在PIC16F877單片機(jī)的數(shù)據(jù)存儲器RAM中，總的地址空間是512個字節(jié)，但真正用作為通用寄存器單元個數(shù)為--字節(jié)。
標(biāo)簽： PIC 單片機(jī)學(xué)習(xí) 試題
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本使用指南介紹SH69P8XX系列單片機(jī)(SH69P801/SH69P802/SH69P822/SH69P842/SH69P862)的定時/計數(shù)器。SH69P8XX系列單片機(jī)具有2個8位定時/計數(shù)器T0，T1。T0和T1都是向上計數(shù)的自動重載入計數(shù)器，其計數(shù)的起始值可由外部來寫入，計數(shù)的值可以被讀出，計數(shù)溢出時能夠產(chǎn)生中斷。T0的時鐘源可以是內(nèi)部系統(tǒng)時鐘(OSC/4)，也可以是外部時鐘，而T1的時鐘源只能是內(nèi)部系統(tǒng)時鐘(OSC/4)。當(dāng)對內(nèi)部系統(tǒng)時鐘的標(biāo)準(zhǔn)脈沖序列進(jìn)行計數(shù)時即為定時器，對外部脈沖計數(shù)時就可作為計數(shù)器使用。當(dāng)T0時鐘源為外部脈沖時，可以選擇脈沖的觸發(fā)方式，上升沿或者下降沿。為了擴(kuò)大定時或計數(shù)范圍，可以設(shè)置定時器方式寄存器TM0和TM1，對定時器時鐘源分頻，分頻比可以選擇為：1:1、1:2、1:4、1:8、1:32、1:128、1:512或1:2048等。定時/計數(shù)器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)見圖4-1。
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NXP Semiconductor designed the LPC2400 microcontrollers around a 16-bit/32-bitARM7TDMI-S CPU core with real-time debug interfaces that include both JTAG andembedded Trace. The LPC2400 microcontrollers have 512 kB of on-chip high-speedFlash memory. This Flash memory includes a special 128-bit wide memory interface andaccelerator architecture that enables the CPU to execute sequential instructions fromFlash memory at the maximum 72 MHz system clock rate. This feature is available onlyon the LPC2000 ARM Microcontroller family of products. The LPC2400 can execute both32-bit ARM and 16-bit Thumb instructions. Support for the two Instruction Sets meansEngineers can choose to optimize their application for either performance or code size atthe sub-routine level. When the core executes instructions in Thumb state it can reducecode size by more than 30 % with only a small loss in performance while executinginstructions in ARM state maximizes core performance.
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單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)抗干擾技術(shù):第1章 電磁干擾控制基礎(chǔ). 1.1 電磁干擾的基本概念1 1.1.1 噪聲與干擾1 1.1.2 電磁干擾的形成因素2 1.1.3 干擾的分類2 1.2 電磁兼容性3 1.2.1 電磁兼容性定義3 1.2.2 電磁兼容性設(shè)計3 1.2.3 電磁兼容性常用術(shù)語4 1.2.4 電磁兼容性標(biāo)準(zhǔn)6 1.3 差模干擾和共模干擾8 1.3.1 差模干擾8 1.3.2 共模干擾9 1.4 電磁耦合的等效模型9 1.4.1 集中參數(shù)模型9 1.4.2 分布參數(shù)模型10 1.4.3 電磁波輻射模型11 1.5 電磁干擾的耦合途徑14 1.5.1 傳導(dǎo)耦合14 1.5.2 感應(yīng)耦合（近場耦合）15 .1.5.3 電磁輻射耦合（遠(yuǎn)場耦合）15 1.6 單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)電磁干擾控制的一般方法16 第2章 數(shù)字信號耦合與傳輸機(jī)理 2.1 數(shù)字信號與電磁干擾18 2.1.1 數(shù)字信號的開關(guān)速度與頻譜18 2.1.2 開關(guān)暫態(tài)電源尖峰電流噪聲22 2.1.3 開關(guān)暫態(tài)接地反沖噪聲24 2.1.4 高速數(shù)字電路的EMI特點(diǎn)25 2.2 導(dǎo)線阻抗與線間耦合27 2.2.1 導(dǎo)體交直流電阻的計算27 2.2.2 導(dǎo)體電感量的計算29 2.2.3 導(dǎo)體電容量的計算31 2.2.4 電感耦合分析32 2.2.5 電容耦合分析35 2.3 信號的長線傳輸36 2.3.1 長線傳輸過程的數(shù)學(xué)描述36 2.3.2 均勻傳輸線特性40 2.3.3 傳輸線特性阻抗計算42 2.3.4 傳輸線特性阻抗的重復(fù)性與阻抗匹配44 2.4 數(shù)字信號傳輸過程中的畸變45 2.4.1 信號傳輸?shù)娜肷浠?5 2.4.2 信號傳輸?shù)姆瓷浠?6 2.5 信號傳輸畸變的抑制措施49 2.5.1 最大傳輸線長度的計算49 2.5.2 端點(diǎn)的阻抗匹配50 2.6 數(shù)字信號的輻射52 2.6.1 差模輻射52 2.6.2 共模輻射55 2.6.3 差模和共模輻射比較57 第3章 常用元件的可靠性能與選擇 3.1 元件的選擇與降額設(shè)計59 3.1.1 元件的選擇準(zhǔn)則59 3.1.2 元件的降額設(shè)計59 3.2 電阻器60 3.2.1 電阻器的等效電路60 3.2.2 電阻器的內(nèi)部噪聲60 3.2.3 電阻器的溫度特性61 3.2.4 電阻器的分類與主要參數(shù)62 3.2.5 電阻器的正確選用66 3.3 電容器67 3.3.1 電容器的等效電路67 3.3.2 電容器的種類與型號68 3.3.3 電容器的標(biāo)志方法70 3.3.4 電容器引腳的電感量71 3.3.5 電容器的正確選用71 3.3.6 電容器使用注意事項(xiàng)73 3.4 電感器73 3.4.1 電感器的等效電路74 3.4.2 電感器使用的注意事項(xiàng)74 3.5 數(shù)字集成電路的抗干擾性能75 3.5.1 噪聲容限與抗干擾能力75 3.5.2 施密特集成電路的噪聲容限77 3.5.3 TTL數(shù)字集成電路的抗干擾性能78 3.5.4 CMOS數(shù)字集成電路的抗干擾性能79 3.5.5 CMOS電路使用中注意事項(xiàng)80 3.5.6 集成門電路系列型號81 3.6 高速CMOS 54/74HC系列接口設(shè)計83 3.6.1 54/74HC 系列芯片特點(diǎn)83 3.6.2 74HC與TTL接口85 3.6.3 74HC與單片機(jī)接口85 3.7 元器件的裝配工藝對可靠性的影響86 第4章 電磁干擾硬件控制技術(shù) 4.1 屏蔽技術(shù)88 4.1.1 電場屏蔽88 4.1.2 磁場屏蔽89 4.1.3 電磁場屏蔽91 4.1.4 屏蔽損耗的計算92 4.1.5 屏蔽體屏蔽效能的計算99 4.1.6 屏蔽箱的設(shè)計100 4.1.7 電磁泄漏的抑制措施102 4.1.8 電纜屏蔽層的屏蔽原理108 4.1.9 屏蔽與接地113 4.1.10 屏蔽設(shè)計要點(diǎn)113 4.2 接地技術(shù)114 4.2.1 概述114 4.2.2 安全接地115 4.2.3 工作接地117 4.2.4 接地系統(tǒng)的布局119 4.2.5 接地裝置和接地電阻120 4.2.6 地環(huán)路問題121 4.2.7 浮地方式122 4.2.8 電纜屏蔽層接地123 4.3 濾波技術(shù)126 4.3.1 濾波器概述127 4.3.2 無源濾波器130 4.3.3 有源濾波器138 4.3.4 鐵氧體抗干擾磁珠143 4.3.5 貫通濾波器146 4.3.6 電纜線濾波連接器149 4.3.7 PCB板濾波器件154 4.4 隔離技術(shù)155 4.4.1 光電隔離156 4.4.2 繼電器隔離160 4.4.3 變壓器隔離 161 4.4.4 布線隔離161 4.4.5 共模扼流圈162 4.5 電路平衡結(jié)構(gòu)164 4.5.1 雙絞線在平衡電路中的使用164 4.5.2 同軸電纜的平衡結(jié)構(gòu)165 4.5.3 差分放大器165 4.6 雙絞線的抗干擾原理及應(yīng)用166 4.6.1 雙絞線的抗干擾原理166 4.6.2 雙絞線的應(yīng)用168 4.7 信號線間的串?dāng)_及抑制169 4.7.1 線間串?dāng)_分析169 4.7.2 線間串?dāng)_的抑制173 4.8 信號線的選擇與敷設(shè)174 4.8.1 信號線型式的選擇174 4.8.2 信號線截面的選擇175 4.8.3 單股導(dǎo)線的阻抗分析175 4.8.4 信號線的敷設(shè)176 4.9 漏電干擾的防止措施177 4.10 抑制數(shù)字信號噪聲常用硬件措施177 4.10.1 數(shù)字信號負(fù)傳輸方式178 4.10.2 提高數(shù)字信號的電壓等級178 4.10.3 數(shù)字輸入信號的RC阻容濾波179 4.10.4 提高輸入端的門限電壓181 4.10.5 輸入開關(guān)觸點(diǎn)抖動干擾的抑制方法181 4.10.6 提高器件的驅(qū)動能力184 4.11 靜電放電干擾及其抑制184 第5章 主機(jī)單元配置與抗干擾設(shè)計 5.1 單片機(jī)主機(jī)單元組成特點(diǎn)186 5.1.1 80C51最小應(yīng)用系統(tǒng)186 5.1.2 低功耗單片機(jī)最小應(yīng)用系統(tǒng)187 5.2 總線的可靠性設(shè)計191 5.2.1 總線驅(qū)動器191 5.2.2 總線的負(fù)載平衡192 5.2.3 總線上拉電阻的配置192 5.3 芯片配置與抗干擾193 5.3.1去耦電容配置194 5.3.2 數(shù)字輸入端的噪聲抑制194 5.3.3 數(shù)字電路不用端的處理195 5.3.4 存儲器的布線196 5.4 譯碼電路的可靠性分析197 5.4.1 過渡干擾與譯碼選通197 5.4.2 譯碼方式與抗干擾200 5.5 時鐘電路配置200 5.6 復(fù)位電路設(shè)計201 5.6.1 復(fù)位電路RC參數(shù)的選擇201 5.6.2 復(fù)位電路的可靠性與抗干擾分析202 5.6.3 I/O接口芯片的延時復(fù)位205 5.7 單片機(jī)系統(tǒng)的中斷保護(hù)問題205 5.7.1 80C51單片機(jī)的中斷機(jī)構(gòu)205 5.7.2 常用的幾種中斷保護(hù)措施205 5.8 RAM數(shù)據(jù)掉電保護(hù)207 5.8.1 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)保護(hù)207 5.8.2 利用雙片選的外RAM數(shù)據(jù)保護(hù)207 5.8.3 利用DS1210實(shí)現(xiàn)外RAM數(shù)據(jù)保護(hù)208 5.8.4 2 KB非易失性隨機(jī)存儲器DS1220AB/AD211 5.9 看門狗技術(shù)215 5.9.1 由單穩(wěn)態(tài)電路實(shí)現(xiàn)看門狗電路216 5.9.2 利用單片機(jī)片內(nèi)定時器實(shí)現(xiàn)軟件看門狗217 5.9.3 軟硬件結(jié)合的看門狗技術(shù)219 5.9.4 單片機(jī)內(nèi)配置看門狗電路221 5.10 微處理器監(jiān)控器223 5.10.1 微處理器監(jiān)控器MAX703～709/813L223 5.10.2 微處理器監(jiān)控器MAX791227 5.10.3 微處理器監(jiān)控器MAX807231 5.10.4 微處理器監(jiān)控器MAX690A/MAX692A234 5.10.5 微處理器監(jiān)控器MAX691A/MAX693A238 5.10.6 帶備份電池的微處理器監(jiān)控器MAX1691242 5.11 串行E2PROM X25045245 第6章 測量單元配置與抗干擾設(shè)計 6.1 概述255 6.2 模擬信號放大器256 6.2.1 集成運(yùn)算放大器256 6.2.2 測量放大器組成原理260 6.2.3 單片集成測量放大器AD521263 6.2.4 單片集成測量放大器AD522265 6.2.5 單片集成測量放大器AD526266 6.2.6 單片集成測量放大器AD620270 6.2.7 單片集成測量放大器AD623274 6.2.8 單片集成測量放大器AD624276 6.2.9 單片集成測量放大器AD625278 6.2.10 單片集成測量放大器AD626281 6.3 電壓/電流變換器（V/I）283 6.3.1 V/I變換電路..283 6.3.2 集成V/I變換器XTR101284 6.3.3 集成V/I變換器XTR110289 6.3.4 集成V/I變換器AD693292 6.3.5 集成V/I變換器AD694299 6.4 電流/電壓變換器（I/V）302 6.4.1 I/V變換電路302 6.4.2 RCV420型I/V變換器303 6.5 具有放大、濾波、激勵功能的模塊2B30/2B31305 6.6 模擬信號隔離放大器313 6.6.1 隔離放大器ISO100313 6.6.2 隔離放大器ISO120316 6.6.3 隔離放大器ISO122319 6.6.4 隔離放大器ISO130323 6.6.5 隔離放大器ISO212P326 6.6.6 由兩片VFC320組成的隔離放大器329 6.6.7 由兩光耦組成的實(shí)用線性隔離放大器333 6.7 數(shù)字電位器及其應(yīng)用336 6.7.1 非易失性數(shù)字電位器x9221336 6.7.2 非易失性數(shù)字電位器x9241343 6.8 傳感器供電電源的配置及抗干擾346 6.8.1 傳感器供電電源的擾動補(bǔ)償347 6.8.2 單片集成精密電壓芯片349 6.8.3 A/D轉(zhuǎn)換器芯片提供基準(zhǔn)電壓350 6.9 測量單元噪聲抑制措施351 6.9.1 外部噪聲源的干擾及其抑制351 6.9.2 輸入信號串模干擾的抑制352 6.9.3 輸入信號共模干擾的抑制353 6.9.4 儀器儀表的接地噪聲355 第7章 D/A、A/D單元配置與抗干擾設(shè)計 7.1 D/A、A/D轉(zhuǎn)換器的干擾源357 7.2 D/A轉(zhuǎn)換原理及抗干擾分析358 7.2.1 T型電阻D/A轉(zhuǎn)換器359 7.2.2 基準(zhǔn)電源精度要求361 7.2.3 D/A轉(zhuǎn)換器的尖峰干擾362 7.3 典型D/A轉(zhuǎn)換器與單片機(jī)接口363 7.3.1 并行12位D/A轉(zhuǎn)換器AD667363 7.3.2 串行12位D/A轉(zhuǎn)換器MAX5154370 7.4 D/A轉(zhuǎn)換器與單片機(jī)的光電接口電路377 7.5 A/D轉(zhuǎn)換器原理與抗干擾性能378 7.5.1 逐次比較式ADC原理378 7.5.2 余數(shù)反饋比較式ADC原理378 7.5.3 雙積分ADC原理380 7.5.4 V/F ADC原理382 7.5.5 ∑Δ式ADC原理384 7.6 典型A/D轉(zhuǎn)換器與單片機(jī)接口387 7.6.18 位并行逐次比較式MAX 118387 7.6.28 通道12位A/D轉(zhuǎn)換器MAX 197394 7.6.3 雙積分式A/D轉(zhuǎn)換器5G14433399 7.6.4 V/F轉(zhuǎn)換器AD 652在A/D轉(zhuǎn)換器中的應(yīng)用403 7.7 采樣保持電路與抗干擾措施408 7.8 多路模擬開關(guān)與抗干擾措施412 7.8.1 CD4051412 7.8.2 AD7501413 7.8.3 多路開關(guān)配置與抗干擾技術(shù)413 7.9 D/A、A/D轉(zhuǎn)換器的電源、接地與布線416 7.10 精密基準(zhǔn)電壓電路與噪聲抑制416 7.10.1 基準(zhǔn)電壓電路原理417 7.10.2 引腳可編程精密基準(zhǔn)電壓源AD584418 7.10.3 埋入式齊納二極管基準(zhǔn)AD588420 7.10.4 低漂移電壓基準(zhǔn)MAX676/MAX677/MAX678422 7.10.5 低功率低漂移電壓基準(zhǔn)MAX873/MAX875/MAX876424 7.10.6 MC1403/MC1403A、MC1503精密電壓基準(zhǔn)電路430 第8章 功率接口與抗干擾設(shè)計 8.1 功率驅(qū)動元件432 8.1.1 74系列功率集成電路432 8.1.2 75系列功率集成電路433 8.1.3 MOC系列光耦合過零觸發(fā)雙向晶閘管驅(qū)動器435 8.2 輸出控制功率接口電路438 8.2.1 繼電器輸出驅(qū)動接口438 8.2.2 繼電器—接觸器輸出驅(qū)動電路439 8.2.3 光電耦合器—晶閘管輸出驅(qū)動電路439 8.2.4 脈沖變壓器—晶閘管輸出電路440 8.2.5 單片機(jī)與大功率單相負(fù)載的接口電路441 8.2.6 單片機(jī)與大功率三相負(fù)載間的接口電路442 8.3 感性負(fù)載電路噪聲的抑制442 8.3.1 交直流感性負(fù)載瞬變噪聲的抑制方法442 8.3.2 晶閘管過零觸發(fā)的幾種形式445 8.3.3 利用晶閘管抑制感性負(fù)載的瞬變噪聲447 8.4 晶閘管變流裝置的干擾和抑制措施448 8.4.1 晶閘管變流裝置電氣干擾分析448 8.4.2 晶閘管變流裝置的抗干擾措施449 8.5 固態(tài)繼電器451 8.5.1 固態(tài)繼電器的原理和結(jié)構(gòu)451 8.5.2 主要參數(shù)與選用452 8.5.3 交流固態(tài)繼電器的使用454 第9章 人機(jī)對話單元配置與抗干擾設(shè)計 9.1 鍵盤接口抗干擾問題456 9.2 LED顯示器的構(gòu)造與特點(diǎn)458 9.3 LED的驅(qū)動方式459 9.3.1 采用限流電阻的驅(qū)動方式459 9.3.2 采用LM317的驅(qū)動方式460 9.3.3 串聯(lián)二極管壓降驅(qū)動方式462 9.4 典型鍵盤/顯示器接口芯片與單片機(jī)接口463 9.4.1 8位LED驅(qū)動器ICM 7218B463 9.4.2 串行LED顯示驅(qū)動器MAX 7219468 9.4.3 并行鍵盤/顯示器專用芯片8279482 9.4.4 串行鍵盤/顯示器專用芯片HD 7279A492 9.5 LED顯示接口的抗干擾措施502 9.5.1 LED靜態(tài)顯示接口的抗干擾502 9.5.2 LED動態(tài)顯示接口的抗干擾506 9.6 打印機(jī)接口與抗干擾技術(shù)508 9.6.1 并行打印機(jī)標(biāo)準(zhǔn)接口信號508 9.6.2 打印機(jī)與單片機(jī)接口電路509 9.6.3 打印機(jī)電磁干擾的防護(hù)設(shè)計510 9.6.4 提高數(shù)據(jù)傳輸可靠性的措施512 第10章 供電電源的配置與抗干擾設(shè)計 10.1 電源干擾問題概述513 10.1.1 電源干擾的類型513 10.1.2 電源干擾的耦合途徑514 10.1.3 電源的共模和差模干擾515 10.1.4 電源抗干擾的基本方法516 10.2 EMI電源濾波器517 10.2.1 實(shí)用低通電容濾波器518 10.2.2 雙繞組扼流圈的應(yīng)用518 10.3 EMI濾波器模塊519 10.3.1 濾波器模塊基礎(chǔ)知識519 10.3.2 電源濾波器模塊521 10.3.3 防雷濾波器模塊531 10.3.4 脈沖群抑制模塊532 10.4 瞬變干擾吸收器件532 10.4.1 金屬氧化物壓敏電阻（MOV）533 10.4.2 瞬變電壓抑制器（TVS）537 10.5 電源變壓器的屏蔽與隔離552 10.6 交流電源的供電抗干擾方案553 10.6.1 交流電源配電方式553 10.6.2 交流電源抗干擾綜合方案555 10.7 供電直流側(cè)抑制干擾措施555 10.7.1 整流電路的高頻濾波555 10.7.2 串聯(lián)型直流穩(wěn)壓電源配置與抗干擾556 10.7.3 集成穩(wěn)壓器使用中的保護(hù)557 10.8 開關(guān)電源干擾的抑制措施559 10.8.1 開關(guān)噪聲的分類559 10.8.2 開關(guān)電源噪聲的抑制措施560 10.9 微機(jī)用不間斷電源UPS561 10.10 采用晶閘管無觸點(diǎn)開關(guān)消除瞬態(tài)干擾設(shè)計方案564 第11章 印制電路板的抗干擾設(shè)計 11.1 印制電路板用覆銅板566 11.1.1 覆銅板材料566 11.1.2 覆銅板分類568 11.1.3 覆銅板的標(biāo)準(zhǔn)與電性能571 11.1.4 覆銅板的主要特點(diǎn)和應(yīng)用583 11.2 印制板布線設(shè)計基礎(chǔ)585 11.2.1 印制板導(dǎo)線的阻抗計算585 11.2.2 PCB布線結(jié)構(gòu)和特性阻抗計算587 11.2.3 信號在印制板上的傳播速度589 11.3 地線和電源線的布線設(shè)計590 11.3.1 降低接地阻抗的設(shè)計590 11.3.2 減小電源線阻抗的方法591 11.4 信號線的布線原則592 11.4.1 信號傳輸線的尺寸控制592 11.4.2 線間串?dāng)_控制592 11.4.3 輻射干擾的抑制593 11.4.4 反射干擾的抑制594 11.4.5 微機(jī)自動布線注意問題594 11.5 配置去耦電容的方法594 11.5.1 電源去耦595 11.5.2 集成芯片去耦595 11.6 芯片的選用與器件布局596 11.6.1 芯片選用指南596 11.6.2 器件的布局597 11.6.3 時鐘電路的布置598 11.7 多層印制電路板599 11.7.1 多層印制板的結(jié)構(gòu)與特點(diǎn)599 11.7.2 多層印制板的布局方案600 11.7.3 20H原則605 11.8 印制電路板的安裝和板間配線606 第12章 軟件抗干擾原理與方法 12.1 概述607 12.1.1 測控系統(tǒng)軟件的基本要求607 12.1.2 軟件抗干擾一般方法607 12.2 指令冗余技術(shù)608 12.2.1 NOP的使用609 12.2.2 重要指令冗余609 12.3 軟件陷阱技術(shù)609 12.3.1 軟件陷阱609 12.3.2 軟件陷阱的安排610 12.4 故障自動恢復(fù)處理程序613 12.4.1 上電標(biāo)志設(shè)定614 12.4.2 RAM中數(shù)據(jù)冗余保護(hù)與糾錯616 12.4.3 軟件復(fù)位與中斷激活標(biāo)志617 12.4.4 程序失控后恢復(fù)運(yùn)行的方法618 12.5 數(shù)字濾波619 12.5.1 程序判斷濾波法620 12.5.2 中位值濾波法620 12.5.3 算術(shù)平均濾波法621 12.5.4 遞推平均濾波法623 12.5.5 防脈沖干擾平均值濾波法624 12.5.6 一階滯后濾波法626 12.6 干擾避開法627 12.7 開關(guān)量輸入/輸出軟件抗干擾設(shè)計629 12.7.1 開關(guān)量輸入軟件抗干擾措施629 12.7.2 開關(guān)量輸出軟件抗干擾措施629 12.8 編寫軟件的其他注意事項(xiàng)630 附錄 電磁兼容器件選購信息632
標(biāo)簽： 單片機(jī) 應(yīng)用系統(tǒng) 抗干擾技術(shù)
上傳時間： 2013-10-20
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對于Intel x86 PC , 開啟電源后, 機(jī)器就會開始執(zhí)行ROM BIOS的一系列系統(tǒng)測試動作，包括檢查RAM，keyboard，顯示器，軟硬磁盤等等。執(zhí)行完bios 的系統(tǒng)測試之后，緊接著控制權(quán)會轉(zhuǎn)移給ROM 中的啟動程序(ROM bootstrap routine)；這個程序會將磁盤上的第0軌第0 扇區(qū)（叫boot sector 或MBR ，系統(tǒng)的引導(dǎo)程序就放在此處）讀入內(nèi)存中，并放到自0x07C0:0x0000 開始的512 個字節(jié)處.
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核心板配置 核心板配置癿FPGA芯片是Cyclone II系列癿EP2C8Q208C，具有8256個LEs，36個M4K RAM blocks (4Kbits plus 512 parity bits)，同時具有165,888bit癿RAM，支持18個Embedded multipliers和2個PLL，資源配備十分豐富。實(shí)驗(yàn)證明，返款芯片在嵌入NIOS II軟核將黑釐開収板癿所有外謳全部跑起來，僅占全部資源癿70-80% ; 核心板同時配備了64Mbit癿SDRAM，對亍運(yùn)行NIOS軟核提供了有力癿保障，返款芯片為時鐘頻率有143MHz，實(shí)驗(yàn)證明，NIOS II軟核主頻可以平穩(wěn)運(yùn)行120MHz，速度迓是相當(dāng)忚癿; 16Mbit癿配置芯片也為返款核心板增色丌少，丌僅可以存儲配置信息，同時迓可以實(shí)現(xiàn)NIOS II軟件程序存儲，你編寫癿程序再大也沒有后頊乀憂了。 20M癿有源晶振也是必丌可少癿，他是整個系統(tǒng)癿時鐘源泉;4個LED對亍調(diào)試來說更是提供了徑多方便;復(fù)位按鍵，重新配置按鍵，配置指示燈一個也丌能少;同時支持AS模式和JTAG模式; 除此以外，核心板一個更大的特點(diǎn)是它可以獨(dú)立亍底板單獨(dú)運(yùn)行，為此配備了5V癿電源接口，高質(zhì)量癿紅色開關(guān)，為了安全迓加入了自恢復(fù)保險絲。當(dāng)然擴(kuò)展口是丌能少癿，除了SDRAM占用癿38個IO口外，其他100個IO全部擴(kuò)展出來，為大家可以迕行自我擴(kuò)展實(shí)驗(yàn)做好了充分癿準(zhǔn)備。 四、 下擴(kuò)展板配置 為了讓FPGA収揮它癿強(qiáng)大功能，黑釐開収板為其謳計一款資源豐富癿下擴(kuò)展板(乀所以叨下擴(kuò)展板，是因?yàn)槲覀兒罄m(xù)迓會有上擴(kuò)展板)。下面我們就來簡單介終一下下擴(kuò)展板癿資源配置。 支持網(wǎng)絡(luò)功能，配置ENC28J60網(wǎng)口芯片。ENC28J60是Microchip Technology(美國微芯科技公司)推出癿28引腳獨(dú)立以太網(wǎng)控刢器。目前市場上大部分以太網(wǎng)控刢器癿封裝均赸過80引腳，而符吅IEEE 802.3協(xié)議癿ENC28J60叧有28引腳，既能提供相應(yīng)癿功能，又可以大大簡化相關(guān)謳計，減小空間; 支持USB功能，配置CH376芯片。CH376 支持USB 謳備方式和USB 主機(jī)方式，幵丏內(nèi)置了USB 途訊協(xié)議癿基本固件，內(nèi)置了處理Mass-Storage海量存儲謳備癿與用途訊協(xié)議癿固件，內(nèi)置了SD 卡癿途訊接口固件，內(nèi)置了FAT16和FAT32 以及FAT12 文件系統(tǒng)癿管理固件，支持常用癿USB 存儲謳備(包括U 盤/USB 硬盤/USB 閃存盤/USB 讀卡器)和SD 卡(包括標(biāo)準(zhǔn)容量SD 卡和高容量HC-SD 卡以及協(xié)議兼容癿MMC 卡和TF 卡); 支持板載128*64的點(diǎn)陣LCD。ST7565P控刢芯片，內(nèi)置DC/DC電路，途過軟件調(diào)節(jié)對比度。該芯片支持，幵口和串口丟種方式;
上傳時間： 2013-11-23
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目錄執(zhí)行摘要 01并購：中國下一個階段發(fā)展的主要增長戰(zhàn)略 03通過培養(yǎng)技能和積累經(jīng)驗(yàn)來克服困難 05在并購全程的三個階段實(shí)現(xiàn)最大價值 061. 制定成功的并購戰(zhàn)略：我們是在開展適當(dāng)?shù)慕灰讍?062. 評估收購目標(biāo)：不僅考慮經(jīng)濟(jì)因素，而且還重點(diǎn)考慮業(yè)務(wù)模式與運(yùn)行 093. 管理并監(jiān)控整合工作：合并后的整合工作不到位常導(dǎo)致喪失大多數(shù)收益 11實(shí)現(xiàn)成功的并購：歸根結(jié)底依賴于適當(dāng)?shù)哪芰Α⑷瞬藕头椒?15結(jié)語 16 并購：中國下一個階段發(fā)展的主要增長戰(zhàn)略參與并購活動的中國公司越來越多。2007年前11個月的交易量比2006年全年增長了18%，交易額增加了25%1。近期開展的調(diào)查顯示，每10家中國國內(nèi)企業(yè)中就有9家稱他們參加過或者打算進(jìn)行并購活動。2 然而，最顯著的趨勢是中國公司在最近的并購交易中更多是買家身份，無論是國內(nèi)收購還是跨越國界的收購。相比之下，國外企業(yè)收購中國公司呈現(xiàn)下滑趨勢。多項(xiàng)國際調(diào)查顯示，許多并購都無法實(shí)現(xiàn)預(yù)期成效。然而也有證據(jù)表明頻繁參與并購的公司通過積累經(jīng)驗(yàn)而提高了成功率。本文涵蓋了IBM自己的經(jīng)驗(yàn)－如何使用和管理并購以便實(shí)現(xiàn)可持續(xù)增長，以及怎樣通過與領(lǐng)先公司合作來組織和管理并購。中國公司如能借鑒實(shí)用的洞察力和最佳業(yè)務(wù)實(shí)踐來克服挑戰(zhàn)，將會最大限度地提高并購全部三個階段的價值，最終受益匪淺。在并購活動中，中國公司日益成為收購方，而不是被收購方2006年，國內(nèi)的并購占到中國總交易量的60%以上3（見圖1），主要驅(qū)動力來自政府或市場驅(qū)動的行業(yè)合并。中國政府一直都在穩(wěn)定地合并大量國有企業(yè)以便打造更有競爭力的公司，特別是在電信、能源和交通運(yùn)輸及資源等“戰(zhàn)略性”行業(yè)。這個趨勢在今后幾年中還將繼續(xù)發(fā)展，國務(wù)院國有資產(chǎn)監(jiān)督管理委員會（SASAC）計劃到2008年底將國有企業(yè)的數(shù)量從2007年的155家減少至80-100家。4 在解除管制的行業(yè)，如零售、高科技和制造業(yè)，國內(nèi)公司也掀起了一個合并浪潮，其目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)規(guī)模經(jīng)濟(jì)并提高效率，從而在競爭日益激烈的市場中立于不敗之地。在中國發(fā)揮并購效力的法則謀事在人，成事在天？1H 2006 1H2007按類型對并購進(jìn)行細(xì)分交易數(shù)量國內(nèi)并購對內(nèi)并購對外并購5 10 15 2016.3012.111.37.32.46.7600 400 200 05122582963161218交易額（單位：十億美元）圖1 按類型對并購進(jìn)行細(xì)分資料來源：亞太區(qū)并購公告，2007，普華永道
上傳時間： 2013-10-22
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你是否曾經(jīng)這樣定義過變量：int a[50]; ？或許你會說，這是一句再普通不過的代碼了。那么int a[1000000]; 呢？int a[512][512]; 呢？用了這么久的VC，直到今天才發(fā)現(xiàn)，自己連最基本的東西還沒弄清楚。
上傳時間： 2014-04-06
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PCI-PCI 橋啟動時，一般需要從EEPROM 預(yù)讀取配置數(shù)據(jù)。更改EEPROM中的數(shù)據(jù)一般需要專用的燒結(jié)器，這給調(diào)試過程帶來不便。尤其是采用表貼封裝的EEPROM。本文以Intel 公司的Dec21554PCI-PCI 橋?yàn)槔榻B一種在線讀寫EEPROM 的方法。EEPROM選用的是ATMEL 公司生產(chǎn)的AT93LC66，4Kbit，按512×8bit 組織。
上傳時間： 2013-11-08
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介紹幾種cpuThe 8xC251SA/SB/SP/SQ improves on the MCS-51 architecture and peripheral features, introducing the advanced register based CPU architecture i.e., the MCS 251 microcontroller architecture. The register based CPU supports a 40-byte register file. In addition, the 8xC251SA/SB/SP/SQ microcontroller has 256-Kbyte expanded external code/data memory space and 64-Kbyte stack space. The new controller is also specially designed to execute C code efficiently. More importantly, the 8xC251SA/SB/SP/SQ maintains binary code compatibility with MCS 51 microcontrollers but at the same time allows the use of the powerful MCS 251 microcontroller instruction set, with many new 8, 16 and 32 bit instructions available. The 8xC251SA/SB/SP/SQ has 512 bytes or 1 Kbyte of on-chip data RAM options and is available in 16 Kbytes and 8 Kbytes of on-chip ROM/OTPROM or ROMless options.
標(biāo)簽： architecture introducin peripheral improves
上傳時間： 2015-03-15
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