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高通平臺

  • 電傳動車輛用高功率鋰離子電池性能分析研究

    為研究功率型鋰離子電池性能,對某35 Ah功率型鋰離子電池單體進行了充放電特性試驗和分析,由此獲得功率型電池在不同溫度和不同倍率下的充放電特性、內阻特性和溫升特性。研究結果表明,低溫下電池的充放電內阻較大,充放電性能衰減顯著;常溫下電池的內阻較小,充放電溫升較小,大電流充放電的容量穩定性好,質量比能量高,作為電傳動車輛主要或輔助動力源具有良好的應用前景。

    標簽: 電傳 性能分析 高功率 鋰離子電池

    上傳時間: 2013-11-13

    上傳用戶:清風冷雨

  • 基于STM32的晶閘管三相調壓電路的設計

    SCR三相調壓觸發電路已有不少設計與應用,文中提出了一種簡化的基于STM32的調壓觸發電路設計方案,并完成了系統的軟硬件設計。該設計主要采用了光電隔離并利用三相電源自身的相間換流特性,只用三組觸發信號就可以達到控制六只晶閘管導通角的作用。軟件部分采用了STM32芯片多個高性能定時器及周邊AD接口,完成了高精度觸發信號發生、PID控制調壓等功能。通過實驗表明該系統簡便可靠,達到了設計要求。

    標簽: STM 32 晶閘管 三相調壓電路

    上傳時間: 2013-10-21

    上傳用戶:wfymay

  • 高精度數控直流電流源的設計與實現

    種高精度數控直流電流源的設計與實現

    標簽: 高精度 數控直流 電流源

    上傳時間: 2013-10-12

    上傳用戶:時代電子小智

  • 磁環電感及飽和磁通計算

    對磁環電感及其飽和磁通進行計算。

    標簽: 磁環電感 磁通計算

    上傳時間: 2013-10-13

    上傳用戶:wangw7689

  • 大功率全橋串聯諧振充電電源理論設計

    為了對電容重復頻率且高能量轉換效率地充電,開展了全橋串聯諧振充電電源的理論設計。通過數值解析的方法獲得諧振電感、電容、功率器件耐壓與通流、電源功率、脈沖變壓器伏秒數等參數,通過數值模擬的方法獲得脈沖變壓器勵磁電感參數,以基于Pspice的全電路仿真驗證設計參數的合理性。仿真結果表明為了實現對110 nF電容1 kHz重頻充電,在初級電壓為1.2 kV和諧振參數為33 kHz時,諧振電感、電容應分別為625 nH,37 μF,脈沖變壓器伏秒數、勵磁電感至少分別應為45 mVs、1 mH,功率器件峰值電流約300 A。

    標簽: 大功率 全橋 串聯諧振 充電電源

    上傳時間: 2013-11-08

    上傳用戶:angle

  • 一種高電源抑制比的CMOS帶隙基準電壓源設計

    介紹一種基于CSMC0.5 μm工藝的低溫漂高電源抑制比帶隙基準電路。本文在原有Banba帶隙基準電路的基礎上,通過采用共源共柵電流鏡結構和引入負反饋環路的方法,大大提高了整體電路的電源抑制比。 Spectre仿真分析結果表明:在-40~100 ℃的溫度范圍內,輸出電壓擺動僅為1.7 mV,在低頻時達到100 dB以上的電源抑制比(PSRR),整個電路功耗僅僅只有30 μA??梢院芎玫貞迷诘凸母唠娫匆种票鹊腖DO芯片設計中。

    標簽: CMOS 高電源抑制 帶隙基準 電壓源

    上傳時間: 2013-10-27

    上傳用戶:thesk123

  • 高電壓降壓型轉換器驅動高功率LED

    凌力爾特公司提供了一個規模龐大且不斷成長的高電壓 DC/DC 轉換器繫列,這些器件是專為驅動高功率 LED 而設計的。

    標簽: LED 高電壓 降壓型轉換器 驅動高功率

    上傳時間: 2013-11-12

    上傳用戶:playboys0

  • 四相升壓型轉換器提供348W功率而無需采用散熱器

    在汽車、工業和電信行業的設計師當中,使用高功率升壓型轉換器的現像正變得越來越普遍。當需要 300W 或更高的功率時,必須在功率器件中實現高效率 (低功率損耗),以免除增設龐大散熱器和采用強迫通風冷卻的需要

    標簽: 348W 升壓型轉換器 功率 散熱器

    上傳時間: 2014-12-01

    上傳用戶:lhc9102

  • DN505 - 雙通道控制器可為1.5V電壓軌提供2us階躍響應和92%效率

    LTC®3838 是一款雙輸出、兩相降壓型控制器,其采用一種受控恒定導通時間、谷值電流模式架構,可提供快速負載階躍響應、高開關頻率和低占空比能力。開關頻率范圍為 200kHz 至 2MHz,其鎖相環可在穩態操作期間保持固定頻率,并可同步至一個外部時鐘

    標簽: 505 1.5 2us 92%

    上傳時間: 2013-11-09

    上傳用戶:uuuuuuu

  • N+緩沖層對PT-IGBT通態壓降影響的研究

     N+緩沖層設計對PT-IGBT器件特性的影響至關重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進行仿真。提取相同電流密度下,不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態壓降,得到了通態壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線,該仿真結果與理論分析一致。對于PT-IGBT結構,N+緩沖層濃度及厚度存在最優值,只要合理的選取可以有效地降低通態壓降。

    標簽: PT-IGBT 緩沖層

    上傳時間: 2013-11-12

    上傳用戶:thesk123

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