1.7.1 圖的鄰接矩陣存儲表示 311 范例1-102 圖的鄰接矩陣存儲表示 ∷相關函數：CreateFAG函數 CreateDG函數 1.7.2 圖的鄰接表存儲表示 324 范例1-103 圖的鄰接表存儲表示 324 ∷相關函數：CreateFAG函數 1.7.3 有向圖的十字鏈表存儲表示 335 范例1-104 有向圖的十字鏈表存儲表示 335 ∷相關函數：CreateDG函數 1.7.4 無向圖的鄰接多重表存儲表示 344 范例1-105 無向圖的鄰接多重表存儲表示 344 ∷相關函數：CreateGraph函數 1.7.5 最小生成樹 355 范例1-106 最小生成樹 355 ∷相關函數：MiniSpanTree_PRIM函數 1.7.6 關節點和重連通分量 359 范例1-107 關節點和重連通分量 359 ∷相關函數：FindArticul函數 1.7.7 拓撲排序 366 范例1-108 拓撲排序 366 ∷相關函數：TopologicalSort函數 1.7.8 關鍵路徑 374 范例1-109 關鍵路徑 374 ∷相關函數：CriticalPath函數 1.7.9 最短路徑 383 范例1-110 最短路徑 383 ∷相關函數：ShortestPath_DIJ函數 1.7.10 每一對頂點之間的最短路徑 387 范例1-111 每一對頂點之間的最短路徑 387 ∷相關函數：ShortestPath_FLOYD函數
上傳時間： 2017-04-16
上傳用戶：曹云鵬
本代碼為編碼開關代碼，編碼開關也就是數字音響中的 360度旋轉的數字音量以及顯示器上用的（單鍵飛梭開 關）等類似鼠標滾輪的手動計數輸入設備。 我使用的編碼開關為5個引腳的，其中2個引腳為按下 轉輪開關（也就相當于鼠標中鍵）。另外3個引腳用來 檢測旋轉方向以及旋轉步數的檢測端。引腳分別為a,b,c b接地a，c分別接到P2.0和P2.1口并分別接兩個10K上拉 電阻，并且a，c需要分別對地接一個104的電容，否則 因為編碼開關的觸點抖動會引起輕微誤動作。本程序不 使用定時器，不占用中斷，不使用延時代碼，并對每個 細分步數進行判斷，避免一切誤動作，性能超級穩定。 我使用的編碼器是APLS的EC11B可以參照附件的時序圖 編碼器控制流水燈最能說明問題，下面是以一段流水 燈來演示。
上傳時間： 2017-07-03
上傳用戶：gaojiao1999
如題目：一下是第一章目錄 第一章 硬件接口 1.1 3D應用程序與硬件的交互作用 1.1.1 在計算機屏幕上顯示圖像 1.1.2 事件反應 1.2 使用不同的體系結構 1.2.1 MS-DOS. 1.2.2 MS-Windows. 1.2.3 X11. 1.2.4 NeXTStep. 1.2.5 MacOS.
上傳時間： 2013-12-03
上傳用戶：zhangliming420
DS18B20_two_thermo This program will NOT work on BASCOM earlier than 1.11.6.2, cause of the CRC-function and (maybe ?) its not possible to declare functions in earlier environment. But the 1w-functions work from 1.11.4 , I think
標簽： two_thermo CRC-fun program earlier
上傳時間： 2017-07-29
上傳用戶：wcl168881111111
實驗源代碼 //Warshall.cpp #include<stdio.h> void warshall(int k,int n) { int i , j, t; int temp[20][20]; for(int a=0;a<k;a++) { printf("請輸入矩陣第%d 行元素:",a); for(int b=0;b<n;b++) { scanf ("%d",&temp[a][b]); } } for(i=0;i<k;i++){ for( j=0;j<k;j++){ if(temp[ j][i]==1) { for(t=0;t<n;t++) { temp[ j][t]=temp[i][t]||temp[ j][t]; } } } } printf("可傳遞閉包關系矩陣是:\n"); for(i=0;i<k;i++) { for( j=0;j<n;j++) { printf("%d", temp[i][ j]); } printf("\n"); } } void main() { printf("利用 Warshall 算法求二元關系的可傳遞閉包\n"); void warshall(int,int); int k , n; printf("請輸入矩陣的行數 i: "); scanf("%d",&k); 四川大學實驗報告 printf("請輸入矩陣的列數 j: "); scanf("%d",&n); warshall(k,n); }
上傳時間： 2016-06-27
上傳用戶：梁雪文以
無線充電Qi協議，版本：1.2.4，全冊：part 1、2、3&4；全冊齊全。
上傳時間： 2022-04-01
上傳用戶：ttalli
1. 文檔概述1.1. 文檔目的本文檔描述對SPI-4.2 協議的理解，從淺入深地詳細講解規范。1.2. SPI-4.2 簡介SPI-4.2 協議的全稱為System Packet Interface ，可譯為“系統包接口” 。該協議由OIF（ Optical Internetwoking Forum ）創建，用于規定10Gbps 帶寬應用下的物理層（ PHY）和鏈路層（ Link ）之間的接口標準。SPI-4.2 是一個支持多通道的包或信元傳輸的接口，主要應用于OC-192 ATM 或PoS 的帶寬匯聚、及10G 以太網應用中。1.3. 參考資料1) SPI-4.2 協議的標準文檔。2) 中興公司對SPI-4.2 協議文檔的翻譯稿。2. SPI-4.2 協議2.1. SPI-4.2 系統參考模型圖 1 SPI-4.2 系統參考模型圖X:\ 學習筆記\SPI-4.2 協議詳解.doc - 1 - 創建時間： 2011-5-27 21:53:00田園風光書屋NB0005 v1.1 SPI-4.2 協議詳解SPI-4.2 是一種物理層和鏈路層之間的支持多通道的數據包傳輸協議，其系統參考模型如上圖所示，從鏈路層至物理層的數據方向，稱為“發送”方向，從物理層至鏈路層的數據方向，稱為“接收”方向。在兩個方向上，都存在著流控機制。值得注意的是， SPI-4.2 是一種支持多通道（ Port）的傳輸協議。一個通道，指接收或發送方向上，相互傳輸數據的一對關聯的實體。有很多對關聯的實體，即很多個通道，都在同時傳輸數據，它們可復用SPI 總線。最多可支持256 個通道。例如OC-192 的192 個STS-1 通道，快速以太網中的100 個通道等， 各個通道的數據都可以相互獨立地復用在SPI總線上傳輸。
標簽： SPI-4.2協議
上傳時間： 2022-06-19
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本驅動為WK2124的linux驅動，支持linux3.1到4.4的內核。調試平臺采用的rockchip的RK3288.
上傳時間： 2022-07-20
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電子元器件抗ESD技術講義:引 言 4 第1 章 電子元器件抗ESD損傷的基礎知識 5 1.1 靜電和靜電放電的定義和特點 5 1.2 對靜電認識的發展歷史 6 1.3 靜電的產生 6 1.3.1 摩擦產生靜電 7 1.3.2 感應產生靜電 8 1.3.3 靜電荷 8 1.3.4 靜電勢 8 1.3.5 影響靜電產生和大小的因素 9 1.4 靜電的來源 10 1.4.1 人體靜電 10 1.4.2 儀器和設備的靜電 11 1.4.3 器件本身的靜電 11 1.4.4 其它靜電來源 12 1.5 靜電放電的三種模式 12 1.5.1 帶電人體的放電模式(HBM) 12 1.5.2 帶電機器的放電模式（MM） 13 1.5.3 充電器件的放電模型 13 1.6 靜電放電失效 15 1.6.1 失效模式 15 1.6.2 失效機理 15 第2章 制造過程的防靜電損傷技術 2.1 靜電防護的作用和意義 2.1.1 多數電子元器件是靜電敏感器件 2.1.2 靜電對電子行業造成的損失很大 2.1.3 國內外企業的狀況 2.2 靜電對電子產品的損害 2.2.1 靜電損害的形式 2.2.2 靜電損害的特點 2.2.3 可能產生靜電損害的制造過程 2.3 靜電防護的目的和總的原則 2.3.1 目的和原則 2.3.2 基本思路和技術途徑 2.4 靜電防護材料 2.4.1 與靜電防護材料有關的基本概念 2.4.2 靜電防護材料的主要參數 2.5 靜電防護器材 2.5.1 防靜電材料的制品 2.5.2 靜電消除器（消電器、電中和器或離子平衡器） 2.6 靜電防護的具體措施 2.6.1 建立靜電安全工作區 2.6.2 包裝、運送和存儲工程的防靜電措施 2.6.3 靜電檢測 2.6.4 靜電防護的管理工作 第3章 抗靜電檢測及分析技術 3.1 抗靜電檢測的作用和意義 3.2 靜電放電的標準波形 3.3 抗ESD檢測標準 3.3.1 電子元器件靜電放電靈敏度（ESDS）檢測及分類的常用標準 3.3.2 標準試驗方法的主要內容（以MIL-STD-883E 方法3015.7為例） 3.4 實際ESD檢測的結果統計及分析 3.4.1 試驗條件 3.4.2 ESD評價試驗結果分析 3.5 關于ESD檢測中經常遇到的一些問題 3.6 ESD損傷的失效定位分析技術 3.6.1 端口I－V特性檢測 3.6.2 光學顯微觀察 3.6.3 掃描電鏡分析 3.6.4 液晶分析 3.6.5 光輻射顯微分析技術 3.6.6 分層剝離技術 3.6.7 小結 3.7 ESD和EOS的判別方法討論 3.7.1 概念 3.7.2 ESD和EOS對器件損傷的分析判別方法 第4 章 電子元器件抗ESD設計技術 4.1 元器件抗ESD設計基礎 4.1.1抗ESD過電流熱失效設計基礎 4.1.2抗場感應ESD失效設計基礎 4.2元器件基本抗ESD保護電路 4.2.1基本抗靜電保護電路 4.2.2對抗靜電保護電路的基本要求 4.2.3 混合電路抗靜電保護電路的考慮 4.2.4防靜電保護元器件 4.3 CMOS電路ESD失效模式和機理 4.4 CMOS電路ESD可靠性設計策略 4.4.1 設計保護電路轉移ESD大電流。 4.4.2 使輸入/輸出晶體管自身的ESD閾值達到最大。 4.5 CMOS電路基本ESD保護電路的設計 4.5.1 基本ESD保護電路單元 4.5.2 CMOS電路基本ESD保護電路 4.5.3 ESD設計的輔助工具－TLP測試 4.5.4 CMOS電路ESD保護設計方法 4.5.5 CMOS電路ESD保護電路示例 4.6 工藝控制和管理
上傳時間： 2013-07-13
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第一章 開關電源的基本工作原理 1-1．幾種基本類型的開關電源 1-2．串聯式開關電源 1-2-1．串聯式開關電源的工作原理 1-2-2．串聯式開關電源輸出電壓濾波電路 1-2-3．串聯式開關電源儲能濾波電感的計算 1-2-4．串聯式開關電源儲能濾波電容的計算 1-3．反轉式串聯開關電源 1-3-1．反轉式串聯開關電源的工作原理 1-3-2．反轉式串聯開關電源儲能電感的計算 1-4-1．并聯式開關電源的工作原理 1-4-2．并聯式開關電源輸出電壓濾波電路 1-4-3．并聯開關電源儲能電感的計算 1-4-4．并聯式開關電源儲能濾波電容的計算 1-5．單激式變壓器開關電源 1-5-1．單激式變壓器開關電源的工作原理 1-6-1．正激式變壓器開關電源工作原理 1-6．正激式變壓器開關電源 1-6-2．正激式變壓器開關電源的優缺點 1-6-3．正激式變壓器開關電源電路參數的計算 1-7．反激式變壓器開關電源 1-7-1．反激式變壓器開關電源工作原理 1-7-2．開關電源電路的過渡過程 1-7-3．反激式變壓器開關電源電路參數計算 1-7-4．反激式變壓器開關電源的優缺點 1-8．雙激式變壓器開關電源 1-8-1．推挽式變壓器開關電源的工作原理 1-8-2．半橋式變壓器開關電源
上傳時間： 2013-04-24
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