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高壓油泵

高精度數(shù)字跟蹤式壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)

設(shè)計(jì)了一種數(shù)字跟蹤式復(fù)合結(jié)構(gòu)的壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)電源。采用數(shù)字式自適應(yīng)信號(hào)源，驅(qū)動(dòng)高精度運(yùn)放OP07和高壓大電流運(yùn)放PA04組成復(fù)合式放大器，通過(guò)合理的相位補(bǔ)償、保護(hù)電路設(shè)計(jì)和散熱計(jì)算，實(shí)現(xiàn)高精度低漂移的壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)。

標(biāo)簽： 高精度數(shù)字跟蹤壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)

上傳時(shí)間： 2013-10-19

上傳用戶：aeiouetla
電傳動(dòng)車輛用高功率鋰離子電池性能分析研究

為研究功率型鋰離子電池性能，對(duì)某35 Ah功率型鋰離子電池單體進(jìn)行了充放電特性試驗(yàn)和分析，由此獲得功率型電池在不同溫度和不同倍率下的充放電特性、內(nèi)阻特性和溫升特性。研究結(jié)果表明，低溫下電池的充放電內(nèi)阻較大，充放電性能衰減顯著；常溫下電池的內(nèi)阻較小，充放電溫升較小，大電流充放電的容量穩(wěn)定性好，質(zhì)量比能量高，作為電傳動(dòng)車輛主要或輔助動(dòng)力源具有良好的應(yīng)用前景。

標(biāo)簽： 電傳性能分析高功率鋰離子電池

上傳時(shí)間： 2013-11-13

上傳用戶：清風(fēng)冷雨
高精度數(shù)控直流電流源的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

種高精度數(shù)控直流電流源的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

標(biāo)簽： 高精度數(shù)控直流電流源

上傳時(shí)間： 2013-10-12

上傳用戶：時(shí)代電子小智
一種高電源抑制比的CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源設(shè)計(jì)

介紹一種基于CSMC0.5 μm工藝的低溫漂高電源抑制比帶隙基準(zhǔn)電路。本文在原有Banba帶隙基準(zhǔn)電路的基礎(chǔ)上，通過(guò)采用共源共柵電流鏡結(jié)構(gòu)和引入負(fù)反饋環(huán)路的方法，大大提高了整體電路的電源抑制比。 Spectre仿真分析結(jié)果表明：在-40~100 ℃的溫度范圍內(nèi)，輸出電壓擺動(dòng)僅為1.7 mV，在低頻時(shí)達(dá)到100 dB以上的電源抑制比（PSRR），整個(gè)電路功耗僅僅只有30 μA。可以很好地應(yīng)用在低功耗高電源抑制比的LDO芯片設(shè)計(jì)中。

標(biāo)簽： CMOS 高電源抑制帶隙基準(zhǔn) 電壓源

上傳時(shí)間： 2013-10-27

上傳用戶：thesk123
降壓型同步控制器可采用低至2.2V的工作輸入電源

許多電信和計(jì)算應(yīng)用都需要一個(gè)能夠從非常低輸入電壓獲得工作電源的高效率降壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。高輸出功率同步控制器 LT3740 就是這些應(yīng)用的理想選擇，該器件能把 2.2V 至 22V 的輸入電源轉(zhuǎn)換為低至 0.8V 的輸出，並提供 2A 至 20A 的負(fù)載電流。其應(yīng)用包括分布式電源繫統(tǒng)、負(fù)載點(diǎn)調(diào)節(jié)和邏輯電源轉(zhuǎn)換。

標(biāo)簽： 2.2 降壓型同步控制器輸入

上傳時(shí)間： 2013-12-30

上傳用戶：arnold
四相升壓型轉(zhuǎn)換器提供348W功率而無(wú)需采用散熱器

在汽車、工業(yè)和電信行業(yè)的設(shè)計(jì)師當(dāng)中，使用高功率升壓型轉(zhuǎn)換器的現(xiàn)像正變得越來(lái)越普遍。當(dāng)需要 300W 或更高的功率時(shí)，必須在功率器件中實(shí)現(xiàn)高效率 (低功率損耗)，以免除增設(shè)龐大散熱器和采用強(qiáng)迫通風(fēng)冷卻的需要

標(biāo)簽： 348W 升壓型轉(zhuǎn)換器功率散熱器

上傳時(shí)間： 2014-12-01

上傳用戶：lhc9102
基于LabVIEW的高精度電流源設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

基于LabVIEW的高精度電流源設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

標(biāo)簽： LabVIEW 高精度電流源設(shè)計(jì)

上傳時(shí)間： 2013-11-11

上傳用戶：cuiyashuo
高電源抑制比帶隙基準(zhǔn)電路設(shè)計(jì)

介紹一種高電源抑制比帶隙基準(zhǔn)電路的設(shè)計(jì)與驗(yàn)證

標(biāo)簽： 高電源抑制帶隙基準(zhǔn) 電路設(shè)計(jì)

上傳時(shí)間： 2013-10-08

上傳用戶：642778338
一種高電源抑制比全工藝角低溫漂CMOS基準(zhǔn)電壓源

基于SMIC0.35 μm的CMOS工藝，設(shè)計(jì)了一種高電源抑制比，同時(shí)可在全工藝角下的得到低溫漂的帶隙基準(zhǔn)電路。首先采用一個(gè)具有高電源抑制比的基準(zhǔn)電壓，通過(guò)電壓放大器放大得到穩(wěn)定的電壓，以提供給帶隙核心電路作為供電電源，從而提高了電源抑制比。另外，將電路中的關(guān)鍵電阻設(shè)置為可調(diào)電阻，從而可以改變正溫度電壓的系數(shù)，以適應(yīng)不同工藝下負(fù)溫度系數(shù)的變化，最終得到在全工藝角下低溫漂的基準(zhǔn)電壓。Cadence virtuoso仿真表明：在27 ℃下，10 Hz時(shí)電源抑制比（PSRR）-109 dB，10 kHz時(shí)（PSRR）達(dá)到-64 dB；在4 V電源電壓下，在-40～80 ℃范圍內(nèi)的不同工藝角下，溫度系數(shù)均可達(dá)到5.6×10-6 V/℃以下。

標(biāo)簽： CMOS 高電源抑制工藝基準(zhǔn)電壓源

上傳時(shí)間： 2014-12-03

上傳用戶：88mao
DDR記憶體電源

CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時(shí)脈頻率、系統(tǒng)內(nèi)各閘極輸入電容及電源電壓有關(guān)，裝置尺寸縮小後，電源電壓也隨之降低，使得閘極大幅降低功耗。這種低電壓裝置擁有更低的功耗和更高的運(yùn)作速度，因此系統(tǒng)時(shí)脈頻率可升高至 Ghz 範(fàn)圍。

標(biāo)簽： DDR 記憶體電源

上傳時(shí)間： 2013-10-14

上傳用戶：immanuel2006