我采用XC4VSX35或XC4VLX25 FPGA來連接DDR2 SODIMM和元件。SODIMM內存條選用MT16HTS51264HY-667(4GB),分立器件選用8片MT47H512M8。設計目標:當客戶使用內存條時,8片分立器件不焊接;當使用直接貼片分立內存顆粒時,SODIMM內存條不安裝。請問專家:
1、在設計中,先用Xilinx MIG工具生成DDR2的Core后,管腳約束文件是否還可更改?若能更改,則必須要滿足什么條件下更改?生成的約束文件中,ADDR,data之間是否能調換? 2、對DDR2數據、地址和控制線路的匹配要注意些什么?通過兩只100歐的電阻分別連接到1.8V和GND進行匹配 和 通過一只49.9歐的電阻連接到0.9V進行匹配,哪種匹配方式更好? 3、V4中,PCB LayOut時,DDR2線路阻抗單端為50歐,差分為100歐?Hyperlynx仿真時,那些參數必須要達到那些指標DDR2-667才能正常工作? 4、 若使用DDR2-667的SODIMM內存條,能否降速使用?比如降速到DDR2-400或更低頻率使用? 5、板卡上有SODIMM的插座,又有8片內存顆粒,則物理上兩部分是連在一起的,若實際使用時,只安裝內存條或只安裝8片內存顆粒,是否會造成信號完成性的影響?若有影響,如何控制? 6、SODIMM內存條(max:4GB)能否和8片分立器件(max:4GB)組合同時使用,構成一個(max:8GB)的DDR2單元?若能,則布線阻抗和FPGA的DCI如何控制?地址和控制線的TOP圖應該怎樣? 7、DDR2和FPGA(VREF pin)的參考電壓0.9V的實際工作電流有多大?工作時候,DDR2芯片是否很燙,一般如何考慮散熱? 8、由于多層板疊層的問題,可能頂層和中間層的銅箔不一樣后,中間的夾層后度不一樣時,也可能造成阻抗的不同。請教DDR2-667的SODIMM在8層板上的推進疊層?
資源簡介:我采用XC4VSX35或XC4VLX25 FPGA來連接DDR2 SODIMM和元件。SODIMM內存條選用MT16HTS51264HY-667(4GB),分立器件選用8片MT47H512M8。設計目標:當客戶使用內存條時,8片分立器件不焊接;當使用直接貼片分立內存顆粒時,SODIMM內存條不安裝。請問專家:1、在設計...
上傳時間: 2013-10-12
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上傳時間: 2013-10-21
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上傳時間: 2013-12-07
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上傳時間: 2015-04-06
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上傳時間: 2015-06-08
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上傳時間: 2013-12-17
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上傳時間: 2013-12-24
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上傳時間: 2015-02-17
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上傳時間: 2013-08-06
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上傳時間: 2013-08-07
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上傳時間: 2013-08-24
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上傳時間: 2013-09-04
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上傳時間: 2013-09-06
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上傳時間: 2014-12-04
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上傳時間: 2014-07-11
上傳用戶:a673761058
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上傳用戶:ma1301115706
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