利用MOS場效應(yīng)管(MOSFET)，采取AB類推挽式功率放大方式，采用傳輸線變壓器寬帶匹配技術(shù)，設(shè)計(jì)出一種寬頻帶高功率射頻脈沖功率放大器模塊，其輸出脈沖功率達(dá)1200W，工作頻段0.6M~10MHz。調(diào)試及實(shí)用結(jié)果表明，該放大器工作穩(wěn)定，性能可靠
上傳時(shí)間： 2013-11-17
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摘要本設(shè)計(jì)以VCA822、MSP430F2012、DAC7611芯片為核心，加以其它輔助電路實(shí)現(xiàn)對寬帶電壓放大器的電壓放大倍數(shù)、輸出電壓進(jìn)行精確控制。放大器的電壓放大倍數(shù)從0.2倍到20倍以0.1倍為步進(jìn)設(shè)定，輸出電壓從6mv到600mv以1mv為步進(jìn)設(shè)定，控制誤差不大于5%，放大器的帶寬大于15MHz。鍵盤和顯示電路實(shí)現(xiàn)人機(jī)交互，完成對電壓放大倍數(shù)和輸出電壓的設(shè)定和顯示。關(guān)鍵詞：程控放大器；高精度；控制電壓；電壓變換；D/A；A/D。
上傳時(shí)間： 2013-11-16
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印刷電路板（PCB）設(shè)計(jì)解決方案市場和技術(shù)領(lǐng)軍企業(yè)Mentor Graphics（Mentor Graphics）宣布推出HyperLynx® PI（電源完整性）產(chǎn)品，滿足業(yè)內(nèi)高端設(shè)計(jì)者對于高性能電子產(chǎn)品的需求。HyperLynx PI產(chǎn)品不僅提供簡單易學(xué)、操作便捷，又精確的分析，讓團(tuán)隊(duì)成員能夠設(shè)計(jì)可行的電源供應(yīng)系統(tǒng)；同時(shí)縮短設(shè)計(jì)周期，減少原型生成、重復(fù)制造，也相應(yīng)降低產(chǎn)品成本。隨著當(dāng)今各種高性能/高密度/高腳數(shù)集成電路的出現(xiàn)，傳輸系統(tǒng)的設(shè)計(jì)越來越需要工程師與布局設(shè)計(jì)人員的緊密合作，以確保能夠透過眾多PCB電源與接地結(jié)構(gòu)，為IC提供純凈、充足的電力。配合先前推出的HyperLynx信號(hào)完整性（SI）分析和確認(rèn)產(chǎn)品組件，Mentor Graphics目前為用戶提供的高性能電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)堪稱業(yè)內(nèi)最全面最具實(shí)用性的解決方案?！拔覀儞碛蟹浅８叨说挠脩簦艿礁咝阅芗呻娐范嘀仉妷旱燃壓碗娫匆蟮尿?qū)使，需要在一個(gè)單一的PCB中設(shè)計(jì)30余套電力供應(yīng)結(jié)構(gòu)?！盡entor Graphics副總裁兼系統(tǒng)設(shè)計(jì)事業(yè)部總經(jīng)理Henry Potts表示?！吧鲜鼋Y(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)需要快速而準(zhǔn) 確的直流壓降(DC Power Drop)和電源雜訊(Power Noise)分析。擁有了精確的分析信息，電源與接地層結(jié)構(gòu)和解藕電容數(shù)(de-coupling capacitor number)以及位置都可以決定，得以避免過于保守的設(shè)計(jì)和高昂的產(chǎn)品成本?！?/p>
上傳時(shí)間： 2013-11-18
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PCB LAYOUT 術(shù)語解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數(shù)零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD：在銲錫面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER：單、雙層板之各層線路；多層板之上、下兩層線路及內(nèi)層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER：通常指多層板之電源層。8. INNER PAD：多層板之POSITIVE LAYER 內(nèi)層PAD。9. ANTI-PAD：多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範(fàn)圍，不與零件腳相接。10. THERMAL PAD：多層板內(nèi)NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時(shí)所使用之PAD，一般稱為散熱孔或?qū)住?1. PAD (銲墊)：除了SMD PAD 外，其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應(yīng)相同。12. Moat : 不同信號(hào)的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時(shí)的走線格點(diǎn)2. Test Point : ATE 測試點(diǎn)供工廠ICT 測試治具使用ICT 測試點(diǎn) LAYOUT 注意事項(xiàng):PCB 的每條TRACE 都要有一個(gè)作為測試用之TEST PAD(測試點(diǎn))，其原則如下：1. 一般測試點(diǎn)大小均為30-35mil，元件分布較密時(shí)，測試點(diǎn)最小可至30mil.測試點(diǎn)與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測試點(diǎn)與測試點(diǎn)間的間距最小為50-75mil，一般使用75mil。密度高時(shí)可使用50mil,3. 測試點(diǎn)必須均勻分佈於PCB 上，避免測試時(shí)造成板面受力不均。4. 多層板必須透過貫穿孔(VIA)將測試點(diǎn)留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測試點(diǎn)必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測率7. 測試點(diǎn)設(shè)置處:Setuppadsstacks
標(biāo)簽： layout design pcb 硬件工程師
上傳時(shí)間： 2013-10-22
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根據(jù)汽車發(fā)動(dòng)機(jī)控制芯片的工作環(huán)境，針對常見的溫度失效問題，提出了一種應(yīng)用在發(fā)動(dòng)機(jī)控制芯片中的帶隙基準(zhǔn)電壓源電路。該電路采用0.18 μm CMOS工藝，采用電流型帶隙基準(zhǔn)電壓源結(jié)構(gòu)，具有適應(yīng)低電源電壓、電源抑制比高的特點(diǎn)。同時(shí)還提出一種使用不同溫度系數(shù)的電阻進(jìn)行高階補(bǔ)償?shù)姆椒?，?shí)現(xiàn)了較寬溫度范圍內(nèi)的低溫度系數(shù)。仿真結(jié)果表明，該帶隙基準(zhǔn)電路在-50℃~+125℃的溫度范圍內(nèi)，實(shí)現(xiàn)平均輸出電壓誤差僅5.2 ppm/℃，可用于要求極端嚴(yán)格的發(fā)動(dòng)機(jī)溫度環(huán)境。該電路電源共模抑制比最大為99 dB，可以有效緩解由發(fā)動(dòng)機(jī)在不同工況下產(chǎn)生的電源紋波對輸出參考電壓的影響。
標(biāo)簽： 發(fā)動(dòng)機(jī) 溫差 基準(zhǔn)電壓源 環(huán)境
上傳時(shí)間： 2014-01-09
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設(shè)計(jì)了一種數(shù)字跟蹤式復(fù)合結(jié)構(gòu)的壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)電源。采用數(shù)字式自適應(yīng)信號(hào)源，驅(qū)動(dòng)高精度運(yùn)放OP07和高壓大電流運(yùn)放PA04組成復(fù)合式放大器，通過合理的相位補(bǔ)償、保護(hù)電路設(shè)計(jì)和散熱計(jì)算，實(shí)現(xiàn)高精度低漂移的壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)。
標(biāo)簽： 高精度 數(shù)字跟蹤 壓電陶瓷 驅(qū)動(dòng)
上傳時(shí)間： 2013-10-19
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為研究功率型鋰離子電池性能，對某35 Ah功率型鋰離子電池單體進(jìn)行了充放電特性試驗(yàn)和分析，由此獲得功率型電池在不同溫度和不同倍率下的充放電特性、內(nèi)阻特性和溫升特性。研究結(jié)果表明，低溫下電池的充放電內(nèi)阻較大，充放電性能衰減顯著；常溫下電池的內(nèi)阻較小，充放電溫升較小，大電流充放電的容量穩(wěn)定性好，質(zhì)量比能量高，作為電傳動(dòng)車輛主要或輔助動(dòng)力源具有良好的應(yīng)用前景。
上傳時(shí)間： 2013-11-13
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種高精度數(shù)控直流電流源的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
上傳時(shí)間： 2013-10-12
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LT3474 是一款支持多種電源的降壓型 1ALED 驅(qū)動(dòng)器，具有一個(gè) 4V 至 36V 的寬輸入電壓範(fàn)圍，並可通過編程以高達(dá) 88% 的效率來輸送 35mA 至1A 的 LED 電流
上傳時(shí)間： 2013-11-09
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介紹一種基于CSMC0.5 μm工藝的低溫漂高電源抑制比帶隙基準(zhǔn)電路。本文在原有Banba帶隙基準(zhǔn)電路的基礎(chǔ)上，通過采用共源共柵電流鏡結(jié)構(gòu)和引入負(fù)反饋環(huán)路的方法，大大提高了整體電路的電源抑制比。 Spectre仿真分析結(jié)果表明：在-40~100 ℃的溫度范圍內(nèi)，輸出電壓擺動(dòng)僅為1.7 mV，在低頻時(shí)達(dá)到100 dB以上的電源抑制比（PSRR），整個(gè)電路功耗僅僅只有30 μA?？梢院芎玫貞?yīng)用在低功耗高電源抑制比的LDO芯片設(shè)計(jì)中。
標(biāo)簽： CMOS 高電源抑制 帶隙基準(zhǔn) 電壓源
上傳時(shí)間： 2013-10-27
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