為什么要掌握電磁兼容技術(shù)?因?yàn)椋海罅康碾娮釉O(shè)備在同一電磁環(huán)境中工作，電磁干擾的問(wèn)題呈現(xiàn)出前所未有的嚴(yán)重性；數(shù)字電路在工作時(shí)，會(huì)產(chǎn)生很強(qiáng)的電磁干擾發(fā)射。不僅使產(chǎn)品不能通過(guò)有關(guān)的電磁兼容性標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試，甚至連自身的穩(wěn)定工作都不能保證；電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)的強(qiáng)制執(zhí)行使電子產(chǎn)品必須滿足電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)的要求；電磁兼容性標(biāo)準(zhǔn)已成為西方發(fā)達(dá)國(guó)家限制進(jìn)口產(chǎn)品的一道堅(jiān)固的技術(shù)壁壘。國(guó)外電磁兼容的發(fā)展·1833年法拉弟發(fā)現(xiàn)電磁感應(yīng)定律，指出變化的磁場(chǎng)在導(dǎo)線中產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)1864年麥克斯韋引入位移電流的概念指出變化的電場(chǎng)將激發(fā)磁場(chǎng)，并由此預(yù)言電磁波的存在1888年赫茲用實(shí)驗(yàn)證明了電磁波的存在1945年開(kāi)始，美國(guó)頒布了一系列電磁兼容方面的軍用標(biāo)準(zhǔn)和設(shè)計(jì)規(guī)范，并不斷加以充實(shí)和完善，使得電磁兼容技術(shù)得到快速發(fā)展。蘇聯(lián)在1948年制訂了"工業(yè)無(wú)線電干擾的極限允許值標(biāo)準(zhǔn)我國(guó)電磁兼容的發(fā)展現(xiàn)狀，八六年我國(guó)出臺(tái)GIB151-86標(biāo)準(zhǔn)后，電磁兼容問(wèn)題逐步得到重視，到九七年頒布并強(qiáng)制執(zhí)行了GB151A--97既《軍用設(shè)備和分系統(tǒng)電磁發(fā)射和敏感度要求》；GIB152A-97既《軍用設(shè)備和分系統(tǒng)電磁發(fā)射和敏感度測(cè)量》電磁兼容國(guó)軍標(biāo)及保密委標(biāo)準(zhǔn)后，電磁兼容技術(shù)水平提高很快。目前已制定國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)及軍用標(biāo)準(zhǔn)三十余個(gè)，標(biāo)準(zhǔn)要求基本等同與國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)和美軍標(biāo)
標(biāo)簽： 電磁兼容
上傳時(shí)間： 2022-06-19
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從光學(xué)設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)來(lái)看：CCD實(shí)際上是光電信號(hào)接收器，也是探測(cè)器、光電能景轉(zhuǎn)換器和光電圖象轉(zhuǎn)換器。它具有許多優(yōu)點(diǎn)，如：頻譜響應(yīng)波段寬，從0.4~1.1um；靈敏度高，能探測(cè)較暗的光電信號(hào)，漫低照度為0.02bx（勒克可）；一個(gè)更主要的優(yōu)點(diǎn)是，光信號(hào)可以轉(zhuǎn)換成電信號(hào)，即視頻信號(hào)，通過(guò)電路處理和接口，可與微機(jī)對(duì)接，可存儲(chǔ)、記錄、顯示，也可打印和進(jìn)行各種信息處理。也就是說(shuō)，CCD與光學(xué)系統(tǒng)相結(jié)合的光電光學(xué)系統(tǒng)，再與微機(jī)對(duì)接，可以使光學(xué)圖象實(shí)時(shí)接收-處理-再現(xiàn)。這樣的裝置可改作為觀測(cè)儀器、探測(cè)儀器、分析儀器、保密存儲(chǔ)和記錄儀器等。正因如此，在軍事、工業(yè)、農(nóng)業(yè)，深學(xué)等領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用.隨著CCD的應(yīng)用，給光學(xué)鏡頭的設(shè)計(jì)就提出新的要求，要求光學(xué)系統(tǒng)的視場(chǎng)越大越好，即焦距越短越好；CCD光學(xué)鏡頭屬于小孔徑鏡頭系列，但為了增加光能，希望光學(xué)系統(tǒng)的相對(duì)孔徑盡可能的增大，就是說(shuō)要求設(shè)計(jì)出大孔徑、大視場(chǎng)的光學(xué)鏡頭.
標(biāo)簽： ccd相機(jī) 廣角鏡頭 光學(xué)系統(tǒng)
上傳時(shí)間： 2022-06-20
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在電子電路設(shè)計(jì)中，電路仿真技術(shù)可以幫助設(shè)計(jì)者縮短設(shè)計(jì)周期，減少設(shè)計(jì)費(fèi)用，優(yōu)化和改進(jìn)電路設(shè)計(jì)，提高電路的可靠性，因此電路的仿真技術(shù)得到了廣泛的應(yīng)用.-教常用的電路仿真平臺(tái)有CadencelOrcad PspicAD，Multisim等，Ppice的前身是美國(guó)加州大學(xué)伯克萊分校推出的模擬集成電路仿真軟件，可以做各種電路實(shí)驗(yàn)和測(cè)試，以便對(duì)電路進(jìn)行修改和優(yōu)化，這種技術(shù)為電路設(shè)計(jì)者提供了強(qiáng)大的計(jì)算機(jī)仿真方法。但是仿真的前提是要獲取電路中各個(gè)器件的模型參數(shù)，而元件模型的獲取是很難的事情，特別是新器件的模型，出于技術(shù)保密，大部分廠家一般不提供關(guān)鍵器件的Pspice模型，而自己建模只能針對(duì)一些簡(jiǎn)單器件，值得慶幸的是近些年來(lái)一些廠家依托于pspice仿真平臺(tái)建立起自己的仿真環(huán)境，為我們進(jìn)行電路仿真提供了便利，L-Spice就是Linear公司推出的仿真工具.
上傳時(shí)間： 2022-06-20
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nRF52832開(kāi)發(fā)指南-下冊(cè)，藍(lán)牙 操作示例上冊(cè)也已上傳：http://dl.21ic.com/download/nrf52832-335621.html [本文檔以艾克姆科技 IK-52832DK 開(kāi)發(fā)板為硬件平臺(tái)，針對(duì) BLE 開(kāi)發(fā)，從基本概念和新建 BLE 工程模板開(kāi)始，一步步講解藍(lán)牙 BLE 程序框架及功能的實(shí)現(xiàn)]
上傳時(shí)間： 2022-06-20
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上傳時(shí)間： 2022-06-20
上傳用戶：zhanglei193
《射頻通信電路設(shè)計(jì)》學(xué)習(xí)筆記（一）1.1射頻概念1864-1873年，英國(guó)物理學(xué)家麥克斯書(shū)通過(guò)電磁學(xué)的研究，提出了著名的Maxwell方程組，并在理論上預(yù)言了電磁波的存在。1887-1891年，德國(guó)物理學(xué)家赫茲通過(guò)電磁學(xué)實(shí)驗(yàn)首次證實(shí)了電磁波的存在901年，馬可尼利用電磁波實(shí)現(xiàn)了橫跨大西洋的無(wú)線通f1.2射頻通信電路應(yīng)用簡(jiǎn)介在電子通信系統(tǒng)中，只有使用更高的載波頻率，才能獲得更大的帶寬。按照10%的帶寬計(jì)算，有線電視系統(tǒng)中使用100MHz的載波可以獲得10MHz的帶寬1.3射頻電路設(shè)計(jì)的特點(diǎn)1.3.1分布參數(shù)集總參數(shù)元件：指一個(gè)獨(dú)立的局域性元件，能夠在一定的頻率范圍內(nèi)提供特定的電路性能。在低頻電路設(shè)計(jì)中，可以把元件看作集總參數(shù)元件，認(rèn)為元件的特性僅由二傳手自身決定，元件的電磁場(chǎng)部集中在元件內(nèi)部。如電容、電阻、電感等；一個(gè)電容的容抗是由電容自身的特性決定不會(huì)受周圍元件的影響，如果把其他元件靠近這個(gè)電容器，其容抗不會(huì)隨之產(chǎn)業(yè)化。分布參數(shù)元件：指一個(gè)元件的特性延伸擴(kuò)展到一定的空間范圍內(nèi)，不再局限于元件自身。由于分布參數(shù)元件的電磁場(chǎng)分布在附近空間中，其特性要受周圍環(huán)境的影響。同一個(gè)元件，在低頻電路設(shè)計(jì)中可以看作是集總參數(shù)元件，但是在射頻電路設(shè)計(jì)中可能需要作為分布參數(shù)元件進(jìn)行處理。例如，一定長(zhǎng)度的一段傳輸線，在低頻電路中可以看作集總參數(shù)元件；在射頻電路中，就必須看作分布參數(shù)元件。分布電容（Cp）：指在元件自身封裝、元件之間、元件到接地平面和線路板布線間形成非期t電容。分布電容與元件瞇并聯(lián)關(guān)系。分布電感（LD）：指元件引腳、連線、線路板布線等形成的非期望電感。分布電感通常與元件為串聯(lián)關(guān)系。
標(biāo)簽： 射頻通信 電路設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2022-06-21
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1，Vs：集射極阻斷電壓在可使用的結(jié)溫范圍內(nèi)，柵極和發(fā)射極短路狀況下，集射極最高電壓。手冊(cè)里一般為25℃下的數(shù)據(jù)，隨著結(jié)溫的降低，VcEs會(huì)逐漸降低。由于模塊內(nèi)外部的雜散電感，IGBT在關(guān)斷時(shí)Vcs最容易超過(guò)限值2，Poat：最大允許功耗在25℃時(shí)，IGBT開(kāi)關(guān)的最大允許功率損耗，即通過(guò)結(jié)到殼的熱帆所允許的最大耗散功Pat =（Ty-T）/Rtaie其中，Ty為結(jié)溫， 為環(huán)境溫度。二極管的最大功耗可以用同樣的公式獲得。在這里，順便解釋下這幾個(gè)熱阻，Rtice 結(jié)到殼的熱阻抗，乘以發(fā)熱量獲得結(jié)與克的溫差；Rthig芯片熱源到周圍空氣的總熱阻抗，乘以發(fā)熱量獲得器件溫升；Rehb芯片結(jié)與PCB間的熱阻抗，乘以單板散熱量獲得與單板的溫差。
標(biāo)簽： igbt
上傳時(shí)間： 2022-06-21
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nRF52832 低功耗藍(lán)牙開(kāi)發(fā)教程。
上傳時(shí)間： 2022-06-30
上傳用戶：zhaiyawei
謝謝分享，分享分享暗室逢燈那是羅迪克積分卡圣誕快樂(lè)發(fā)撒嬌地方開(kāi)服金卡士大夫立刻靜安寺的肌膚離開(kāi)了的風(fēng)景拉我進(jìn)來(lái)放假啦刷卡積分拉薩大家了發(fā)吉薩大開(kāi)了房間螺絲釘解放立刻教室上課了房間就是恢復(fù)到哈?；貜?fù)哈三個(gè)sadhu愛(ài)神的箭‘喀什款到發(fā)貨案件士大夫；哦阿斯頓
標(biāo)簽： stm32
上傳時(shí)間： 2022-07-02
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《電力電子變換器：PWM策略與電流控制技術(shù)》-艾瑞克.孟麥森-冬雷-機(jī)械工業(yè)出版社-2016.03-中文版
上傳時(shí)間： 2022-07-07
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