The PPC405 Virtex-4 is a wrapper around the Virtex-4PowerPC™ 405 Processor Block primitive. For detailsregarding the PowerPC 405, see the PowerPC 405 ProcessorBlock Reference Guide.
上傳時間： 2014-12-05
上傳用戶：flg0001
我采用XC4VSX35或XC4VLX25 FPGA來連接DDR2 SODIMM和元件。SODIMM內存條選用MT16HTS51264HY-667(4GB)，分立器件選用8片MT47H512M8。設計目標：當客戶使用內存條時，8片分立器件不焊接；當使用直接貼片分立內存顆粒時，SODIMM內存條不安裝。請問專家：1、在設計中，先用Xilinx MIG工具生成DDR2的Core后，管腳約束文件是否還可更改？若能更改，則必須要滿足什么條件下更改？生成的約束文件中，ADDR，data之間是否能調換？ 2、對DDR2數據、地址和控制線路的匹配要注意些什么？通過兩只100歐的電阻分別連接到1.8V和GND進行匹配 和 通過一只49.9歐的電阻連接到0.9V進行匹配，哪種匹配方式更好？ 3、V4中，PCB LayOut時，DDR2線路阻抗單端為50歐，差分為100歐？Hyperlynx仿真時，那些參數必須要達到那些指標DDR2-667才能正常工作？ 4、 若使用DDR2-667的SODIMM內存條，能否降速使用？比如降速到DDR2-400或更低頻率使用？ 5、板卡上有SODIMM的插座，又有8片內存顆粒，則物理上兩部分是連在一起的，若實際使用時，只安裝內存條或只安裝8片內存顆粒，是否會造成信號完成性的影響？若有影響，如何控制？ 6、SODIMM內存條(max:4GB)能否和8片分立器件(max:4GB)組合同時使用，構成一個(max:8GB)的DDR2單元？若能，則布線阻抗和FPGA的DCI如何控制？地址和控制線的TOP圖應該怎樣？ 7、DDR2和FPGA（VREF pin）的參考電壓0.9V的實際工作電流有多大？工作時候，DDR2芯片是否很燙，一般如何考慮散熱？ 8、由于多層板疊層的問題，可能頂層和中間層的銅箔不一樣后，中間的夾層后度不一樣時，也可能造成阻抗的不同。請教DDR2-667的SODIMM在8層板上的推進疊層？
上傳時間： 2013-10-12
上傳用戶：han_zh
UART 4 UART參考設計，Xilinx提供VHDL代碼 uart_vhdl This zip file contains the following folders: \vhdl_source -- Source VHDL files: uart.vhd - top level file txmit.vhd - transmit portion of uart rcvr.vhd - - receive portion of uart \vhdl_testfixture -- VHDL Testbench files. This files only include the testbench behavior, they do not instantiate the DUT. This can easily be done in a top-level VHDL file or a schematic. This folder contains the following files: txmit_tb.vhd -- Test bench for txmit.vhd. rcvr_tf.vhd -- Test bench for rcvr.vhd.
上傳時間： 2013-11-07
上傳用戶：jasson5678
IEEE 802.15.4是低速率、低功耗的無線個人區域網絡協議標準。分析了IEEE 802.15.4 的特點，在其上設計了輕量級網絡層路由協議并在ZigBit 900平臺上實現。路由協議對AODV進行了簡化，利用MAC層的應答機制檢測鏈路是否連通。最后對路由協議進行了測試，結果表明本路由設計具有良好的性能和擴展性。
上傳時間： 2014-12-28
上傳用戶：cherrytree6
信號與線性系統分析習題全解(吳大正第4版)
上傳時間： 2014-12-29
上傳用戶：hzakao
物聯網開年第一展――2012 第二屆華東國際物聯網技術及應用展覽會即將于4 月19-21 日在蘇州國際博覽中心召開，現招展工作正式進入最后沖刺階段，各項籌備工作正在緊鑼密鼓地進行；大會經過了近8 個月的宣傳、推廣，展會的規模將有了全新的突破，一個引領物聯網行業趨勢、國際化、品牌化、專業化的物聯網品牌展會；更加全面、直觀的向業界呈現一場物聯網技術交流、產品展示、謀求合作的互動平臺。
上傳時間： 2013-12-29
上傳用戶：wuchunzhong
實驗目的： 1、掌握EIGRP 的基本配置 2、掌握EIGRP 的通配符掩配置方法 3、掌握EIGRP 的自動匯總特性，理解EIGRP 的自動匯總的缺陷以及如何關閉自動匯總 4、掌握EIGRP 的手工匯總 5、掌握通過ip default-network 命令配置EIGRP 默認網絡 6、掌握EIGRP 的手工自動總結的配置方
上傳時間： 2013-10-13
上傳用戶：llwap
ADXL346是一款小而薄的超低功耗3軸加速度計，分辨率高(13位)，測量范圍達±16 g。數字輸出數據為16位二進制補碼格式，可通過SPI(3線或4線)或I2C®數字接口訪問。
上傳時間： 2013-11-15
上傳用戶：二十八號
特點 精確度0.25%滿刻度 ±1位數 輸入配線系統可任意選擇 CT比可任意設定 具有異常電流值與異常次數記錄保留功能 電流過高或過低檢測可任意設定 報警繼電器復歸方式可任意設定 尺寸小,穩定性高 2.主要規格 輔助電源: AC110V&220V ±20%(50 or 60Hz) AC220V&440V ±20%(50 or 60Hz)(optional) 精確度: 0.25% F.S. ±1 digit 輸入負載: <0.2VA (Current) 最大過載能力 : Current related input: 2 x rated continuous 10 x rated 30 sec. 25 x rated 3sec. 50 x rated 1 sec. 輸入電流范圍: AC0-5A (10-1000Hz) CT ratio : 1-2000 adjustable 啟動延遲動作時間: 0-99.9 second adjustable 繼電器延遲動作時間: 0-99.9 second adjustable 繼電器復歸方式: Manual (N) / latch(L) can be modified 繼電器磁滯范圍: 0-999 digit adjustable 繼電器動作方向: HI /LO/GO/HL can be modified 繼電器容量: AC 250V-5A, DC 30V-7A 過載顯示: "doFL" 溫度系數: 50ppm/℃ (0-50℃) 顯示幕: Red high efficiency LEDs high 14.22mm(.56")(PV) Red high efficiency LEDs high 14.22mm(.276")(NO) 參數設定方式: Touch switches 記憶型式 : Non-volatile E2PROM memory 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 1600Vdc(input/output 使用環境條件 : 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE認證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
上傳時間： 2013-10-14
上傳用戶：wanghui2438
特點 精確度0.1%滿刻度 ±1位數 可量測 交直流電流/交直流電壓/電位計/傳送器/Pt-100/荷重元/電阻 等信號 顯示范圍-1999-9999可任意規劃 具有異常值與異常次數記錄保留功能 異常信號過高或過低或范圍內或范圍外檢測可任意設定 報警繼電器復歸方式可任意設定 尺寸小,穩定性高 2.主要規格 精確度: 0.1% F.S. ±1 digit 0.2% F.S. ±1 digit(AC) 取樣時間: 16 cycles/sec. 顯示值范圍: -1999 - +9999 digit adjustable 啟動延遲動作時間: 0-99.9 second adjustable 繼電器延遲動作時間: 0-99.9 second adjustable 繼電器復歸方式: Manual (N) / latch(L) can be modified 繼電器動作方向: HI /LO/GO/HL can be modified 繼電器容量: AC 250V-5A, DC 30V-7A 過載顯示: "doFL" 溫度系數: 50ppm/℃ (0-50℃) 顯示幕: Red high efficiency LEDs high 14.22mm(.56")(PV) Red high efficiency LEDs high 7.0mm(.276")(NO) 參數設定方式: Touch switches 記憶型式 : Non-volatile E2PROM memory 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 1600Vdc(input/output 使用環境條件 : 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE認證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
上傳時間： 2013-11-02
上傳用戶：fandeshun
