全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布針對節(jié)能汽車柵極驅(qū)動應用推出堅固可靠的 600V IC 系列，應用領(lǐng)域包括壓電與共軌噴射系統(tǒng)、起動發(fā)電機、電子動力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)、風扇和壓縮機等。
標簽： IR產(chǎn)品
上傳時間： 2013-04-24
上傳用戶：磊子226
CoolMOS具有優(yōu)越的直流特性。為了設(shè)計出一個600V CoolMOS結(jié)構(gòu)，首先CoolMOS的結(jié)構(gòu)人手，結(jié)合電荷平衡
標簽： V_CoolMOS 600 優(yōu)化設(shè)計
上傳時間： 2013-10-27
上傳用戶：netwolf
Recently a new technology for high voltage Power MOSFETshas been introduced – the CoolMOS™ . Based on thenew device concept of charge compensation the RDS(on) areaproduct for e.g. 600V transistors has been reduced by afactor of 5. The devices show no bipolar current contributionlike the well known tail current observed during the turn-offphase of IGBTs. CoolMOS™ virtually combines the lowswitching losses of a MOSFET with the on-state losses of anIGBT.
標簽： COOLMOS
上傳時間： 2013-11-14
上傳用戶：zhyiroy
經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌MI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。
上傳時間： 2014-09-08
上傳用戶：swing
ThinQ!™ SiC 二極管的模塊時代 600V / 1200V / 1700V –部分產(chǎn)品 應用
上傳時間： 2013-11-16
上傳用戶：yzy6007
緊湊型熒光燈（CFL）作為綠色照明產(chǎn)品已得到國家的認可與大力推薦。為充分發(fā)揮CFL調(diào)光燈的特點，恩智浦半導體推出了UBA2028用于CFL調(diào)光燈的控制芯片。它是采用EZ-HV SOI工藝流程做的600V的集成芯片，內(nèi)部集成半橋驅(qū)動電路和兩個MOSFET管；UBA2028其支持的工作電流在不超過芯片最高溫度1500C限制下可以達到700mA；由于它集成度高，外接元件顯著減少,可以構(gòu)成一個高效率，高可靠的調(diào)光節(jié)能燈控制系統(tǒng)；性價比非常好。
上傳時間： 2013-10-28
上傳用戶：hgy9473
TLP265J，TLP266J是東芝新推出的2款4pin SO6封裝的雙向可控硅輸出光耦，它們的耐壓能力能達到600V，它旨在取代以前采用4pin MFSOP6封裝的TLP260J和TLP261J，因為MFSOP6封裝的爬電距離較小，使其的隔離電壓只能達到BVS=3000 Vrms ，這使得東芝的這系列產(chǎn)品在與競爭對手的產(chǎn)品對比中處于劣勢，因為目前SOP封裝的光耦隔離電壓普遍能達到BVS=3750 Vrms 。而東芝新推出的TLP265J，TLP266J也能達到這個隔離能力。
上傳時間： 2013-10-22
上傳用戶：zhouli
這款是SEMIKRON公司的三電平模塊數(shù)據(jù)手冊，600V的電壓等級75A的額定電流
標簽： IGBT 三電平 模塊 數(shù)據(jù)手冊
上傳時間： 2017-08-17
上傳用戶：lihaooliver
本論文提出一種600V平面柵FS-IGBT器件的設(shè)計與制造方法，并通過和國內(nèi)某知名代工線合作，完成了器件制備和測試。600V面FS-IGBT的研制工作展開論述。1、首先對IGBT原理及FS層的原理進行分析討論，然后結(jié)合代工線的特點，進行了600V平面柵FS結(jié)構(gòu)IGBT的工藝流程、元胞結(jié)構(gòu)與終端結(jié)構(gòu)設(shè)計，最后完成版圖設(shè)計并進行工藝流片。所設(shè)計的器件工藝流程為：先進行器件背面的FS層制作，然后進行正面結(jié)構(gòu)（包括元胞和終端）的制作，最后再進行背面的P+區(qū)注入和金屬化。2、對流片獲得的600V FS-IGBT器件進行了主要電學參數(shù)的測試和分析。測試結(jié)果為：耐壓大于700V、正向?qū)▔航档陀?.15V、閾值電壓4.1-4.5V。滿足設(shè)計要求。/本論文的研究成果對于促進我國FS結(jié)構(gòu)IGBT的研究和產(chǎn)業(yè)化具有很好的參考價值，通過進一步改進工藝及結(jié)構(gòu)，提高產(chǎn)品良率，最終可以形成有競爭力的產(chǎn)品。
標簽： igbt
上傳時間： 2022-06-19
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本設(shè)計主要思路是想實現(xiàn)一種通過USART 就可以直接控制大功率電機驅(qū)動控制板集成STM32主控，可通過USART控制電機，附件內(nèi)容包含原理圖和PCB和基于STM32固件程序（含有IGBT驅(qū)動芯片：1ED020I12-B2 輸出電流高達2A,所有的邏輯是不5V CMOS兼容的,能直接連接到MCU適用于600V/1200V IGBT,主要用在大功率電機驅(qū)動。簡單USART控制命令可以讓您在此基礎(chǔ)上二次開發(fā)。支持最大5KW超大功率電機。
上傳時間： 2022-07-01
上傳用戶：zhaiyawei
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