該文檔為IIR數(shù)字低通濾波器設(shè)計(jì)及DSP實(shí)現(xiàn)講解文檔，是一份很不錯(cuò)的參考資料，具有較高參考價(jià)值，感興趣的可以下載看看………………
標(biāo)簽： iir 數(shù)字濾波器 dsp
上傳時(shí)間： 2022-04-11
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該文檔為數(shù)字信號(hào)處理課程設(shè)計(jì)論文-基于MATLAB數(shù)字帶通濾波器的設(shè)計(jì)與仿真講解文檔，是一份很不錯(cuò)的參考資料，具有較高參考價(jià)值，感興趣的可以下載看看………………
標(biāo)簽： 數(shù)字信號(hào)處理
上傳時(shí)間： 2022-04-13
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基于TMS320F28335的開(kāi)關(guān)電源模塊并聯(lián)供電系統(tǒng)原理圖+軟件源碼一、系統(tǒng)方案本系統(tǒng)主要由DC-DC主回路模塊、信號(hào)采樣模塊、主控模塊、電源模塊組成，下面分別論證這幾個(gè)模塊的選擇。1.1 DC-DC主回路的論證與選擇方案一：采用推挽拓?fù)洹?nbsp; 推挽拓?fù)湟蚱渥儔浩鞴ぷ髟陔p端磁化情況下而適合應(yīng)用在低壓大電流的場(chǎng)合。但是，推挽電路中的高頻變壓器如果在繞制中兩臂不對(duì)稱(chēng)，就會(huì)使變壓器因磁通不平衡而飽和，從何導(dǎo)致開(kāi)關(guān)管燒毀；同時(shí)，由于電路中需要兩個(gè)開(kāi)關(guān)管，系統(tǒng)損耗將會(huì)很大。方案二：采用Boost升壓拓?fù)洹?nbsp; Boost電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、元件少，因此損耗較少，電路轉(zhuǎn)換效率高。但是，Boost電路只能實(shí)現(xiàn)升壓而不能降壓，而且輸入/輸出不隔離。方案三：采用單端反激拓?fù)洹?nbsp; 單端反激電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，適合應(yīng)用在大電壓小功率的場(chǎng)合。由于不需要儲(chǔ)能電感，輸出電阻大等原因，電路并聯(lián)使用時(shí)均流性較好。方案論證：上述方案中，方案一系統(tǒng)損耗大，方案二不能實(shí)現(xiàn)輸入輸出隔離，而方案三雖然對(duì)高頻變壓器設(shè)計(jì)要求較高，但系統(tǒng)要求兩個(gè)DCDC模塊并聯(lián)，并且對(duì)效率有一定要求。因此，選擇單端反激電路作為本系統(tǒng)的主回路拓?fù)洹?.2 控制方法及實(shí)現(xiàn)方案方案一：采用專(zhuān)用的開(kāi)關(guān)電源芯片及并聯(lián)開(kāi)關(guān)電源均流芯片。這種方案的優(yōu)點(diǎn)是技藝成熟，且均流的精度高，實(shí)現(xiàn)成本較低。但這種方案的缺點(diǎn)是控制系統(tǒng)的性能取決于外圍電路元件參數(shù)的選擇，如果參數(shù)選擇不當(dāng)，則輸出電壓難以維持穩(wěn)定。方案二：采用TI公司的DSP TMS320C28335作為主控，實(shí)現(xiàn)PWM輸出，并控制A/D對(duì)輸入輸出的電壓電流信號(hào)進(jìn)行采樣，從而進(jìn)行可靠的閉環(huán)控制。與模擬控制方法相比，數(shù)字控制方法靈活性高、可靠性好、抗干擾能力強(qiáng)。但DSP成本不低，而且功耗較大，對(duì)系統(tǒng)的效率有一定影響。方案論證：上述方案中，考慮到題目要求的電流比例可調(diào)的指標(biāo)，方案一較難實(shí)現(xiàn)，并且方案二開(kāi)發(fā)簡(jiǎn)單，可以縮短開(kāi)發(fā)周期。所以，選擇方案二來(lái)實(shí)現(xiàn)本系統(tǒng)要求。
標(biāo)簽： tms320f28335 開(kāi)關(guān)電源
上傳時(shí)間： 2022-05-06
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該文檔為T(mén)I DSP JTAG參考設(shè)計(jì)總結(jié)文檔，是一份很不錯(cuò)的參考資料，具有較高參考價(jià)值，感興趣的可以下載看看………………
標(biāo)簽： ti
上傳時(shí)間： 2022-05-07
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ADS1256 是TI（Texas I nstruments ）公司推出的一款低噪聲高分辨率的24 位Si gma - Delta（"- #）模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）。"- #ADC 與傳統(tǒng)的逐次逼近型和積分型ADC 相比有轉(zhuǎn)換誤差小而價(jià)格低廉的優(yōu)點(diǎn)，但由于受帶寬和有效采樣率的限制，"- #ADC 不適用于高頻數(shù)據(jù)采集的場(chǎng)合。該款A(yù)DS1256 可適合于采集最高頻率只有幾千赫茲的模擬數(shù)據(jù)的系統(tǒng)中，數(shù)據(jù)輸出速率最高可為30K 采樣點(diǎn)／秒（SPS），有完善的自校正和系統(tǒng)校正系統(tǒng)， SPI 串行數(shù)據(jù)傳輸接口。本文結(jié)合筆者自己的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)，對(duì)該ADC 的基本原理以及應(yīng)用做簡(jiǎn)要介紹。ADs1256 的總體電氣特性下面介紹在使用ADs1256 的過(guò)程中要注意的一些電氣方面的具體參數(shù)：模擬電源（AVDD ）輸入范圍+ 4 . 75V !+ 5 .25V，使用的典型值為+ 5 .00V；數(shù)字電源（DVDD ）輸入范圍+ 1 . 8V !+ 3 .6V，使用的典型值+ 3 .3V；參考電壓值（VREF= VREFP- VREFN）的范圍+ 0 .5V!+ 2 .6V，使用的典型值為+ 2 .5V；耗散功率最大為57mW；每個(gè)模擬輸入端（AI N0 !7 和AI NC M）相對(duì)于模擬地（AGND）的絕對(duì)電壓值范圍在輸入緩沖器（BUFFER）關(guān)閉的時(shí)候?yàn)锳GND-0 .1 !AVDD+ 0 . 1 ，在輸入緩沖器打開(kāi)的時(shí)候?yàn)锳GND !AVDD-2 .0 ；滿(mǎn)刻度差分模擬輸入電壓值（VI N = AI NP -AI NN）為+ ／-（2VREF／PGA）；數(shù)字輸入邏輯高電平范圍0 .8DVDD!5 .25V（除D0 !D3 的輸入點(diǎn)平不可超過(guò)DVDD 外），邏輯低點(diǎn)平范圍DGND!0 .2DVDD；數(shù)字輸出邏輯高電平下限為0 .8DVDD，邏輯低電平上限為0 .2DVDD，輸出電流典型值為5mA；主時(shí)鐘頻率由外部晶體振蕩器提供給XTAL1和XTAL2 時(shí)，要求范圍為2 M!10 MHz ，僅由CLKI N 輸入提供時(shí)，范圍為0 .1 M!10 MHz 。
上傳時(shí)間： 2022-06-10
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基于TI的充電器1、最大10A充電電流；2、具備電源切換功能，當(dāng)DC接入時(shí)給電池充電，同時(shí)為系統(tǒng)供電；當(dāng)DC拔出時(shí)，自動(dòng)切換至電池供電；3、具備充放電溫度保護(hù)功能，使用NTC熱敏電阻；4、板載STM32F030 MCU可控制整個(gè)電源的開(kāi)啟和關(guān)閉；5、板載INA170高端電流采集芯片可以采集電池充電電流及電池放電電流；6、具備UART接口（TTL和RS232均支持），可與設(shè)備通信上傳電池狀態(tài)及工作電流；
標(biāo)簽： 鋰電池充電器
上傳時(shí)間： 2022-07-01
上傳用戶(hù)：fliang
移相全橋軟開(kāi)關(guān)PWM變換器是直流電源實(shí)現(xiàn)高頻化的理想拓?fù)渲唬绕湓谥写蠊β蕡?chǎng)合應(yīng)用十分廣泛。實(shí)現(xiàn)全橋變換器移相PWM控制的傳統(tǒng)方法是通過(guò)采用專(zhuān)用集成控制芯片（UC3875、UCC3895等）來(lái)調(diào)節(jié)變換器前后臂間的導(dǎo)通相位差，以實(shí)現(xiàn)PWM模擬控制四。相對(duì)于模擬控制，數(shù)字控制由于具有集成度高、控制靈活、設(shè)計(jì)延續(xù)性好、易于實(shí)現(xiàn)通訊等優(yōu)點(diǎn)而在電力電子領(lǐng)域得到應(yīng)用。近年來(lái)，隨著數(shù)字信號(hào)處理技術(shù)日趨成熟，各種微控制器性?xún)r(jià)比的不斷提高，采用數(shù)字控制已成為中大功率開(kāi)關(guān)電源的發(fā)展趨勢(shì)問(wèn)。本文采用一種在變壓器原邊增加一個(gè)諧振電感和兩個(gè)鉗位二極管的全橋變換器作為主電路，利用TI公司最新一款專(zhuān)注于電源數(shù)字控制的DSP微控制器對(duì)其進(jìn)行峰值電流模式數(shù)字移相控制，完成了一臺(tái)1.2kW（120V/10A）的樣機(jī)。
標(biāo)簽： tms320f28027 dc/dc變換器
上傳時(shí)間： 2022-07-17
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昆侖通態(tài)觸摸屏編程軟件操作方便，硬件接口豐富，外觀美觀，可靠性高，產(chǎn)品豐富，控件豐富編程方便，具備9大優(yōu)點(diǎn)1、寬屏高清65535色分辨率1024*768。2、超強(qiáng)CPU,cortex_A8架構(gòu)1G主頻。3、全新鑄鋁外殼金屬質(zhì)感經(jīng)久耐用。4、超大容量4G存儲(chǔ)容納海量數(shù)據(jù)構(gòu)建云存儲(chǔ)平臺(tái)。5、高速傳輸100M以太網(wǎng)組建多層級(jí)網(wǎng)絡(luò)高速傳輸大數(shù)據(jù)。6、接口豐富RS232/485/LAN/USB等多種接口。7、MPI直連。8、通過(guò)了多種認(rèn)證。9、安裝靈活。
標(biāo)簽： 工業(yè)控制
上傳時(shí)間： 2022-07-19
上傳用戶(hù)：shjgzh
ISO120X與220X隔離芯片資料替代ADI, TI, Sillicon LabISO12XX ,ISO2XX 隔離芯片兼容國(guó)外芯片，有ＵＬ證書(shū) 差異是ISO12XX 是高性能，速度快，延時(shí)低，ISO22XX 是低功耗。主要是替換： 隔離電壓 AC 3000V及以下 ，2路 ，SOIC-8 封裝 ，pin to pin 兼容ADI ：AUDM12XX ,ADUM32xx ,ADUM52XX ,ADUM72XXTI ：ISO722X ,ISO742X, ISO782X ,ISO752XSillicon Lab : SI862X ISO1201H, ISO1201L, ISO1200H, ISO1200L 是高速 2 通道數(shù)字隔離器。采用標(biāo)準(zhǔn) CMOS 工藝，集成高性能的隔離技術(shù)。使用 SiO2隔離達(dá)到高強(qiáng)度的電磁隔離要求。最大信號(hào)傳輸速率可達(dá) 50MHz, 脈寬失真小。隔離電壓達(dá)到 3kvrms，采用 SOP-8L 封裝形式。該器件可以承受高的隔離電壓，并且滿(mǎn)足常規(guī)的測(cè)試規(guī)范（UL 標(biāo)準(zhǔn)）。 ISO2201L，ISO2200L 是超低功耗 2 通道數(shù)字隔離器。采用標(biāo)準(zhǔn) CMOS 工藝，集成高性能的隔離技術(shù)。使用 SiO2隔離達(dá)到高強(qiáng)度的電磁隔離要求。最大信號(hào)傳輸速率可達(dá)10MHz,脈寬失真小。隔離電壓達(dá)到 3kVrms，采用SOP-8L 封裝形式。該器件可以承受高的隔離電壓，并且滿(mǎn)足常規(guī)的測(cè)試規(guī)范（UL，VDE 標(biāo)準(zhǔn)）。
上傳時(shí)間： 2022-07-23
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21天學(xué)通C++,C++速成，比其他經(jīng)典書(shū)籍入門(mén)快。通過(guò)閱讀本書(shū)，讀者可快速掌握C++的基本知識(shí)并學(xué)習(xí)其中更高級(jí)的功 能和概念。本書(shū)根據(jù)C++14標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行了全面修訂，展望了C++17，并從 實(shí)用的角度詮釋C++語(yǔ)言，幫助讀者學(xué)習(xí)如何使用它創(chuàng)建速度更快、更簡(jiǎn) 潔、更高效的C++應(yīng)用程序。
標(biāo)簽： C++
上傳時(shí)間： 2022-07-28
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