介紹一種基于CSMC0.5 μm工藝的低溫漂高電源抑制比帶隙基準電路。本文在原有Banba帶隙基準電路的基礎(chǔ)上，通過采用共源共柵電流鏡結(jié)構(gòu)和引入負反饋環(huán)路的方法，大大提高了整體電路的電源抑制比。 Spectre仿真分析結(jié)果表明：在-40~100 ℃的溫度范圍內(nèi)，輸出電壓擺動僅為1.7 mV，在低頻時達到100 dB以上的電源抑制比（PSRR），整個電路功耗僅僅只有30 μA。可以很好地應(yīng)用在低功耗高電源抑制比的LDO芯片設(shè)計中。
標簽： CMOS 高電源抑制 帶隙基準 電壓源
上傳時間： 2013-10-27
上傳用戶：thesk123
凌力爾特公司提供了一個規(guī)模龐大且不斷成長的高電壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器繫列，這些器件是專為驅(qū)動高功率 LED 而設(shè)計的。
標簽： LED 高電壓 降壓型轉(zhuǎn)換器 驅(qū)動高功率
上傳時間： 2013-11-12
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許多電信和計算應(yīng)用都需要一個能夠從非常低輸入電壓獲得工作電源的高效率降壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。高輸出功率同步控制器 LT3740 就是這些應(yīng)用的理想選擇，該器件能把 2.2V 至 22V 的輸入電源轉(zhuǎn)換為低至 0.8V 的輸出，並提供 2A 至 20A 的負載電流。其應(yīng)用包括分布式電源繫統(tǒng)、負載點調(diào)節(jié)和邏輯電源轉(zhuǎn)換。
標簽： 2.2 降壓型 同步控制器 輸入
上傳時間： 2013-12-30
上傳用戶：arnold
在汽車、工業(yè)和電信行業(yè)的設(shè)計師當中，使用高功率升壓型轉(zhuǎn)換器的現(xiàn)像正變得越來越普遍。當需要 300W 或更高的功率時，必須在功率器件中實現(xiàn)高效率 (低功率損耗)，以免除增設(shè)龐大散熱器和采用強迫通風冷卻的需要
標簽： 348W 升壓型轉(zhuǎn)換器 功率 散熱器
上傳時間： 2014-12-01
上傳用戶：lhc9102
基于LabVIEW的高精度電流源設(shè)計與實現(xiàn)
標簽： LabVIEW 高精度 電流源設(shè)計
上傳時間： 2013-11-11
上傳用戶：cuiyashuo
介紹一種高電源抑制比帶隙基準電路的設(shè)計與驗證
標簽： 高電源抑制 帶隙基準 電路設(shè)計
上傳時間： 2013-10-08
上傳用戶：642778338
基于SMIC0.35 μm的CMOS工藝，設(shè)計了一種高電源抑制比，同時可在全工藝角下的得到低溫漂的帶隙基準電路。首先采用一個具有高電源抑制比的基準電壓，通過電壓放大器放大得到穩(wěn)定的電壓，以提供給帶隙核心電路作為供電電源，從而提高了電源抑制比。另外，將電路中的關(guān)鍵電阻設(shè)置為可調(diào)電阻，從而可以改變正溫度電壓的系數(shù)，以適應(yīng)不同工藝下負溫度系數(shù)的變化，最終得到在全工藝角下低溫漂的基準電壓。Cadence virtuoso仿真表明：在27 ℃下，10 Hz時電源抑制比（PSRR）-109 dB，10 kHz時（PSRR）達到-64 dB；在4 V電源電壓下，在-40～80 ℃范圍內(nèi)的不同工藝角下，溫度系數(shù)均可達到5.6×10-6 V/℃以下。
標簽： CMOS 高電源抑制 工藝 基準電壓源
上傳時間： 2014-12-03
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CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時脈頻率、系統(tǒng)內(nèi)各閘極輸入電容及電源電壓有關(guān)，裝置尺寸縮小後，電源電壓也隨之降低，使得閘極大幅降低功耗。這種低電壓裝置擁有更低的功耗和更高的運作速度，因此系統(tǒng)時脈頻率可升高至 Ghz 範圍。
標簽： DDR 記憶體 電源
上傳時間： 2013-10-14
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TI33072高轉(zhuǎn)換率單電源運算放大器
標簽： 33072 TI tl 轉(zhuǎn)換
上傳時間： 2014-11-30
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高精度數(shù)控電源制作
標簽： 高精度 數(shù)控 電源制作
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