隨著對高處理能力、網絡通信、實時多任務,超低功耗這些需求的增長,傳統8位處理器已經不能滿足新產品的要求了,高端嵌入式處理器已經得到了普遍的重視和應用.ARM是目前嵌入式領域應用最廣泛的RISC微處理器結構,該文研究了基于ARM處理器的嵌入式系統的開發,介紹了利用一款ARM微處理器和FPGA設計的四路E1中繼板卡的硬件結構和工作原理,并在這個硬件平臺上進行軟件開發的過程.該四路E1收發器能夠提供四條E1鏈路,把帶寬從2Mbps提高到8Mbps,能夠同時負載120個用戶的通信,解決了數字環路系統中卡槽數目限制的問題.目前,建立在G. 703基礎上的El接口在分組網、幀中繼網、GSM移動基站及軍事通信中得到廣泛的應用,傳送語音信號、數據、圖像等業務.文中首先分析了當前數字環路系統的發展現狀和趨勢,隨著網絡通信的用戶數目及信息量的猛增,拓寬數據傳輸的通道是一項研究熱點,這是開發四路E1收發器的一個目的.接著敘述了數字環路系統的結構和工作原理,即四路E1收發器的應用環境,著重介紹了四路E1板卡在整個系統中所扮演的角色和嵌入式處理器ARM的體系結構和特點,鑒于數據傳輸中對時鐘的要求比較嚴格,該文還介紹了FPGA技術,應用它主要是為系統提供各個精確的時鐘.然后,在分析了四路E1收發器的工作原理和比較了各類處理器特點的基礎上,提出了四路E1收發器的硬件設計,分別介紹了時鐘模塊、系統接口電路、存儲系統模塊、四通道E1合成器模塊、CPU模塊以及時隙交換模塊.接著,在研究分析了G.703和G.704等通信協議后,再根據系統要求提出了四路E1收發器的軟件設計.先介紹了實時操作系統RTXC,詳細闡述了ARM處理器啟動代碼程序的設計,然后給出了在此操作系統下軟件設計的整體結構,分四個任務分別闡述此軟件功能,其中詳細介紹了信令處理模塊、接口中斷處理模塊、系統運行監測模塊和RC消息LC消息處理模塊.最后介紹了軟件和硬件的調試方法以及設計過程中的調試開發過程,整個系統設計完成后,經過反復調試、測驗已達到了預期的效果,現正投入使用中.
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EWB軟件是交互圖像技術有限公司(INTERACTIVE IMAGE TECHNOLOGIES Ltd)在九十年代初推出的EDA軟件
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目 錄 第一章 概述 3 第一節 硬件開發過程簡介 3 §1.1.1 硬件開發的基本過程 4 §1.1.2 硬件開發的規范化 4 第二節 硬件工程師職責與基本技能 4 §1.2.1 硬件工程師職責 4 §1.2.1 硬件工程師基本素質與技術 5 第二章 硬件開發規范化管理 5 第一節 硬件開發流程 5 §3.1.1 硬件開發流程文件介紹 5 §3.2.2 硬件開發流程詳解 6 第二節 硬件開發文檔規范 9 §2.2.1 硬件開發文檔規范文件介紹 9 §2.2.2 硬件開發文檔編制規范詳解 10 第三節 與硬件開發相關的流程文件介紹 11 §3.3.1 項目立項流程： 11 §3.3.2 項目實施管理流程： 12 §3.3.3 軟件開發流程： 12 §3.3.4 系統測試工作流程： 12 §3.3.5 中試接口流程 12 §3.3.6 內部驗收流程 13 第三章 硬件EMC設計規范 13 第一節 CAD輔助設計 14 第二節 可編程器件的使用 19 §3.2.1 FPGA產品性能和技術參數 19 §3.2.2 FPGA的開發工具的使用： 22 §3.2.3 EPLD產品性能和技術參數 23 §3.2.4 MAX + PLUS II開發工具 26 §3.2.5 VHDL語音 33 第三節 常用的接口及總線設計 42 §3.3.1 接口標準： 42 §3.3.2 串口設計： 43 §3.3.3 并口設計及總線設計： 44 §3.3.4 RS－232接口總線 44 §3.3.5 RS－422和RS－423標準接口聯接方法 45 §3.3.6 RS－485標準接口與聯接方法 45 §3.3.7 20mA電流環路串行接口與聯接方法 47 第四節 單板硬件設計指南 48 §3.4.1 電源濾波： 48 §3.4.2 帶電插拔座： 48 §3.4.3 上下拉電阻： 49 §3.4.4 ID的標準電路 49 §3.4.5 高速時鐘線設計 50 §3.4.6 接口驅動及支持芯片 51 §3.4.7 復位電路 51 §3.4.8 Watchdog電路 52 §3.4.9 單板調試端口設計及常用儀器 53 第五節 邏輯電平設計與轉換 54 §3.5.1 TTL、ECL、PECL、CMOS標準 54 §3.5.2 TTL、ECL、MOS互連與電平轉換 66 第六節 母板設計指南 67 §3.6.1 公司常用母板簡介 67 §3.6.2 高速傳線理論與設計 70 §3.6.3 總線阻抗匹配、總線驅動與端接 76 §3.6.4 布線策略與電磁干擾 79 第七節 單板軟件開發 81 §3.7.1 常用CPU介紹 81 §3.7.2 開發環境 82 §3.7.3 單板軟件調試 82 §3.7.4 編程規范 82 第八節 硬件整體設計 88 §3.8.1 接地設計 88 §3.8.2 電源設計 91 第九節 時鐘、同步與時鐘分配 95 §3.9.1 時鐘信號的作用 95 §3.9.2 時鐘原理、性能指標、測試 102 第十節 DSP技術 108 §3.10.1 DSP概述 108 §3.10.2 DSP的特點與應用 109 §3.10.3 TMS320 C54X DSP硬件結構 110 §3.10.4 TMS320C54X的軟件編程 114 第四章 常用通信協議及標準 120 第一節 國際標準化組織 120 §4.1.1 ISO 120 §4.1.2 CCITT及ITU-T 121 §4.1.3 IEEE 121 §4.1.4 ETSI 121 §4.1.5 ANSI 122 §4.1.6 TIA/EIA 122 §4.1.7 Bellcore 122 第二節 硬件開發常用通信標準 122 §4.2.1 ISO開放系統互聯模型 122 §4.2.2 CCITT G系列建議 123 §4.2.3 I系列標準 125 §4.2.4 V系列標準 125 §4.2.5 TIA/EIA 系列接口標準 128 §4.2.5 CCITT X系列建議 130 參考文獻 132 第五章 物料選型與申購 132 第一節 物料選型的基本原則 132 第二節 IC的選型 134 第三節 阻容器件的選型 137 第四節 光器件的選用 141 第五節 物料申購流程 144 第六節 接觸供應商須知 145 第七節 MRPII及BOM基礎和使用 146
標簽： 硬件工程師
上傳時間： 2013-05-28
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ID 型號廠家用途構造溝道v111(V) ixing(A) pdpch(W) waixing 1 2SJ11 東芝DC, LF A, JChop P 20 -10m 100m 4-2 2 2SJ12 東芝DC, LF A,J Chop P 20 -10m 100m 4-2 3 2SJ13 東芝DC, LF A, JChop P 20 -100m 600m 4-35 4 2SJ15 富士通DC, LF A J P 18 -10m 200m 4-1 5 2SJ16 富士通DC, LF A J P 18 -10m 200m 4-1 6 2SJ17 C-MIC J P 20 0.5m 10m 4-47 7 2SJ18 LF PA J(V) P 170 -5 63 4-45 8 2SJ19 NEC LF D J(V) P 140 -100m 800m 4-41 9 2SJ20 NEC LF PA J(V) P 100 -10 100 4-42 10 2SJ22 C-MIC J P 80 0.5m 50m 4-48 11 2SJ39 三菱LF A J P 50 -10m .15/CH 4-81 12 2SJ40 三菱LF A,A-SW J P 50 -10m 300m 4-151 13 2SJ43 松下LF A J P 50 20m 250m 4-80A 14 2SJ44 NEC LF LN A J P 40 -10m 400m 4-53A 15 2SJ45 NEC LF A J P 40 -10m 400m 4-53A 16 2SJ47 日立LF PA MOS P -100 -7 100 4-28A 17 2SJ48 日立LF PA, HS MPOSSW P -120 -7 100 4-28A 18 2SJ49 日立LF PA,HS PMSOWS P -140 -7 100 4-28A 19 2SJ49(H) 日立HS PSW MOS P -140 -7 100 4-28A 20 2SJ50 日立LF/HF PA,HMSO SPSW P -160 -7 100 4-28A 21 2SJ50(H) 日立HS PSW MOS P -160 -7 100 4-28A 22 2SJ51 日立LF LN A J P 40 -10m 800m 4-97A 23 2SJ55 日立LF/HF PA,HMSO SPSW P -180 -8 125 4-28A
上傳時間： 2013-10-10
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現代的電子設計和芯片制造技術正在飛速發展，電子產品的復雜度、時鐘和總線頻率等等都呈快速上升趨勢，但系統的電壓卻不斷在減小，所有的這一切加上產品投放市場的時間要求給設計師帶來了前所未有的巨大壓力。要想保證產品的一次性成功就必須能預見設計中可能出現的各種問題，并及時給出合理的解決方案，對于高速的數字電路來說，最令人頭大的莫過于如何確保瞬時跳變的數字信號通過較長的一段傳輸線，還能完整地被接收，并保證良好的電磁兼容性，這就是目前頗受關注的信號完整性（SI）問題。本章就是圍繞信號完整性的問題，讓大家對高速電路有個基本的認識，并介紹一些相關的基本概念。 第一章 高速數字電路概述.....................................................................................51.1 何為高速電路...............................................................................................51.2 高速帶來的問題及設計流程剖析...............................................................61.3 相關的一些基本概念...................................................................................8第二章 傳輸線理論...............................................................................................122.1 分布式系統和集總電路.............................................................................122.2 傳輸線的RLCG 模型和電報方程...............................................................132.3 傳輸線的特征阻抗.....................................................................................142.3.1 特性阻抗的本質.................................................................................142.3.2 特征阻抗相關計算.............................................................................152.3.3 特性阻抗對信號完整性的影響.........................................................172.4 傳輸線電報方程及推導.............................................................................182.5 趨膚效應和集束效應.................................................................................232.6 信號的反射.................................................................................................252.6.1 反射機理和電報方程.........................................................................252.6.2 反射導致信號的失真問題.................................................................302.6.2.1 過沖和下沖.....................................................................................302.6.2.2 振蕩：.............................................................................................312.6.3 反射的抑制和匹配.............................................................................342.6.3.1 串行匹配.........................................................................................352.6.3.1 并行匹配.........................................................................................362.6.3.3 差分線的匹配.................................................................................392.6.3.4 多負載的匹配.................................................................................41第三章 串擾的分析...............................................................................................423.1 串擾的基本概念.........................................................................................423.2 前向串擾和后向串擾.................................................................................433.3 后向串擾的反射.........................................................................................463.4 后向串擾的飽和.........................................................................................463.5 共模和差模電流對串擾的影響.................................................................483.6 連接器的串擾問題.....................................................................................513.7 串擾的具體計算.........................................................................................543.8 避免串擾的措施.........................................................................................57第四章 EMI 抑制....................................................................................................604.1 EMI/EMC 的基本概念..................................................................................604.2 EMI 的產生..................................................................................................614.2.1 電壓瞬變.............................................................................................614.2.2 信號的回流.........................................................................................624.2.3 共模和差摸EMI ..................................................................................634.3 EMI 的控制..................................................................................................654.3.1 屏蔽.....................................................................................................654.3.1.1 電場屏蔽.........................................................................................654.3.1.2 磁場屏蔽.........................................................................................674.3.1.3 電磁場屏蔽.....................................................................................674.3.1.4 電磁屏蔽體和屏蔽效率.................................................................684.3.2 濾波.....................................................................................................714.3.2.1 去耦電容.........................................................................................714.3.2.3 磁性元件.........................................................................................734.3.3 接地.....................................................................................................744.4 PCB 設計中的EMI.......................................................................................754.4.1 傳輸線RLC 參數和EMI ........................................................................764.4.2 疊層設計抑制EMI ..............................................................................774.4.3 電容和接地過孔對回流的作用.........................................................784.4.4 布局和走線規則.................................................................................79第五章 電源完整性理論基礎...............................................................................825.1 電源噪聲的起因及危害.............................................................................825.2 電源阻抗設計.............................................................................................855.3 同步開關噪聲分析.....................................................................................875.3.1 芯片內部開關噪聲.............................................................................885.3.2 芯片外部開關噪聲.............................................................................895.3.3 等效電感衡量SSN ..............................................................................905.4 旁路電容的特性和應用.............................................................................925.4.1 電容的頻率特性.................................................................................935.4.3 電容的介質和封裝影響.....................................................................955.4.3 電容并聯特性及反諧振.....................................................................955.4.4 如何選擇電容.....................................................................................975.4.5 電容的擺放及Layout ........................................................................99第六章 系統時序.................................................................................................1006.1 普通時序系統...........................................................................................1006.1.1 時序參數的確定...............................................................................1016.1.2 時序約束條件...................................................................................1066.2 源同步時序系統.......................................................................................1086.2.1 源同步系統的基本結構...................................................................1096.2.2 源同步時序要求...............................................................................110第七章 IBIS 模型................................................................................................1137.1 IBIS 模型的由來...................................................................................... 1137.2 IBIS 與SPICE 的比較.............................................................................. 1137.3 IBIS 模型的構成...................................................................................... 1157.4 建立IBIS 模型......................................................................................... 1187.4 使用IBIS 模型......................................................................................... 1197.5 IBIS 相關工具及鏈接..............................................................................120第八章 高速設計理論在實際中的運用.............................................................1228.1 疊層設計方案...........................................................................................1228.2 過孔對信號傳輸的影響...........................................................................1278.3 一般布局規則...........................................................................................1298.4 接地技術...................................................................................................1308.5 PCB 走線策略............................................................................................134
標簽： 信號完整性
上傳時間： 2014-05-15
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磁芯電感器的諧波失真分析 摘 要：簡述了改進鐵氧體軟磁材料比損耗系數和磁滯常數ηB，從而降低總諧波失真THD的歷史過程，分析了諸多因數對諧波測量的影響，提出了磁心性能的調控方向。 關鍵詞：比損耗系數， 磁滯常數ηB ，直流偏置特性DC-Bias，總諧波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年來，變壓器生產廠家和軟磁鐵氧體生產廠家，在電感器和變壓器產品的總諧波失真指標控制上，進行了深入的探討和廣泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的問題。從工藝技術上采取了不少有效措施，促進了質量問題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。 一、 歷史回顧 總諧波失真（Total harmonic distortion） ，簡稱THD，并不是什么新的概念，早在幾十年前的載波通信技術中就已有嚴格要求<1>。1978年郵電部公布的標準YD/Z17－78“載波用鐵氧體罐形磁心”中，規定了高μQ材料制作的無中心柱配對罐形磁心詳細的測試電路和方法。如圖一電路所示，利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測量磁心產生的非線性失真。這種相對比較的實用方法，專用于無中心柱配對罐形磁心的諧波衰耗測試。 這種磁心主要用于載波電報、電話設備的遙測振蕩器和線路放大器系統，其非線性失真有很嚴格的要求。 圖中 ZD —— QF867 型阻容式載頻振蕩器，輸出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通濾波器，阻抗 150Ω，阻帶衰耗大于61dB， Lg88 ——并聯高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 選頻電平表，輸入高阻抗， L ——被測無心罐形磁心及線圈， C ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測量時，所配用線圈應用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝， （線架為一格） ， 其空心電感值為 318μH（誤差1％） 被測磁心配對安裝好后，先調節振蕩器頻率為 36.6～40KHz， 使輸出電平值為+17.4 dB， 即選頻表在 22′端子測得的主波電平 （P2）為+17.4 dB，然后在33′端子處測得輸出的三次諧波電平（P3）， 則三次諧波衰耗值為：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 為放大器增益dB 從以往的資料引證， 就可以發現諧波失真的測量是一項很精細的工作，其中測量系統的高、低通濾波器，信號源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴，阻抗必須匹配，薄膜電容器的非線性也有相應要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質的大空心線圈繞成，以保證本身的“潔凈” ，不至于造成對磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機的小型化和穩定性要求， 必須生產低損耗高穩定磁心。上世紀 70 年代初，1409 所和四機部、郵電部各廠，從工藝上改變了推板空氣窯燒結，出窯后經真空罐冷卻的落后方式，改用真空爐，并控制燒結、冷卻氣氛。技術上采用共沉淀法攻關試制出了μQ乘積 60 萬和 100 萬的低損耗高穩定材料，在此基礎上，還實現了高μ7000～10000材料的突破，從而大大縮短了與國外企業的技術差異。當時正處于通信技術由FDM（頻率劃分調制）向PCM（脈沖編碼調制） 轉換時期， 日本人明石雅夫發表了μQ乘積125 萬為 0.8×10 ，100KHz）的超優鐵氧體材料<3>，其磁滯系數降為優鐵
上傳時間： 2014-12-24
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6 GEMS壓力變送器3000系列-超高壓變送器 GEMS壓力變送器3000的行業應用： 船舶、工程機械 產品特點： ■工作壓力可高達10,000PSI ■高精度-在整個應用過程中,精度在±0.15%之內 ■高穩定性-長期漂移≤0.05%FS/6年 ■高的抗震動性能-采用了薄膜濺射式設計,取消了易破的連接線 GEMS壓力變送器3000的性能參數 精度 0.15%FS 重復性 0.03%FS 長期穩定性 0.06%F.S/年 壓力范圍 0-500、1000、2000、3000、5000、6000、7500、10,000psi 耐壓 2xF.S,15,000PSI,Max. 破裂壓力 7xFS 4xFS,對于10,000psi 疲勞壽命 108次滿量程循環 零點公差 0.5%F.S 量程公差 0.5%F.S,響應時間0.5毫秒 溫度影響 溫漂 1.5%FS(-20℃到80℃) 2%FS(-40℃到100℃) 2.7%FS(-55℃到120℃) GEMS壓力變送器3000的環境參數 振動 正弦曲線,峰值70g,5～5000HZ(根據MIL-STD810,514.2方法程序I) EMC 30V/m(100V/m Survivability) 電壓輸出 電路 見PDF文件(3線) 激勵 高于滿程電壓1.5VDC,最大到35VDC@6mA 最小環路電阻 (FS輸出/2)Kohms 供電靈敏度 0.01%FS/Volt 電流輸出 電路 2線 環路供電電壓 24VDC(7-35VDC) 輸出 4-20mA 最大環路電阻 (Vs-7)x50Ω 供電靈敏度 0.01%FS/V 比率輸出 輸出 0.5v到4.5v(3線)@5VDC供電 輸出激勵電壓 5VDC(4.75V-7VDC) GEMS壓力變送器3000的物理參數 殼體 IP65代碼G(NEMA4);IP67代碼F(NEMA6) 接液部件 17-4和15-5不銹鋼 電氣連接 見訂貨指南 壓力連接 1/4″NPT或G1/4 重量(約) 110g(電纜重量另加:75g/m) 機械震動 1000g/MIL-STD810,方法516.2,程序Ⅳ 加速度 在任意方向施加100g的穩定加速度時1bar(15psi)量程變送器的輸出會波動0.032%FS/g,量程增大到400bar(6000psi)時輸出波動會按對數遞減至0.0007%FS/g. 認證等級 CE
上傳時間： 2013-10-09
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本公司生產以下產品 1 單相逆變三相交流電源： 該電源在輸入單相AC180V～AC260V電壓時，輸出三相可根據用戶要求而設定的電壓AC100V～AC440V。當輸入電壓和負載變動時可將輸出電壓穩定在一個固定的值上。輸出頻率可選：范圍0Hz～400Hz。 功率為: 0.4～11KW 。該電源體積小重量輕（無升壓工頻變壓器）諧波小穩定可靠。三相輸出相位互差120°±0.5°，輸出頻率變化﹤0.1Hz/24h，效率﹥95％， 簡要說明: HS-MYL100-2R2系列 采用電機控制專用芯片DSP數字信號處理器和先進的磁場定向矢量控制算法，完成電機的完全解耦控制，實現真正的電流矢量控制，具有低頻高啟動轉矩、精準控制和高速動態響應能力。提供V/F控制、無PG矢量控制（SVC）、有PG矢量控制(VC)，并根據不同的行業需求，提供對應功能的多種專業擴展卡實現各種行業專業解決方案，可廣泛應用于要求低成本、高性能、高專業化程度等的各種行業專業場合。 詳細內容 控制方法：無PG矢量控制（SVC）、有PG矢量控制(VC)、V/F控制； 輸出頻率范圍：0～600Hz,頻率精度：0.01Hz; 起動轉矩：有PG矢量控制0Hz/180%(VC)；無PG矢量控制0.5Hz/150%（SVC）； 調速范圍：有PG矢量控制1：1000；無PG矢量控制1：100； 15kW規格以下內置制動單元，如需快速停車，可直接連接制動電阻； 16段多端速控制、簡易PLC控制、擺頻控制； 內置多功能組合數字PID調解控制； 5路數字量輸入、2路模擬量輸入、1路模擬量輸出、1路繼電器輸出、1路開路集電極輸出，外接擴展卡（選配）可增加3路數字量輸入、2路模擬量輸入、1路模擬量輸出、1路脈沖量輸出、1路繼電器輸出、2路開路集電極輸出； 轉速追蹤再起動功能，實現對旋轉中的電機平滑無沖擊起動； 自動電壓調速調整：當電網電壓變化時，能自動保持輸出電壓恒定； 提供可選擇的外引LED/LCD操作面板，實現方便快捷的操作； 節能運行：先進的職能控制方式，具有強大的自學功能，自動適應工況負載的變化，自動實現最佳的節能運行； LED操作面板具備多機參數拷貝功能，大大方便配套用戶對功能參數的批量設置； 完善的保護功能：短路、過流、缺項、電子熱繼電器、過壓、欠壓、過載、過熱、外部設備故障、通信故障保護； 用戶密碼設置：對用戶設定的參數進行保密，并防止非授權人員修改； 工作電壓范圍廣，長期低電壓時電壓時通過調制技術，保證帶載能力； 慧思商貿有限公司 聯系電話：18993112627 13919827366
上傳時間： 2013-11-19
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安裝自由的小型·薄型電源。為控制盤的小型化作出貢獻• 寬22.5mm×高85mm×進深.96.5mm的小型 ·薄型尺寸。•3種安裝方向。 （標準、 水平、 向上）• 面板可直接并列安裝。• 安全標準 ：通過了UL508/60950-1/1604、 CSA C22.2 No.14/60950-1/213、EN50178(=VDE0160)、 EN60950-1(=VDE0805)。
上傳時間： 2014-01-23
上傳用戶：wwwe
為了保障生化儀器正常運行，延長生化儀器的使用壽命，請儀器使用人員定期對生化儀器進行維護和保養。系統維護詳見《使用說明書》第5章，重點維護項目如下：
上傳時間： 2013-10-28
上傳用戶：niumeng16
