FFT,因而使離散付里葉變換(DFT)得以實(shí)現(xiàn),它使DFT在各種數(shù)字信號(hào)處理的算法中起著核心的作用。三、本章主要討論 離散付里葉變換的推導(dǎo)離散付里葉變換的有關(guān)性質(zhì)離散付里葉變換逼近連續(xù)時(shí)間信號(hào)的問(wèn)題第二節(jié) 付里葉變換的幾種形式傅 里 葉 變 換 :  建 立 以 時(shí) 間 t 為 自 變 量 的 “ 信 號(hào) ”   與 以 頻 率 f為 自 變 量 的 “ 頻 率 函 數(shù) ”(頻譜) 之 間 的 某 種 變 換 關(guān) 系 . 所 以 “ 時(shí) 間 ” 或 “ 頻 率 ” 取 連 續(xù) 還 是 離 散 值 , 就 形 成 各 種 不 同 形 式 的 傅 里 葉 變 換 對(duì) 。, 在 深 入 討 論 離 散 傅 里 葉 變 換 D F T 之 前 , 先 概 述 四種 不 同 形式 的 傅 里 葉 變 換 對(duì) . 一、四種不同傅里葉變換對(duì)傅 里 葉 級(jí) 數(shù)(FS):連 續(xù) 時(shí) 間 , 離 散 頻 率 的 傅 里 葉 變 換 。連 續(xù) 傅 里 葉 變 換(FT):連 續(xù) 時(shí) 間 , 連 續(xù) 頻 率 的 傅 里 葉 變 換 。序 列 的 傅 里 葉 變 換(DTFT):離 散 時(shí) 間 , 連 續(xù) 頻 率 的 傅 里 葉 變 換.離 散 傅 里 葉 變 換(DFT):離 散 時(shí) 間 , 離 散 頻 率 的 傅 里 葉 變 換1.傅 里 葉 級(jí) 數(shù)(FS)周期連續(xù)時(shí)間信號(hào)          非周期離散頻譜密度函數(shù)。 周期為Tp的周期性連續(xù)時(shí)間函數(shù) x(t) 可展成傅里葉級(jí)數(shù)X(jkΩ0)  ,是離散非周期性頻譜 , 表 示為:例子通過(guò)以下 變 換 對(duì)  可 以 看 出 時(shí) 域 的 連 續(xù) 函 數(shù) 造 成 頻 域 是 非 周 期 的 頻 譜 函 數(shù) , 而 頻 域 的 離 散 頻 譜 就 與 時(shí) 域 的 周 期 時(shí) 間 函 數(shù) 對(duì) 應(yīng) . (頻域采樣,時(shí)域周期延 拓)2.連 續(xù) 傅 里 葉 變 換(FT)非周期連續(xù)時(shí)間信號(hào)通過(guò)連續(xù)付里葉變換(FT)得到非周期連續(xù)頻譜密度函數(shù)。

    標(biāo)簽: Fouriet Direct DFT Tr

    上傳時(shí)間: 2013-11-19

    上傳用戶:fujiura

  • 基于CAN總線的智能尋位制造系統(tǒng)

    基于CAN總線的智能尋位制造系統(tǒng) 智能尋位制造系統(tǒng)的組成網(wǎng)絡(luò)化智能尋位制造系統(tǒng)的概念是將智能尋位,工藝規(guī)劃# 加工信息生成# 加工設(shè)備控制等分布于制造系統(tǒng)中不同物理位置的獨(dú)立單元! 借助實(shí)時(shí)控制網(wǎng)絡(luò)集成為一有機(jī)整體! 從而實(shí)現(xiàn)單元間的高速信息交換! 并通過(guò)管理計(jì)算機(jī)中的動(dòng)態(tài)調(diào)度軟件! 協(xié)調(diào)整個(gè)系統(tǒng)的高效運(yùn)行" 據(jù)此思路構(gòu)成的網(wǎng)絡(luò)化智能尋位制造系統(tǒng)的總體結(jié)構(gòu)如圖所示.

    標(biāo)簽: CAN 總線 制造系統(tǒng)

    上傳時(shí)間: 2013-11-13

    上傳用戶:wdq1111

  • Ba-Nd-Ti系微波介質(zhì)陶瓷Q值的提高和方法機(jī)理

    利用系介質(zhì)陶瓷材料研制的微波元器件,廣泛應(yīng)用于航空航天、軍事及民用通信及電子設(shè)備中,在理論分析和工藝試驗(yàn)的基礎(chǔ)上,通過(guò)對(duì)介質(zhì)陶瓷材料組分和控制溫度工藝研究,優(yōu)化BaO-Nd2O3-TiO2組分材料,改進(jìn)煅燒溫度等工藝方法,研制出性能穩(wěn)定性介質(zhì)陶瓷材料。為研制用于高頻、超高頻電子設(shè)備中性能穩(wěn)定微波元器件找到了有效的途徑。

    標(biāo)簽: Ba-Nd-Ti 微波介質(zhì) Q值 陶瓷

    上傳時(shí)間: 2013-11-05

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  • protel99se元件名系表

    protel99se元件名系表

    標(biāo)簽: protel 99 se 元件

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  • IC封裝製程簡(jiǎn)介(IC封裝制程簡(jiǎn)介)

    半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多,應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛,圖一是常見的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來(lái)劃分類別,圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為   PDID:Plastic Dual Inline Package SOP:Small Outline Package SOJ:Small Outline J-Lead Package PLCC:Plastic Leaded Chip Carrier QFP:Quad Flat Package PGA:Pin Grid Array BGA:Ball Grid Array         雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多,在電路板上常用的組裝方式有二種,一種是插入電路板的銲孔或腳座,如PDIP、PGA,另一種是貼附在電路板表面的銲墊上,如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。    從半導(dǎo)體元件的外觀,只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳,而半導(dǎo)體元件真正的的核心,是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片,透過(guò)伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件,從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片,圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大,可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳,這些接腳向外延伸並穿出膠體,成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線從中斷裂,那是使用不當(dāng)引發(fā)過(guò)電流而燒毀,致使晶片失去功能,這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。   圖四是常見的LED,也就是發(fā)光二極體,其內(nèi)部也是一顆晶片,圖五是以顯微鏡正視LED的頂端,可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線,若以LED二支接腳的極性來(lái)做分別,晶片是貼附在負(fù)極的腳上,經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過(guò)正向電流時(shí),晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮,如圖六所示。     半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序,前一段是先製造元件的核心─晶片,稱為晶圓製造;後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品,稱為IC封裝製程,又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟,在本章節(jié)中將簡(jiǎn)介這兩段的製造程序。

    標(biāo)簽: 封裝 IC封裝 制程

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