射頻功率放大器在雷達(dá)、無線通信、導(dǎo)航、衛(wèi)星通訊、電子對(duì)抗設(shè)備等系統(tǒng)中有著廣泛的應(yīng)用，是現(xiàn)代無線通信的關(guān)鍵設(shè)備.與傳統(tǒng)的行被放大器相比，射頻固態(tài)功率放大器具有體積小、動(dòng)態(tài)范圍大、功耗低、壽命長(zhǎng)等一系列優(yōu)點(diǎn)；由于射頻功率放大器在軍事和個(gè)人通信系統(tǒng)中的地位非常重要，使得功率放大器的研制變得十分重要，因此對(duì)該課題的研究具有非常重要的意義.設(shè)計(jì)射頻集成功率放大器的常見工藝有GaAs，SiGe BiCMOS和CMOS等.GaAs工藝具有較好的射頻特性和輸出功率能力，但其價(jià)格昂貴，工藝一致性差；CMOS工藝的功率輸出能力不大，很難應(yīng)用于高輸出功率的場(chǎng)合；而SiGe BiCMOS工藝的性能介于GaAS和CMOS工藝之間，價(jià)格相對(duì)低廉并和CMOS電路兼容，非常適合于中功率應(yīng)用場(chǎng)合.本文介紹了應(yīng)用與無線局域網(wǎng)和Ka波段的射頻集成功率放大器的設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)，分別使用了CMOS，SiGe BiCMOS，GaAs三種工藝.（1）由SMIC 0.18um CMOS工藝實(shí)現(xiàn)的放大器工作頻率為2.4GHz，采用了兩級(jí)共源共柵電路結(jié)構(gòu)，在5V電源電壓下仿真結(jié)果為小信號(hào)增益22dB左右，1dB壓縮點(diǎn)處輸出功率為20dBm左右且功率附加教率PAE大于15%，最大飽和輸出功率大于24dBm且PAE大于20%，芯片面積為1.4mm*0.96mm；（2）由IBM SPAE 0.35um SiGe BiCMOS工藝實(shí)現(xiàn)的功率放大器工作頻率為5.25GHz，分為前置推動(dòng)級(jí)和末級(jí)功率級(jí)，電源電壓為3.3V，仿真結(jié)果為小信號(hào)增益28dB左右，1dB壓縮點(diǎn)處輸出功率大于26dBm，功率附加效率大于15%，最大飽和輸出功率為29.5dBm，芯片面積為1.56mm"1.2mm；（3）由WIN 0.15um GaAs工藝實(shí)現(xiàn)的功率放大器工作頻率為27-32GHz，使用了三級(jí)功率放大器結(jié)構(gòu)，在電源電壓為5V下仿真結(jié)果為1dB壓縮點(diǎn)的輸出功率Pras 26dBm，增益在20dB以上，最大飽和輸出功率為29.9dBm且PAE大于25%，芯片面積為2.76mm"1.15mm.論文按照電路設(shè)計(jì)、仿真、版圖設(shè)計(jì)、流片和芯片測(cè)試的順序詳細(xì)介紹了功率放大器芯片的設(shè)計(jì)過程，對(duì)三種工藝實(shí)現(xiàn)的功率放大器進(jìn)行了對(duì)比，并通過各自的仿真結(jié)果對(duì)出現(xiàn)的問題進(jìn)行了詳盡的分析。
上傳時(shí)間： 2022-06-20
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HLW8032 是一款高精度的電能計(jì)量 IC,它采用 CMOS 制造工藝，主要用于單相應(yīng)用。它能夠測(cè)量線電壓和電流，并能計(jì)算有功功率，視在功率和功率因素。 該器件內(nèi)部集成了兩個(gè)∑-Δ型 ADC 和一個(gè)高精度的電能計(jì)量?jī)?nèi)核。HLW8032 可以通過 UART口進(jìn)行數(shù)據(jù)通訊，HLW8032 采用 5V 供電，內(nèi)置 3.579M 晶振，8PIN 的 SOP 封裝。 HLW8032 具有精度高、功耗小、可靠性高、適用環(huán)境能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，適用于單相兩線制電力用戶的電能計(jì)量。
標(biāo)簽： 功率計(jì)量模塊 hlw8032
上傳時(shí)間： 2022-06-21
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本文在介紹了氮化嫁材料的基本結(jié)構(gòu)特征及物理化學(xué)特性之后，從氮化擦的外延結(jié)構(gòu)的屬性和氮化擦基高性能芯片設(shè)計(jì)兩個(gè)方面對(duì)氮化家材料和器件結(jié)構(gòu)展開了討論。其中材料屬性部分，介紹了透射電子顯微鏡的工作原理及其主要應(yīng)用范圍，然后根據(jù)實(shí)驗(yàn)分析了TEM圖片，包括GaN多量子阱，重點(diǎn)分析了V型缺陷和塊狀缺陷的高分辨圖形，分析了他們對(duì)材料屬性的影響。然后分析了多種氮化擦樣品的光致發(fā)光譜和電致發(fā)光譜，并解釋其光譜藍(lán)移和紅移現(xiàn)象。在屬性部分最后介紹了基于密度泛函理論和第一性原理的CASTEP程序及其在分析GaN材料屬性上的應(yīng)用。在芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)部分，本文提出了三種高效率LED芯片的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，分別是基于雙光子晶體的LED芯片，基于微球模型的LED芯片，基于激光剝離襯底的大功率LED芯片。涉及到光子晶體理論，蒙特卡羅理論及激光剝離理論，本文分別介紹和分析了各類理論基礎(chǔ)，并在此基礎(chǔ)上提出新的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，給出仿真分析結(jié)果。雙光子晶體可以提供較完善的反射層，出射層。微球LED可以利用大尺寸表面結(jié)構(gòu)來大大提高LED芯片的外量子效率。基于激光剝離襯底的大功率LED可以實(shí)現(xiàn)較好散熱效果和功率。
標(biāo)簽： led
上傳時(shí)間： 2022-06-25
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幾十年來在音頻領(lǐng)域中，A 類、B 類、AB 類音頻功率放大器一直占據(jù)“統(tǒng)治”地位，其發(fā)展經(jīng)歷了這樣幾個(gè)過程：所用器件從電子管、晶體管到集成電路過程；電路組成從單管到推挽過程；電路形成從變壓器輸出到OTL、OCL、BTL 形式過程。其基本類型是模擬音頻功率放大器，它的最大缺點(diǎn)是效率太低。全球音視頻領(lǐng)域數(shù)字化的浪潮以及人們對(duì)音視頻設(shè)備節(jié)能環(huán)保的要求，迫使人們盡快開發(fā)高效、節(jié)能、數(shù)字化的音頻功率放大器，它應(yīng)該具有工作效率高，便于與其他數(shù)字化設(shè)備相連接的特點(diǎn)。D 類音頻功率放大器是PWM 型功率放大器，它符合上述要求。近幾年來，國(guó)際上加緊了對(duì)D 類音頻功率放大器的研究與開發(fā)，并取得了一定的進(jìn)展，幾家著名的研究機(jī)構(gòu)及公司已經(jīng)試驗(yàn)性地向市場(chǎng)提供了D 類音頻功率放大器評(píng)估模塊及技術(shù)。這一技術(shù)一經(jīng)問世立即顯示出其高效、節(jié)能、數(shù)字化的顯著特點(diǎn)，引起了科研、教學(xué)、電子工業(yè)、商業(yè)界的特別關(guān)注，現(xiàn)在這一前沿的技術(shù)正迅猛發(fā)展，前景一片光明。
標(biāo)簽： 遙控?cái)?shù)字音量控制 功率放大器
上傳時(shí)間： 2022-07-28
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Pro／ENGINEER工程圖白金手冊(cè) 高清書簽版
上傳時(shí)間： 2013-07-10
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微波功率合成技術(shù)
上傳時(shí)間： 2013-04-15
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CPLD常用模塊與綜合系統(tǒng) 實(shí)例精講 高清書簽版
上傳時(shí)間： 2013-06-12
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CPLD技術(shù)及其應(yīng)用 高清書簽版
標(biāo)簽： CPLD
上傳時(shí)間： 2013-04-15
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