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飛機(jī)供電特性

電流型運(yùn)算放大器在應(yīng)用電路中的特性研究

　　文中簡要介紹了電流型運(yùn)放的特性，著重對電流型運(yùn)放的應(yīng)用電路進(jìn)行測試，研究電流型運(yùn)放的應(yīng)用特性。實(shí)驗(yàn)中，選擇典型電流型運(yùn)放及電壓型運(yùn)放構(gòu)建負(fù)阻變換器、電壓跟隨器和同相比例放大器，通過對此3類應(yīng)用電路的測試，分析、總結(jié)運(yùn)放參數(shù)對特殊應(yīng)用電路的影響，為電路設(shè)計(jì)者在具體電路的設(shè)計(jì)中恰當(dāng)選擇適合的放大器提供參考。

標(biāo)簽： 電流型應(yīng)用電路運(yùn)算放大器

上傳時(shí)間： 2013-10-18

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高等模擬集成電路

近年來，隨著集成電路工藝技術(shù)的進(jìn)步，電子系統(tǒng)的構(gòu)成發(fā)生了兩個(gè)重要的變化：一個(gè)是數(shù)字信號處理和數(shù)字電路成為系統(tǒng)的核心，一個(gè)是整個(gè)電子系統(tǒng)可以集成在一個(gè)芯片上（稱為片上系統(tǒng))。這些變化改變了模擬電路在電子系統(tǒng)中的作用，并且影響著模擬集成電路的發(fā)展。數(shù)字電路不僅具有遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過模擬電路的集成規(guī)模，而且具有可編程、靈活、易于附加功能、設(shè)計(jì)周期短、對噪聲和制造工藝誤差的抗擾性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，因而大多數(shù)復(fù)雜系統(tǒng)以數(shù)字信號處理和數(shù)字電路為核心已成為必然的趨勢。雖然如此，模擬電路仍然是電子系統(tǒng)中非常重要的組成部分。這是因?yàn)槲覀兘佑|到的外部世界的物理量主要都是模擬量，比如圖像、聲音、壓力、溫度、濕度、重量等，要將它們變換為數(shù)字信號，需要模擬信號處理和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路，如果這些電路性能不夠高，將會(huì)影響整個(gè)系統(tǒng)的性能。其次，系統(tǒng)中的許多功能不可能或很難用數(shù)字電路完成，如微弱信號放大，很高頻率和寬頻帶信號的實(shí)時(shí)處理等。因此，雖然模擬電路在系統(tǒng)中不再是核心，但作為固有的模擬世界與數(shù)字系統(tǒng)的接口，其地位和作用仍然十分重要。片上系統(tǒng)要求將數(shù)字電路和模擬電路集成在一個(gè)芯片上，這希望模擬電路使用與數(shù)字電路相同的制造工藝。隨著MOS器件的線寬不斷減小，使MOS器件的性能不斷提高，MOS數(shù)字電路成為數(shù)字集成電路的主流，并因此促進(jìn)了MOS模擬集成電路的迅速發(fā)展。為了適應(yīng)電子系統(tǒng)功能的不斷擴(kuò)展和性能的不斷提高，對模擬電路在降低電源電壓、提高工作頻率、擴(kuò)大線性工作范圍和提高性能指標(biāo)的精度和穩(wěn)定度等方面提出更高要求，促進(jìn)了新電路技術(shù)的發(fā)展。作為研究生課程的教材，本書內(nèi)容是在本科相關(guān)課程基礎(chǔ)上的深化和擴(kuò)展，同時(shí)涉及實(shí)際設(shè)計(jì)中需要考慮的一些問題，重點(diǎn)介紹具有高工作頻率、低電源電壓和高工作穩(wěn)定性的新電路技術(shù)和在電子系統(tǒng)中占有重要地位的功能電路及其中的新技術(shù)。全書共7章，大致可分為三個(gè)部分。第一部分包括第1章和第7章。第1章為MOS模擬集成電路基礎(chǔ)，比較全面地介紹MOS器件的工作原理和特性以及由MOS器件構(gòu)成的基本單元電路，為學(xué)習(xí)本教材其他內(nèi)容提供必要的知識。由于版圖設(shè)計(jì)與工藝參數(shù)對模擬集成電路性能的影響很大，因此第7章簡單介紹制造MOS模擬集成電路的CMOS工藝過程和版圖設(shè)計(jì)技術(shù)，讀者可以通過對該章所介紹的相關(guān)背景知識的了解，更深入地理解MOS器件和電路的特性，有助于更好地完成模擬集成電路的可實(shí)現(xiàn)性設(shè)計(jì)。第二部分為新電路技術(shù)，由第2章、第3章和第5章的部分組成，包括近年來逐步獲得廣泛應(yīng)用的電流模電路、抽樣數(shù)據(jù)電路和對數(shù)域電路，它們在提高工作頻率、降低電源電壓、擴(kuò)大線性工作范圍和提高性能指標(biāo)的精度和穩(wěn)定度方面具有明顯的潛力，同時(shí)它們也引入了一些模擬電路的新概念。這些內(nèi)容有助于讀者開拓提高電路性能方面的思路。第2章介紹電流模電路的工作原理、特點(diǎn)和典型電路。與傳統(tǒng)的以電壓作為信號載體的電路不同，這是一種以電流作為信號載體的電路，雖然在電路中電壓和電流總是共同存在并相互作用的，但由于信號載體不同，不僅電路性能不同而且電路結(jié)構(gòu)也不同。第3章介紹抽樣數(shù)據(jù)電路的特點(diǎn)和開關(guān)電容與開關(guān)電流電路的工作原理、分析方法與典型電路。抽樣數(shù)據(jù)電路類似于數(shù)字電路，處理的是時(shí)間離散信號，又類似于模擬電路，處理的是幅度連續(xù)信號，它比模擬電路具有穩(wěn)定準(zhǔn)確的時(shí)間常數(shù)，解決了模擬電路實(shí)際應(yīng)用中的一大障礙。對數(shù)域電路在第5章中結(jié)合其在濾波器中的應(yīng)用介紹，這類電路除具有良好的電性能外，還提出了一種利用器件的非線性特性實(shí)現(xiàn)線性電路的新思路。第三部分介紹幾個(gè)模擬電路的功能模塊，它們是電子系統(tǒng)中的關(guān)鍵組成部分，并且與信號和信號處理聯(lián)系密切，有助于在信號和電路間形成整體觀念。這部分包括第4章至第6章。第4章介紹數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路的技術(shù)指標(biāo)和高精度與高速度轉(zhuǎn)換電路的構(gòu)成、工作原理、特點(diǎn)和典型電路。第5章介紹模擬集成濾波器的設(shè)計(jì)方法和主要類型，包括連續(xù)時(shí)間濾波器、對數(shù)域?yàn)V波器和抽樣數(shù)據(jù)濾波器。第6章介紹通信系統(tǒng)中的收發(fā)器與射頻前端電路，包括收信器、發(fā)信器的技術(shù)指標(biāo)、結(jié)構(gòu)和典型電路。因?yàn)檩d波通信系統(tǒng)傳輸?shù)氖悄M信號，射頻前端電路的性能對整個(gè)通信系統(tǒng)有直接的影響，所以射頻集成電路已成為重要的研究課題。〖〗高等模擬集成電路〖〗〖〗前言〖〗〖〗本書是在為研究生開設(shè)的“高等模擬集成電路”課程講義的基礎(chǔ)上整理而成，由董在望主編，第1、4、7章由李冬梅編寫，第6章由王志華編寫，第5章由李永明和董在望編寫，第2、3章由董在望編寫，李國林參加了部分章節(jié)的校核工作。本書可作為信息與通信工程和電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)科相關(guān)課程的研究生教材或教學(xué)參考書，也可作為本科教學(xué)參考書或選修課教材和供相關(guān)專業(yè)的工程技術(shù)人員參考。清華大學(xué)出版社多位編輯為本書的出版做了卓有成效的工作，深致謝意。限于編者水平，難免有錯(cuò)誤和疏漏之處，歡迎批評指正。目錄 1.1MOS器件基礎(chǔ)及器件模型 1.1.1結(jié)構(gòu)及工作原理 1.1.2襯底調(diào)制效應(yīng) 1.1.3小信號模型 1.1.4亞閾區(qū)效應(yīng) 1.1.5短溝效應(yīng) 1.1.6SPICE模型 1.2基本放大電路 1.2.1共源(CS)放大電路 1.2.2共漏(CD)放大電路 1.2.3共柵(CG)放大電路 1.2.4共源共柵(CSCG)放大電路 1.2.5差分放大電路 1.3電流源電路 1.3.1二極管連接的MOS器件 1.3.2基本鏡像電流源 1.3.3威爾遜電流源 1.3.4共源共柵電流源 1.3.5有源負(fù)載放大電路 1.4運(yùn)算放大器 1.4.1運(yùn)算放大器的主要參數(shù) 1.4.2單級運(yùn)算放大器 1.4.3兩級運(yùn)算放大器 1.4.4共模反饋(CMFB) 1.4.5運(yùn)算放大器的頻率補(bǔ)償 1.5模擬開關(guān) 1.5.1導(dǎo)通電阻 1.5.2電荷注入與時(shí)鐘饋通 1.6帶隙基準(zhǔn)電壓源 1.6.1工作原理 1.6.2與CMOS工藝兼容的帶隙基準(zhǔn)電壓源思考題 2電流模電路 2.1概述 2.1.1電流模電路的概念 2.1.2電流模電路的特點(diǎn) 2.2基本電流模電路 2.2.1電流鏡電路 2.2.2電流放大器 2.2.3電流模積分器 2.3電流模功能電路 2.3.1跨導(dǎo)線性電路 2.3.2電流傳輸器 2.4從電壓模電路變換到電流模電路 2.5電流模電路中的非理想效應(yīng) 2.5.1MOSFET之間的失配 2.5.2寄生電容對頻率特性的影響思考題 3抽樣數(shù)據(jù)電路 3.1開關(guān)電容電路和開關(guān)電流電路的基本分析方法 3.1.1開關(guān)電容電路的時(shí)域分析 3.1.2開關(guān)電流電路的時(shí)域分析 3.1.3抽樣數(shù)據(jù)電路的頻域分析 3.2開關(guān)電容電路 3.2.1開關(guān)電容單元電路 3.2.2開關(guān)電容電路的特點(diǎn) 3.2.3非理想因素的影響 3.3開關(guān)電流電路 3.3.1開關(guān)電流單元電路 3.3.2開關(guān)電流電路的特點(diǎn) 3.3.3非理想因素的影響思考題 4A/D轉(zhuǎn)換器與D/A轉(zhuǎn)換器 4.1概述 4.1.1電子系統(tǒng)中的A/D與D/A轉(zhuǎn)換 4.1.2A/D與D/A轉(zhuǎn)換器的基本原理 4.1.3A/D與D/A轉(zhuǎn)換器的性能指標(biāo) 4.1.4A/D與D/A轉(zhuǎn)換器的分類 4.1.5A/D與D/A轉(zhuǎn)換器中常用的數(shù)碼類型 4.2高速A/D轉(zhuǎn)換器 4.2.1全并行結(jié)構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器 4.2.2兩步結(jié)構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器 4.2.3插值與折疊結(jié)構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器 4.2.4流水線結(jié)構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器 4.2.5交織結(jié)構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器 4.3高精度A/D轉(zhuǎn)換器 4.3.1逐次逼近型A/D轉(zhuǎn)換器 4.3.2雙斜率積分型A/D轉(zhuǎn)換器 4.3.3過采樣ΣΔA/D轉(zhuǎn)換器 4.4D/A轉(zhuǎn)換器 4.4.1電阻型D/A轉(zhuǎn)換器 4.4.2電流型D/A轉(zhuǎn)換器 4.4.3電容型D/A轉(zhuǎn)換器思考題 5集成濾波器 5.1引言 5.1.1濾波器的數(shù)學(xué)描述 5.1.2濾波器的頻率特性 5.1.3濾波器設(shè)計(jì)的逼近方法 5.2連續(xù)時(shí)間濾波器 5.2.1連續(xù)時(shí)間濾波器的設(shè)計(jì)方法 5.2.2跨導(dǎo)電容（GmC）連續(xù)時(shí)間濾波器 5.2.3連續(xù)時(shí)間濾波器的片上自動(dòng)調(diào)節(jié)電路 5.3對數(shù)域?yàn)V波器 5.3.1對數(shù)域電路概念及其特點(diǎn) 5.3.2對數(shù)域電路基本單元 5.3.3對數(shù)域?yàn)V波器 5.4抽樣數(shù)據(jù)濾波器 5.4.1設(shè)計(jì)方法 5.4.2SZ域映射 5.4.3開關(guān)電容電路轉(zhuǎn)換為開關(guān)電流電路的方法思考題 6收發(fā)器與射頻前端電路 6.1通信系統(tǒng)中的射頻收發(fā)器 6.2集成收信器 6.2.1外差式接收與鏡像信號 6.2.2復(fù)數(shù)信號處理 6.2.3收信器前端結(jié)構(gòu) 6.3集成發(fā)信器 6.3.1上變換器 6.3.2發(fā)信器結(jié)構(gòu) 6.4收發(fā)器的技術(shù)指標(biāo) 6.4.1噪聲性能 6.4.2靈敏度 6.4.3失真特性與線性度 6.4.4動(dòng)態(tài)范圍 6.5射頻電路設(shè)計(jì) 6.5.1晶體管模型與參數(shù) 6.5.2噪聲 6.5.3集成無源器件 6.5.4低噪聲放大器 6.5.5混頻器 6.5.6頻率綜合器 6.5.7功率放大器思考題 7CMOS集成電路制造工藝及版圖設(shè)計(jì) 7.1集成電路制造工藝簡介 7.1.1單晶生長與襯底制備 7.1.2光刻 7.1.3氧化 7.1.4擴(kuò)散及離子注入 7.1.5化學(xué)氣相淀積（CVD） 7.1.6接觸與互連 7.2CMOS工藝流程與集成電路中的元件 7.2.1硅柵CMOS工藝流程 7.2.2CMOS集成電路中的無源元件 7.2.3CMOS集成電路中的寄生效應(yīng) 7.3版圖設(shè)計(jì) 7.3.1硅柵CMOS集成電路的版圖構(gòu)成 7.3.2版圖設(shè)計(jì)規(guī)則 7.3.3CMOS版圖設(shè)計(jì)技術(shù) 思考題

標(biāo)簽： 模擬集成電路

上傳時(shí)間： 2013-11-13

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虛擬實(shí)現(xiàn)技術(shù)在典型差動(dòng)放大電路特性分析中的應(yīng)用

介紹了差動(dòng)放大電路演變歷程，理論上分析了典型差動(dòng)放大的工作原理以及特性參數(shù)的計(jì)算公式：應(yīng)用虛擬實(shí)現(xiàn)技術(shù)一Pmteus軟件進(jìn)行了靜態(tài)特性、差模輸入信號、共模輸入信號的實(shí)驗(yàn)研究，并對實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象進(jìn)行了分析。

標(biāo)簽： 虛擬實(shí)現(xiàn)技術(shù) 典型中的應(yīng)用差動(dòng)放大電路

上傳時(shí)間： 2013-11-14

上傳用戶：zukfu
SiCOI MESFET的特性分析

使用ISE-TCAD二維器件仿真軟件,對SiCOI MESFET的電學(xué)特性進(jìn)行模擬分析。結(jié)果表明,通過調(diào)整器件結(jié)構(gòu)參數(shù),例如門極柵長、有源層摻雜濃度、有源區(qū)厚度等,對器件轉(zhuǎn)移特性、輸出特性有較大影響。

標(biāo)簽： MESFET SiCOI 特性分析

上傳時(shí)間： 2013-10-23

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AN-741鮮為人知的相位噪聲特性

關(guān)于相位噪聲專題的信息有很多，包括相位噪聲特性1、相位噪聲測量方法2以及它對系統(tǒng)性能的影響3。眾所周知，振蕩器和時(shí)鐘的相位噪聲已成為導(dǎo)致現(xiàn)代無線電系統(tǒng)性能降低的因素之一。然而，大多數(shù)傳統(tǒng)相位噪聲分析僅將重點(diǎn)放在單載波無線電系統(tǒng)中正弦波信號的降低，而相位噪聲對多載波接收機(jī)、寬帶系統(tǒng)或數(shù)字無線電的影響則很少涉及。本應(yīng)用筆記將討論一些與數(shù)據(jù)采樣系統(tǒng)相位噪聲有關(guān)的鮮為人知的問題，主要是多載波無線電、寬帶信號和欠采樣無線電架構(gòu)等

標(biāo)簽： 741 AN 相位噪聲

上傳時(shí)間： 2013-10-30

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RLC串聯(lián)電路諧振特性的Multisim仿真

基于探索 RLC串聯(lián)電路諧振特性仿真實(shí)驗(yàn)技術(shù)的目的，采用Multisim10仿真軟件對RLC串聯(lián)電路諧振特性進(jìn)行了仿真實(shí)驗(yàn)測試，給出了幾種Multisim仿真實(shí)驗(yàn)方案，介紹了諧振頻率、上限頻率、下限頻率及品質(zhì)因數(shù)的測試和計(jì)算方法，討論了電阻大小對品質(zhì)因數(shù)的影響。結(jié)論是仿真實(shí)驗(yàn)可直觀形象地描述RLC串聯(lián)電路的諧振特性，將電路的硬件實(shí)驗(yàn)方式向多元化方式轉(zhuǎn)移，利于培養(yǎng)知識綜合、知識應(yīng)用、知識遷移的能力，使電路分析更加靈活和直觀。

標(biāo)簽： Multisim RLC 串聯(lián)電路諧振

上傳時(shí)間： 2013-10-12

上傳用戶：Maple
相敏檢波電路鑒相特性的仿真研究

分析了調(diào)幅信號和載波信號之間的相位差與調(diào)制信號的極性的對應(yīng)關(guān)系,得出了相敏檢波電路輸出電壓的極性與調(diào)制信號的極性有對應(yīng)關(guān)系的結(jié)論。為了驗(yàn)證相敏檢波電路的這一特性,給出3 個(gè)電路方案,分別選用理想元件和實(shí)際元件,采用Multisim 對其進(jìn)行仿真實(shí)驗(yàn),直觀形象地演示了相敏檢波電路的鑒相特性,是傳統(tǒng)的實(shí)際操作實(shí)驗(yàn)所不可比擬的。關(guān)鍵詞:相敏檢波;鑒相特性;Multisim;電路仿真 Abstract : The corresponding relation between modulation signal polarity and difference phases of amplitudemodulated signal and the carrier signal ,the polarity of phase2sensitive detecting circuit output voltage and the polarity of modulation signal are correspondent . In order to verify this characteristic ,three elect ric circuit s plans are produced ,idea element s and actual element s are selected respectively. Using Multisim to carry on a simulation experiment ,and then demonst rating the phase detecting characteristic of the phase sensitive circuit vividly and directly. Which is t raditional practical experience cannot be com pared.Keywords :phase sensitive detection ;phase2detecting characteristic ;Multisim;circuit simulation

標(biāo)簽： 相敏檢波電路仿真研究鑒相

上傳時(shí)間： 2013-11-23

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實(shí)際應(yīng)用條件下Power+MOSFET開關(guān)特性研究

摘要：從功率MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)和極間電容的電壓依賴關(guān)系出發(fā)，對功率MOSFET的開關(guān)現(xiàn)象及其原因進(jìn)行了較深入分析。從實(shí)際應(yīng)用的角度，對功率MOSFET開關(guān)過程的功率損耗和所需驅(qū)動(dòng)功率進(jìn)行了研究，提出了有關(guān)參數(shù)的計(jì)算方法，并對多種因素對開關(guān)特性的影響效果進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)研究，所得出的結(jié)論對于功率MOSFET的正確運(yùn)用和設(shè)計(jì)合理的MoSFET驅(qū)動(dòng)電路具有指導(dǎo)意義．

標(biāo)簽： MOSFET Power 實(shí)際應(yīng)用條件下

上傳時(shí)間： 2013-11-10

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高頻功率MOSFET驅(qū)動(dòng)電路及并聯(lián)特性研究

本文主要研究高頻功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路和在動(dòng)態(tài)開關(guān)模式下的并聯(lián)均流特性。首先簡要介紹功率MOSFET的基本工作原理及靜態(tài)及動(dòng)態(tài)特性，然后根據(jù)功率MOSFET對驅(qū)動(dòng)電路的要求，對驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行了參數(shù)計(jì)算并且選擇應(yīng)用了實(shí)用可靠的驅(qū)動(dòng)電路。此外，對功率MOSFET在兆赫級并聯(lián)山于不同的參數(shù)影響而引起的電流分配不均衡問題做了仿真研究及分析。

標(biāo)簽： MOSFET 高頻功率驅(qū)動(dòng)電路

上傳時(shí)間： 2013-11-22

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放大器及數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器選擇指南

德州儀器(TI)通過多種不同的處理工藝提供了寬范圍的運(yùn)算放大器產(chǎn)品，其類型包括了高精度、微功耗、低電壓、高電壓、高速以及軌至軌。TI還開發(fā)了業(yè)界最大的低功耗及低電壓運(yùn)算放大器產(chǎn)品選集，其設(shè)計(jì)特性可滿足寬范圍的多種應(yīng)用。為使您的選擇流程更為輕松，我們提供了一個(gè)交互式的在線運(yùn)算放大器參數(shù)搜索引擎——amplifier.ti.com/search，可供您鏈接至各種不同規(guī)格的運(yùn)算放大器。設(shè)計(jì)考慮因素為某項(xiàng)應(yīng)用選擇最佳的運(yùn)算放大器所要考慮的因素涉及到多個(gè)相關(guān)聯(lián)的需求。為此，設(shè)計(jì)人員必須經(jīng)常權(quán)衡彼此矛盾的尺寸、成本、性能等指標(biāo)因素。即使是資歷最老的工程師也可能會(huì)為此而苦惱，但您大可不必如此。緊記以下的幾點(diǎn)，您將會(huì)發(fā)現(xiàn)選擇范圍將很快的縮小至可掌控的少數(shù)幾個(gè)。電源電壓(VS)——選擇表中包括了低電壓（最小值低于2.7V）及寬電壓范圍（最小值高于5V）的部分。其余運(yùn)放的選擇類型（例如精密），可通過快速查驗(yàn)供電范圍欄來適當(dāng)選擇。當(dāng)采用單電源供電時(shí)，應(yīng)用可能需要具有軌至軌(rail-to-rail)性能，并考慮精度相關(guān)的參數(shù)。精度——主要與輸入偏移電壓(VOS)相關(guān)，并分別考慮隨溫度漂移、電源抑制比(PSRR)以及共模抑制比(CMRR)的變化。精密(precision)一般用于描述具有低輸入偏置電壓及低輸入偏置電壓溫度漂移的運(yùn)算放大器。微小信號需要高精度的運(yùn)算放大器，例如熱電偶及其它低電平的傳感器。高增益或多級電路則有可能需求低偏置電壓。

標(biāo)簽： 放大器數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器選擇指南

上傳時(shí)間： 2013-11-25

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