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高頻<b>功率</b>放大器

功率放大器原理及電路圖講解

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標簽： 功率放大器

上傳時間： 2022-02-14

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功率放大器的基本結構和工作原理

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標簽： 功率放大器

上傳時間： 2022-02-18

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簡易音頻功率放大器

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標簽： 音頻功率放大器

上傳時間： 2022-02-20

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功率放大器原理及電路圖

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標簽： 功率放大器

上傳時間： 2022-03-20

上傳用戶：得之我幸78
抗干擾/抗噪/高穩定性LCD屏顯示驅動，抗干擾LCD驅動段碼屏芯片：VK2C21A/B/C/D

產品型號：VK2C21A/B/C/D 產品品牌：VINKA/永嘉微/永嘉微電封裝形式：SOP28/24/20/16 裸片:DICE（邦定COB）/COG（邦定玻璃用）產品年份：新年份聯系人：許碩原廠直銷，工程服務，技術支持，價格最具優勢！QT374 VK2C21A/B/C/D概述： VK2C21是一個點陣式存儲映射的LCD驅動器，可支持最大80點（20SEGx4COM）或者最大128點（16SEGx8COM）的LCD屏。單片機可通過I2C接口配置顯示參數和讀寫顯示數據，也可通過指令進入省電模式。其高抗干擾，低功耗的特性適用于水電氣表以及工控儀表類產品。特點： ★ 工作電壓 2.4-5.5V ★ 內置32 kHz RC振蕩器 ★ 偏置電壓（BIAS）可配置為1/3、1/4 ★ COM周期（DUTY）可配置為1/4、1/8 ★ 內置顯示RAM為20x4位、16x8位 ★ 幀頻可配置為80Hz、160Hz ★ 省電模式（通過關顯示和關振蕩器進入）

標簽： LCD VK2C 抗干擾 21 高穩定顯示驅動驅動芯片

上傳時間： 2022-04-08

上傳用戶：2937735731
高級音響電路設計

摘要本文以音響放大系統為研究對象，以電子技術基本理論為基礎，結合當前模擬電子應用技術，對音響放大系統進行了分析和研究，針對現代人群對功放效率的要求和特征，設計出該音響放大系統。音響的音質是音響最重要的環節，由于我國在高級音響的設計上起步較晚，對新技術的開發與應用遠遠落后于國外的發大國家，從放大電路的設計，揚聲器的設計，對音像的還原，降低信噪比，低音的厚重感等等都遠遠超出我國自主產品，但是我國的音響企業已認識到技術的不足，正在加大研發的投入，培養技術人才，努力學習和趕超國外的先進技術。本文對現代高級音響設計的工藝有初步的了解，研究高級音響設計的電路組成，能夠理解電路圖的原理，對新技術、新知識進行研究學習，并將所學用于實踐在現代音有普及中，人們因生活層次、文化習俗、音樂修養、欣賞口味的不同，令對相通電氣指標的音響設備得出不同的評價。所以，就高保真度功放而言，應該達到電氣指標與實際聽音指標的平衡與統一。隨者技術的發展，人民生活水平的提高，人們對音頻技術的功放的效率要求隨之提高。模擬的功率放大器經過了幾十年的發展，在這方面的技術已經相當成熟。正因為這樣，數字功放應運而生。近年來，利用脈寬調劑原理設計的D類功放也進入了音響領域".國外半導體一直專注于研發高性能的放大器與比較器，目前已成功推出一系列型號齊全的運算放大器，其中包含基本的芯片以及特殊應用標準產品（ASSP），以滿足市場上對高精度、高速度、低電壓及低功率放大器的需求。另外國外在數字音頻功率放大器領城進行了二三十年的研究，六十年代中期，日本研制出8bit數字音頻功率發大器。1893年，M.B.Sandler等學者提出D類數字PCM功率發大器的基本結構。主要是圍繞如何將PCM信號轉化為PWM信號。把信號的幅度信號用不同的脈沖寬度來表示。此后，研究的焦點是降低其時鐘頻率，提高音質。隨若數字信號處理（DSP）技術和新型功率器件及應用的發展，開始實用化的16位數字音額功放成為可能。

標簽： 音響電路

上傳時間： 2022-06-18

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射頻功率放大器集成電路研究

射頻功率放大器在雷達、無線通信、導航、衛星通訊、電子對抗設備等系統中有著廣泛的應用，是現代無線通信的關鍵設備.與傳統的行被放大器相比，射頻固態功率放大器具有體積小、動態范圍大、功耗低、壽命長等一系列優點；由于射頻功率放大器在軍事和個人通信系統中的地位非常重要，使得功率放大器的研制變得十分重要，因此對該課題的研究具有非常重要的意義.設計射頻集成功率放大器的常見工藝有GaAs，SiGe BiCMOS和CMOS等.GaAs工藝具有較好的射頻特性和輸出功率能力，但其價格昂貴，工藝一致性差；CMOS工藝的功率輸出能力不大，很難應用于高輸出功率的場合；而SiGe BiCMOS工藝的性能介于GaAS和CMOS工藝之間，價格相對低廉并和CMOS電路兼容，非常適合于中功率應用場合.本文介紹了應用與無線局域網和Ka波段的射頻集成功率放大器的設計和實現，分別使用了CMOS，SiGe BiCMOS，GaAs三種工藝.（1）由SMIC 0.18um CMOS工藝實現的放大器工作頻率為2.4GHz，采用了兩級共源共柵電路結構，在5V電源電壓下仿真結果為小信號增益22dB左右，1dB壓縮點處輸出功率為20dBm左右且功率附加教率PAE大于15%，最大飽和輸出功率大于24dBm且PAE大于20%，芯片面積為1.4mm*0.96mm；（2）由IBM SPAE 0.35um SiGe BiCMOS工藝實現的功率放大器工作頻率為5.25GHz，分為前置推動級和末級功率級，電源電壓為3.3V，仿真結果為小信號增益28dB左右，1dB壓縮點處輸出功率大于26dBm，功率附加效率大于15%，最大飽和輸出功率為29.5dBm，芯片面積為1.56mm"1.2mm；（3）由WIN 0.15um GaAs工藝實現的功率放大器工作頻率為27-32GHz，使用了三級功率放大器結構，在電源電壓為5V下仿真結果為1dB壓縮點的輸出功率Pras 26dBm，增益在20dB以上，最大飽和輸出功率為29.9dBm且PAE大于25%，芯片面積為2.76mm"1.15mm.論文按照電路設計、仿真、版圖設計、流片和芯片測試的順序詳細介紹了功率放大器芯片的設計過程，對三種工藝實現的功率放大器進行了對比，并通過各自的仿真結果對出現的問題進行了詳盡的分析。

標簽： 射頻功率放大器集成電路

上傳時間： 2022-06-20

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高功率激光加工及其應用

高功率激光加工及其應用

標簽： 高功率激光加工

上傳時間： 2013-04-15

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高功率連續CO2激光器

高功率連續CO2激光器

標簽： CO2 高功率激光器

上傳時間： 2013-06-21

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21世紀大學新型參考教材系列集成電路B 荒井

21世紀大學新型參考教材系列集成電路B 荒井

標簽： 大學教材集成電路

上傳時間： 2013-04-15

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