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標簽: 半導體激光器
上傳時間: 2021-12-07
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該文檔為4mm腔長高功率單管半導體激光器封裝應力的研究概述文檔,是一份很不錯的參考資料,具有較高參考價值,感興趣的可以下載看看………………
上傳時間: 2021-12-18
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240W高功率密度和高效LLC電源電路設計方案240W高功率密度和高效LLC電源電路設計方案
上傳時間: 2022-01-23
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上傳時間: 2022-01-28
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該文檔為高功率半導體激光器的電流調制特性講解文檔,是一份很不錯的參考資料,具有較高參考價值,感興趣的可以下載看看………………
標簽: 半導體激光器
上傳時間: 2022-02-20
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EL34高功率推挽功放制作
標簽: 推挽功放
上傳時間: 2022-03-17
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南芯高功率電源SOC IC,45W充電放電效率,datasheet,解決方案
上傳時間: 2022-05-18
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功率合成器是大功率固態(tài)高功放的重要組成器件。應用散射參數(shù)原理對功率合成器的合成效率進行了研究,對一路或者幾路功率合成器輸入失效時的合成效率進行了分析,并在某型大功率固態(tài)高功放功率合成器中進行了驗證。
上傳時間: 2013-10-08
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本書主要闡述設計射頻與微波功率放大器所需的理論、方法、設計技巧,以及將分析計算與計算機輔助設計相結合的優(yōu)化設計方法。這些方法提高了設計效率,縮短了設計周期。本書內容覆蓋非線性電路設計方法、非線性主動設備建模、阻抗匹配、功率合成器、阻抗變換器、定向耦合器、高效率的功率放大器設計、寬帶功率放大器及通信系統(tǒng)中的功率放大器設計。 本書適合從事射頻與微波動功率放大器設計的工程師、研究人員及高校相關專業(yè)的師生閱讀。 作者簡介 Andrei Grebennikov是M/A—COM TYCO電子部門首席理論設計工程師,他曾經(jīng)任教于澳大利亞Linz大學、新加坡微電子學院、莫斯科通信和信息技術大學。他目前正在講授研究班課程,在該班上,本書作為國際微波年會論文集。 目錄 第1章 雙口網(wǎng)絡參數(shù) 1.1 傳統(tǒng)的網(wǎng)絡參數(shù) 1.2 散射參數(shù) 1.3 雙口網(wǎng)絡參數(shù)間轉換 1.4 雙口網(wǎng)絡的互相連接 1.5 實際的雙口電路 1.5.1 單元件網(wǎng)絡 1.5.2 π形和T形網(wǎng)絡 1.6 具有公共端口的三口網(wǎng)絡 1.7 傳輸線 參考文獻 第2章 非線性電路設計方法 2.1 頻域分析 2.1.1 三角恒等式法 2.1.2 分段線性近似法 2.1.3 貝塞爾函數(shù)法 2.2 時域分析 2.3 NewtOn.Raphscm算法 2.4 準線性法 2.5 諧波平衡法 參考文獻 第3章 非線性有源器件模型 3.1 功率MOSFET管 3.1.1 小信號等效電路 3.1.2 等效電路元件的確定 3.1.3 非線性I—V模型 3.1.4 非線性C.V模型 3.1.5 電荷守恒 3.1.6 柵一源電阻 3.1.7 溫度依賴性 3.2 GaAs MESFET和HEMT管 3.2.1 小信號等效電路 3.2.2 等效電路元件的確定 3.2.3 CIJrtice平方非線性模型 3.2.4 Curtice.Ettenberg立方非線性模型 3.2.5 Materka—Kacprzak非線性模型 3.2.6 Raytheon(Statz等)非線性模型 3.2.7 rrriQuint非線性模型 3.2.8 Chalmers(Angek)v)非線性模型 3.2.9 IAF(Bemth)非線性模型 3.2.10 模型選擇 3.3 BJT和HBT汀管 3.3.1 小信號等效電路 3.3.2 等效電路中元件的確定 3.3.3 本征z形電路與T形電路拓撲之間的等效互換 3.3.4 非線性雙極器件模型 參考文獻 第4章 阻抗匹配 4.1 主要原理 4.2 Smith圓圖 4.3 集中參數(shù)的匹配 4.3.1 雙極UHF功率放大器 4.3.2 M0SFET VHF高功率放大器 4.4 使用傳輸線匹配 4.4.1 窄帶功率放大器設計 4.4.2 寬帶高功率放大器設計 4.5 傳輸線類型 4.5.1 同軸線 4.5.2 帶狀線 4.5.3 微帶線 4.5.4 槽線 4.5.5 共面波導 參考文獻 第5章 功率合成器、阻抗變換器和定向耦合器 5.1 基本特性 5.2 三口網(wǎng)絡 5.3 四口網(wǎng)絡 5.4 同軸電纜變換器和合成器 5.5 wilkinson功率分配器 5.6 微波混合橋 5.7 耦合線定向耦合器 參考文獻 第6章 功率放大器設計基礎 6.1 主要特性 6.2 增益和穩(wěn)定性 6.3 穩(wěn)定電路技術 6.3.1 BJT潛在不穩(wěn)定的頻域 6.3.2 MOSFET潛在不穩(wěn)定的頻域 6.3.3 一些穩(wěn)定電路的例子 6.4 線性度 6.5 基本的工作類別:A、AB、B和C類 6.6 直流偏置 6.7 推挽放大器 6.8 RF和微波功率放大器的實際外形 參考文獻 第7章 高效率功率放大器設計 7.1 B類過激勵 7.2 F類電路設計 7.3 逆F類 7.4 具有并聯(lián)電容的E類 7.5 具有并聯(lián)電路的E類 7.6 具有傳輸線的E類 7.7 寬帶E類電路設計 7.8 實際的高效率RF和微波功率放大器 參考文獻 第8章 寬帶功率放大器 8.1 Bode—Fan0準則 8.2 具有集中元件的匹配網(wǎng)絡 8.3 使用混合集中和分布元件的匹配網(wǎng)絡 8.4 具有傳輸線的匹配網(wǎng)絡 8.5 有耗匹配網(wǎng)絡 8.6 實際設計一瞥 參考文獻 第9章 通信系統(tǒng)中的功率放大器設計 9.1 Kahn包絡分離和恢復技術 9.2 包絡跟蹤 9.3 異相功率放大器 9.4 Doherty功率放大器方案 9.5 開關模式和雙途徑功率放大器 9.6 前饋線性化技術 9.7 預失真線性化技術 9.8 手持機應用的單片cMOS和HBT功率放大器 參考文獻
上傳時間: 2013-04-24
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–越來越高的效率及功率密度的要求–輸出電壓必須越來越低,輸出電流越來越高–可以支持預偏壓操作–快速的瞬態(tài)響應
上傳時間: 2013-06-15
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