<dl id="m88ya"></dl>
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布針對節能汽車柵極驅動應用推出堅固可靠的 600V IC 系列，應用領域包括壓電與共軌噴射系統、起動發電機、電子動力轉向系統、風扇和壓縮機等。
標簽： IR產品
上傳時間： 2013-04-24
上傳用戶：磊子226
CoolMOS具有優越的直流特性。為了設計出一個600V CoolMOS結構，首先CoolMOS的結構人手，結合電荷平衡
上傳時間： 2013-10-27
上傳用戶：netwolf
Recently a new technology for high voltage Power MOSFETshas been introduced – the CoolMOS™ . Based on thenew device concept of charge compensation the RDS(on) areaproduct for e.g. 600V transistors has been reduced by afactor of 5. The devices show no bipolar current contributionlike the well known tail current observed during the turn-offphase of IGBTs. CoolMOS™ virtually combines the lowswitching losses of a MOSFET with the on-state losses of anIGBT.
標簽： COOLMOS
上傳時間： 2013-11-14
上傳用戶：zhyiroy
經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。
上傳時間： 2014-09-08
上傳用戶：swing
ThinQ!™ SiC 二極管的模塊時代 600V / 1200V / 1700V –部分產品 應用
上傳時間： 2013-11-16
上傳用戶：yzy6007
緊湊型熒光燈（CFL）作為綠色照明產品已得到國家的認可與大力推薦。為充分發揮CFL調光燈的特點，恩智浦半導體推出了UBA2028用于CFL調光燈的控制芯片。它是采用EZ-HV SOI工藝流程做的600V的集成芯片，內部集成半橋驅動電路和兩個MOSFET管；UBA2028其支持的工作電流在不超過芯片最高溫度1500C限制下可以達到700mA；由于它集成度高，外接元件顯著減少,可以構成一個高效率，高可靠的調光節能燈控制系統；性價比非常好。
上傳時間： 2013-10-28
上傳用戶：hgy9473
TLP265J，TLP266J是東芝新推出的2款4pin SO6封裝的雙向可控硅輸出光耦，它們的耐壓能力能達到600V，它旨在取代以前采用4pin MFSOP6封裝的TLP260J和TLP261J，因為MFSOP6封裝的爬電距離較小，使其的隔離電壓只能達到BVS=3000 Vrms ，這使得東芝的這系列產品在與競爭對手的產品對比中處于劣勢，因為目前SOP封裝的光耦隔離電壓普遍能達到BVS=3750 Vrms 。而東芝新推出的TLP265J，TLP266J也能達到這個隔離能力。
上傳時間： 2013-10-22
上傳用戶：zhouli
這款是SEMIKRON公司的三電平模塊數據手冊，600V的電壓等級75A的額定電流
上傳時間： 2017-08-17
上傳用戶：lihaooliver
本論文提出一種600V平面柵FS-IGBT器件的設計與制造方法，并通過和國內某知名代工線合作，完成了器件制備和測試。600V面FS-IGBT的研制工作展開論述。1、首先對IGBT原理及FS層的原理進行分析討論，然后結合代工線的特點，進行了600V平面柵FS結構IGBT的工藝流程、元胞結構與終端結構設計，最后完成版圖設計并進行工藝流片。所設計的器件工藝流程為：先進行器件背面的FS層制作，然后進行正面結構（包括元胞和終端）的制作，最后再進行背面的P+區注入和金屬化。2、對流片獲得的600V FS-IGBT器件進行了主要電學參數的測試和分析。測試結果為：耐壓大于700V、正向導通壓降低于1.15V、閾值電壓4.1-4.5V。滿足設計要求。/本論文的研究成果對于促進我國FS結構IGBT的研究和產業化具有很好的參考價值，通過進一步改進工藝及結構，提高產品良率，最終可以形成有競爭力的產品。
標簽： igbt
上傳時間： 2022-06-19
上傳用戶：
本設計主要思路是想實現一種通過USART 就可以直接控制大功率電機驅動控制板集成STM32主控，可通過USART控制電機，附件內容包含原理圖和PCB和基于STM32固件程序（含有IGBT驅動芯片：1ED020I12-B2 輸出電流高達2A,所有的邏輯是不5V CMOS兼容的,能直接連接到MCU適用于600V/1200V IGBT,主要用在大功率電機驅動。簡單USART控制命令可以讓您在此基礎上二次開發。支持最大5KW超大功率電機。
上傳時間： 2022-07-01
上傳用戶：zhaiyawei
