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高壓電容

  • NCC 電容壽命計算

    探討電容可以使用的壽命,以便cost down

    標簽: 電容元件

    上傳時間: 2015-06-28

    上傳用戶:任金霞2018

  • DDR記憶體電源

    CMOS 邏輯系統的功耗主要與時脈頻率、系統內各閘極輸入電容及電源電壓有關,裝置尺寸縮小後,電源電壓也隨之降低,使得閘極大幅降低功耗。這種低電壓裝置擁有更低的功耗和更高的運作速度,因此系統時脈頻率可升高至 Ghz 範圍。

    標簽: DDR 記憶體 電源

    上傳時間: 2013-10-14

    上傳用戶:immanuel2006

  • 折衷選擇輸入電容鏈波電流的線壓范圍

    透過增加輸入電容,可以在獲得更多鏈波電流的同時,還能藉由降低輸入電容的壓降來縮小電源的工作輸入電壓範圍。這會影響電源的變壓器圈數比以及各種電壓與電流應力(current stresscurrent stress current stresscurrent stress current stress current stress )。電容鏈波電流額定值越大,應力越小,電源效率也就越高。

    標簽: 輸入電容 電流

    上傳時間: 2013-11-11

    上傳用戶:jelenecheung

  • 面向小面積和大面積光電二極管的低躁聲放大器

    光電二極管可分為兩類:具高電容 (30pF 至 3000pF)的大面積光電二極管和具相對較低電容 (10pF 或更小)的較小面積光電二極管

    標簽: 光電二極管 低躁聲放大器

    上傳時間: 2013-11-21

    上傳用戶:firstbyte

  • VK3602K 2 KEYS 電容式觸摸按鍵 應用電路簡單 高抗干擾 雙邏輯控制輸出

    概述 VK3602K 是一款兩觸摸通道帶兩個邏輯控制輸出的電容式觸摸芯片。具有如下功能特點和優勢:   可通過觸摸實現各種邏輯功能控制。操作簡單、方便實用。   可在有介質(如玻璃、亞克力、塑料、陶瓷等)隔離保護的情況下實現觸摸功能,安全性高。   應用電壓范圍寬,可在2.4~5.5V之間任意選擇。   應用電路簡單,外圍器件少,加工方便,成本低。   抗電源干擾及手機干擾特性好。EFT可以達到±2KV以上;近距離、多角度手機干擾情況下,觸摸響應靈敏度及可靠性不受影響。   特性   LO1與LO2在上電后的初始輸出狀態由上電前OSC的輸入狀態決定。OSC管腳接VDD(高電平)上電,上電后LO1與LO2輸出高電平;OSC管腳接GND(低電平)上電,上電后LO1與LO2輸出低電平。   TI1觸摸輸入對應LO1邏輯輸出,TI2觸摸輸入對應LO2邏輯輸出。   按住TI1或TI2,對應LO1或LO2的輸出狀態翻轉;松開后回復初始狀態。

    標簽: 抗電源干擾及手機干擾特性好 可通過觸摸實現各種邏輯功能控制。操作簡單、方便實用。

    上傳時間: 2020-02-25

    上傳用戶:shubashushi66

  • 恒流LED驅動芯片 NU510 PWM調光雙色溫應用詳解

    臺灣數能NU510ES是 一款低壓線性恒流驅動芯片,高達30V耐壓,高精度恒流,低壓差,功率電流可外掛電阻任意調節電流至最大350mA,NU510恒流芯片主要應用場景如下:  一般 LED 照明 LCD 背光 商業照明 燈條、燈帶 RGB 裝飾燈 LED  手電筒 RGB  顯示器/指示燈/裝飾燈 LED車燈照明/轉向流星燈備註:雙色溫調光調色主要是通過改變 C1、C2 容量的大小,造成 VDD 的上電時間延時不同。多顆電容順序增大,就能產流量燈效果。       NU510提供SOT23-6封裝、SOP-8封裝兩種形式,用戶可以根據實際情況靈活選用,通常150mA 以下采用SOT23-6封裝,150-350mA采用SOP-8封裝。

    標簽: led 驅動芯片 nu510

    上傳時間: 2022-01-07

    上傳用戶:shjgzh

  • 超聲波電機之設計及分析

    1-1前言一般人所能夠感受到聲音的頻率約介於5H2-20KHz,超音波(Ultrasonic wave)即爲頻率超過20KHz以上的音波或機械振動,因此超音波馬達就是利用超音波的彈性振動頻率所構成的制動力。超音波馬達的內部主要是以壓電陶瓷材料作爲激發源,其成份是由鉛(Pb)、結(Zr)及鈦(Ti)的氧化物皓鈦酸鉛(Lead zirconate titanate,PZT)製成的。將歷電材料上下方各黏接彈性體,如銅或不銹鋼,並施以交流電壓於壓電陶瓷材料作爲驅動源,以激振彈性體,稱此結構爲定子(Stator),將其用彈簧與轉子Rotor)接觸,將所産生摩擦力來驅使轉子轉動,由於壓電材料的驅動能量很大,並足以抗衡轉子與定子間的正向力,雖然伸縮振幅大小僅有數徵米(um)的程度,但因每秒之伸縮達數十萬次,所以相較於同型的電磁式馬達的驅動能量要大的許多。超音波馬達的優點爲:1,轉子慣性小、響應時間短、速度範圍大。2,低轉速可產生高轉矩及高轉換效率。3,不受磁場作用的影響。4,構造簡單,體積大小可控制。5,不須經過齒輸作減速機構,故較爲安靜。實際應用上,超音波馬達具有不同於傳統電磁式馬達的特性,因此在不適合應用傳統馬達的場合,例如:間歇性運動的裝置、空間或形狀受到限制的場所;另外包括一些高磁場的場合,如核磁共振裝置、斷層掃描儀器等。所以未來在自動化設備、視聽音響、照相機及光學儀器等皆可應用超音波馬達來取代。

    標簽: 超聲波電機

    上傳時間: 2022-06-17

    上傳用戶:

  • 最新FPC生產流程介紹

    SMT(Surface mount technology)是可在“板面上”滿及焊牢棲多敷“表面黏裝零件的電子裝配技術.侵貼:1.可在板上雨成同特焊接,封裝密度提高50~70%.WW2.l短,提高博輸速度3.可使用更高刪敷.4.自勤化,快速,成本低.1.表面貼裝零件SOIC(small outline integrate circle)RESISTANCE(電阻)CAPACITANCE(電容)AMPLCC(plastic leaded chip carriers)CONNECT etc.(結器)封裝材料1.)陶瓷(BeO):精度高,密封度高(CTE:5~7PPM/℃)封板子熟膨服要求高2.)聚硫胺醚(Polyetherimide):一可用玻璃逛行封合的耐高溫熟塑性塑廖,機械,電子性能侵良AwIR各波皆敏感,易分解,生“酸泡”現象.3.)熔融矽砂(Fused silica),暖氧橫脂

    標簽: fpc

    上傳時間: 2022-07-27

    上傳用戶:zhaiyawei

  • 透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導性及輻射性EMI

    經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt,去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。

    標簽: MOSFET EMI 電壓電流 控制

    上傳時間: 2014-09-08

    上傳用戶:swing

  • 微電腦型單相交流集合式電表(單相二線系統)

    微電腦型單相交流集合式電表(單相二線系統) 特點: 精確度0.25%滿刻度±1位數 可同時量測與顯示交流電壓,電流,頻率,瓦特,(功率因數/視在功率) 交流電壓,電流,瓦特皆為真正有效值(TRMS) 交流電流,瓦特之小數點可任意設定 瓦特單位W或KW可任意設定 CT比可任意設定(1至999) 輸入與輸出絕緣耐壓 2仟伏特/1分鐘( 突波測試強度4仟伏特(1.2x50us) 數位RS-485界面 (Optional) 主要規格: 精確度: 0.1% F.S.±1 digit (Frequency) 0.25% F.S.±1 digit(ACA,ACV,Watt,VA) 0.25% F.S. ±0.25o(Power Factor) (-.300~+.300) 輸入負載: <0.2VA (Voltage) <0.2VA (Current) 最大過載能力: Current related input: 3 x rated continuous 10 x rated 30 sec. 25 x rated 3sec. 50 x rated 1sec. Voltage related input: maximum 2 x rated continuous 過載顯示: "doFL" 顯示值范圍: 0~600.0V(Voltage) 0~999.9Hz(Frequency)(<20% for voltage input) 0~19999 digit adjustable(Current,Watt,VA) 取樣時間: 2 cycles/sec. RS-485通訊位址: "01"-"FF" RS-485傳輸速度: 19200/9600/4800/2400 selective RS-485通信協議: Modbus RTU mode 溫度系數: 100ppm/℃ (0-50℃) 顯示幕: Red high efficiency LEDs high 10.16 mm(0.4") 參數設定方式: Touch switches 記憶型式: Non-volatile E²PROM memory 絕緣抗阻: >100Mohm with 500V DC 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 1600 Vdc (input/output) 突波測試: ANSI c37.90a/1974,DIN-IEC 255-4 impulse voltage 4KV(1.2x50us) 使用環境條件: 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE認證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001

    標簽: 微電腦 單相交流 單相 電表

    上傳時間: 2015-01-03

    上傳用戶:幾何公差

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