用雙線性變換法設計IIR數字濾波器 （1）用雙線性變換法設計一個巴特沃斯低通IIR 數字濾波器。設計指標參數為：在通 帶內頻率低于0.2π 時，最大衰減小于1db；在阻帶內[0.3π ,π ] 頻率區間上，最小衰減大于15dB。 （2）以0.02π 為采樣間隔，打印出數字濾波器在頻率區間[0,π / 2] 上的幅頻響應特性 曲線。 （3）用所設計的濾波器對實際心電圖信號采樣序列（在本實驗后面給出）進行仿真濾 波處理，并分別打印出濾波前后的心電圖信號波形圖，觀察總結濾波作用與效果。
上傳時間： 2014-01-12
上傳用戶：杜瑩12345
多媒體5.1聲道遙控功放全套方案(原理圖+制作元件參數全套)各功能描述: 1. 當A為低電平時,AC-3燈點亮,即是AC-3的輸入方式 當A為高電平時,STEREO燈點亮,即是STEREO的輸入方式 2. 當STANDBY燈點亮時，為待機狀態；此LED閃動時為MUTE狀態,PT2258為靜音狀態,同時STANDBY為低電平 3. 各聲道（FRONT，SUB，REAR，CENT）其微調音量調節+/-5dB；音量調節從01~80dB 4. 面板無任何按鍵,均為遙控器控制 5. 剛開機時為待機狀態，開機時音量為50dB狀態,各微調為0dB, 6. 按遙控器的REST鍵后,系統為開機時狀態， 7. PT2258音量衰減共80DB,按遙控器每按一次衰減1db,
上傳時間： 2017-02-21
上傳用戶：黃華強
自己做的： （一）用雙線性變換法設計并用實驗系統實現一個三階的契比雪夫Ⅰ型低通數字濾波器，其采樣頻率Fs =8KHz，1db通帶邊界頻率為fp=2KHz。 （二）用雙線性變換法設計并用實驗系統實現一個三階的契比雪夫Ⅱ型高通數字濾波器，其采樣頻率Fs =16KHz，阻帶邊界頻率為fst =4KHz，As=20dB。
上傳時間： 2013-12-25
上傳用戶：D&L37
隨著個人通信和移動通信技術在世界范圍內的迅猛發展，人們對移動通信的服務質量要求也越來越高.WCDMA（Wideband Code Division Multiple Access）作為第三代移動通信系統的三大標準之一，因為具有優良的通信質量和較高的頻譜利用率而被廣泛應用.在WCDMA接收機中，射頻前端電路占有重要的地位，其性能優劣直按影響著接收機的接收靈敏度以及后繼信號處理部分的性能.因此，進行WCDMA射頻電路的研究和設計具有重要的現實意義.天線和低噪聲放大器（LNA）是射頻（RF）接收機芯片的重要組成部分。本文在廣泛查閱國內、外參考文獻的基礎上，對微帶天線的寬頻帶技術和LNA的設計原理進行了深入地研究.綜合多種寬頻帶技術，本文采用L形探針饋電與雙E形槽貼片相結合的方法，提出了一款適合于WCDMA基站的寬頻帶微帶天線結構。利用電磁仿真軟件HFSS對該天線的性能進行了研究，研究了天線貼片尺寸對天線性能的影響。在此基礎上，優化設計了適用于WCDMA基站的寬頻帶微帶天線，并對其進行了加工、測試和分析，仿真和測試結果均表明，該天線-10dB回波損耗帶寬為520MHz，天線在2GHz的增益為7.88dBi，滿足WCDMA基站的要求.另外，本文還根據WCDMA基站對LNA性能的要求，利用仿真軟件ADS（Advanced Design System）設計了一款高線性的兩級平衡低噪聲放大器，給出了電路原理圖，并制作了版圖，結果表明，該低噪聲放大器在1.92GH2~1.98GHz頻段增益不低于30dB，噪聲系數小于1db，滿足WCDMA的要求，具有一定的實用價值。
上傳時間： 2022-06-20
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射頻功率放大器在雷達、無線通信、導航、衛星通訊、電子對抗設備等系統中有著廣泛的應用，是現代無線通信的關鍵設備.與傳統的行被放大器相比，射頻固態功率放大器具有體積小、動態范圍大、功耗低、壽命長等一系列優點；由于射頻功率放大器在軍事和個人通信系統中的地位非常重要，使得功率放大器的研制變得十分重要，因此對該課題的研究具有非常重要的意義.設計射頻集成功率放大器的常見工藝有GaAs，SiGe BiCMOS和CMOS等.GaAs工藝具有較好的射頻特性和輸出功率能力，但其價格昂貴，工藝一致性差；CMOS工藝的功率輸出能力不大，很難應用于高輸出功率的場合；而SiGe BiCMOS工藝的性能介于GaAS和CMOS工藝之間，價格相對低廉并和CMOS電路兼容，非常適合于中功率應用場合.本文介紹了應用與無線局域網和Ka波段的射頻集成功率放大器的設計和實現，分別使用了CMOS，SiGe BiCMOS，GaAs三種工藝.（1）由SMIC 0.18um CMOS工藝實現的放大器工作頻率為2.4GHz，采用了兩級共源共柵電路結構，在5V電源電壓下仿真結果為小信號增益22dB左右，1db壓縮點處輸出功率為20dBm左右且功率附加教率PAE大于15%，最大飽和輸出功率大于24dBm且PAE大于20%，芯片面積為1.4mm*0.96mm；（2）由IBM SPAE 0.35um SiGe BiCMOS工藝實現的功率放大器工作頻率為5.25GHz，分為前置推動級和末級功率級，電源電壓為3.3V，仿真結果為小信號增益28dB左右，1db壓縮點處輸出功率大于26dBm，功率附加效率大于15%，最大飽和輸出功率為29.5dBm，芯片面積為1.56mm"1.2mm；（3）由WIN 0.15um GaAs工藝實現的功率放大器工作頻率為27-32GHz，使用了三級功率放大器結構，在電源電壓為5V下仿真結果為1db壓縮點的輸出功率Pras 26dBm，增益在20dB以上，最大飽和輸出功率為29.9dBm且PAE大于25%，芯片面積為2.76mm"1.15mm.論文按照電路設計、仿真、版圖設計、流片和芯片測試的順序詳細介紹了功率放大器芯片的設計過程，對三種工藝實現的功率放大器進行了對比，并通過各自的仿真結果對出現的問題進行了詳盡的分析。
上傳時間： 2022-06-20
上傳用戶：shjgzh
在現代無線通信系統中，射頻終端的功率放大器的性能指標影響著整個通信系統的好壞，它的線性特性和功率轉換效率等的研究正成為研究熱點。在此背景下，研究設計出了一個工作在800MHz，用于移動設備終端的功率放大器。研究中，我們采用ADS進行了性能仿真，得到了該放大器的性能指標。針對制板時的電路原理圖和布線，分析了板圖布局的電磁兼容特性，并給出了仿真結果。最后采用Protel根據電路原理圖設計了板圖。本文的主要貢獻如下：1、介紹了射頻功率放大器的基本技術，包括分類、性能指標、演進和設計要求等。研究了當前如何改進放大器的線性性能的主要技術，如功率回退法、前饋技術、反饋技術及預失真技術等。同時研究了功率放大器的功率轉換效率特性和提高效率的一些措施。2、研究設計了一個工作在800MHz用于移動終端的功率放大器。完成了從系統到電路的匹配和優化的全過程，并進行了性能仿真。3、采用功率回退線性化技術，進一步優化該放大器的性能指標，包括輸出功率、增益、三階交調、1db增益壓縮點、效率、頻譜特性等性能參數。仿真結果表明，放大器的性能得到了進一步的提升。
標簽： 射頻功率放大器
上傳時間： 2022-06-20
上傳用戶：默默
