經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來(lái)調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來(lái)做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測(cè)試。
上傳時(shí)間： 2014-09-08
上傳用戶：swing
在電源設(shè)計(jì)中，工程人員時(shí)常會(huì)面臨控制 IC 驅(qū)動(dòng)電流不足的問(wèn)題，或者因?yàn)殚l極驅(qū)動(dòng)損耗導(dǎo)致控制 IC 功耗過(guò)大。為解決這些問(wèn)題，工程人員通常會(huì)採(cǎi)用外部驅(qū)動(dòng)器。目前許多半導(dǎo)體廠商都有現(xiàn)成的 MOSFET 積體電路驅(qū)動(dòng)器解決方案，但因?yàn)槌杀究剂浚こ處熗鶗?huì)選擇比較低價(jià)的獨(dú)立元件。
上傳時(shí)間： 2013-11-19
上傳用戶：阿譚電器工作室
CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時(shí)脈頻率、系統(tǒng)內(nèi)各閘極輸入電容及電源電壓有關(guān)，裝置尺寸縮小後，電源電壓也隨之降低，使得閘極大幅降低功耗。這種低電壓裝置擁有更低的功耗和更高的運(yùn)作速度，因此系統(tǒng)時(shí)脈頻率可升高至 Ghz 範(fàn)圍。
上傳時(shí)間： 2013-10-14
上傳用戶：immanuel2006
透過(guò)增加輸入電容，可以在獲得更多鏈波電流的同時(shí)，還能藉由降低輸入電容的壓降來(lái)縮小電源的工作輸入電壓範(fàn)圍。這會(huì)影響電源的變壓器圈數(shù)比以及各種電壓與電流應(yīng)力(current stresscurrent stress current stresscurrent stress current stress current stress )。電容鏈波電流額定值越大，應(yīng)力越小，電源效率也就越高。
上傳時(shí)間： 2013-11-11
上傳用戶：jelenecheung
開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)資料
標(biāo)簽： 開(kāi)關(guān)電源 設(shè)計(jì)實(shí)例 調(diào)試
上傳時(shí)間： 2013-11-08
上傳用戶：李哈哈哈
無(wú)線感測(cè)器已變得越來(lái)越普及，短期內(nèi)其開(kāi)發(fā)和部署數(shù)量將急遽增加。而無(wú)線通訊技術(shù)的突飛猛進(jìn)，也使得智慧型網(wǎng)路中的無(wú)線感測(cè)器能夠緊密互連。此外，系統(tǒng)單晶片(SoC)的密度不斷提高，讓各式各樣的多功能、小尺寸無(wú)線感測(cè)器系統(tǒng)相繼問(wèn)市。儘管如此，工程師仍面臨一個(gè)重大的挑戰(zhàn)：即電源消耗。
標(biāo)簽： 能量采集 無(wú)線感測(cè)器
上傳時(shí)間： 2013-10-30
上傳用戶：wojiaohs
特點(diǎn) 精確度0.1%滿刻度 可輸入交直流電流/交直流電壓/電位計(jì)/傳送器...等信號(hào) 16 BIT類(lèi)比輸出功能 輸入與輸出絕緣耐壓2仟伏特/1分鐘 寬范圍交直流兩用電源設(shè)計(jì) 尺寸小,穩(wěn)定性高 2主要規(guī)格 精確度: 0.1% F.S. (23 ±5℃) 顯示值范圍: 0-±19999 digit adjustable 類(lèi)比輸出解析度: 16 bit DAC 輸出反應(yīng)速度: < 250 ms (0-90%)(>10Hz) 輸出負(fù)載能力: < 10mA for voltage mode < 10V for current mode 輸出之漣波: < 0.1% F.S. 歸零調(diào)整范圍: 0- ±9999 Digit adjustable 最大值調(diào)整范圍: 0- ±9999 Digit adjustable 溫度系數(shù): 50ppm/℃ (0-50℃) 顯示幕: Red high efficiency LEDs high 10.16mm (0.4") 隔離特性: Input/Output/Power/Case 參數(shù)設(shè)定方式: Touch switches 記憶方式: Non-volatile E2PROM memory 絕緣抗阻: >100Mohm with 500V DC 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 1600Vdc (input/output) 使用環(huán)境條件: 0-60℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環(huán)境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) 安裝方式: Socket/plugin type with barrier terminals CE認(rèn)證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
上傳時(shí)間： 2014-01-05
上傳用戶：eastgan
特點(diǎn) 精確度0.05%滿刻度 ±1位數(shù) 顯示范圍-19999-99999可任意規(guī)劃 可直接量測(cè)直流4至20mA電流,無(wú)需另接輔助電源 尺寸小(24x48x50mm),穩(wěn)定性高 分離式端子,配線容易 CE 認(rèn)證 主要規(guī)格 輔助電源: None 精確度: 0.05% F.S. ±1 digit(DC) 輸入抗阻: approx. 250 ohm with 20mA input 輸入電壓降: max. DC5V with 20mA input 最大過(guò)載能力: < ±50mA 取樣時(shí)間: 2.5 cycles/sec. 顯示值范圍: -19999 - 99999 digit adjustable 歸零調(diào)整范圍: -999-999 digit adjustable 最大值調(diào)整范圍: -999-999 digit adjustable 過(guò)載顯示: " doFL " or "-doFL" 極性顯示: " 一 " for negative readings 顯示幕 : Brigh Red LEDs high 8.6mm(.338") 溫度系數(shù) : 50ppm/℃ (0-50℃) 參數(shù)設(shè)定方式: Touch switches 記憶型式: Non-volatile E2 外殼材料: ABS 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/case) 使用環(huán)境條件: 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環(huán)境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) 外型尺寸: 24x48x50mm CE認(rèn)證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
上傳時(shí)間： 2013-10-09
上傳用戶：lhuqi
PCB LAYOUT 術(shù)語(yǔ)解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數(shù)零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD：在銲錫面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER：?jiǎn)巍㈦p層板之各層線路；多層板之上、下兩層線路及內(nèi)層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER：通常指多層板之電源層。8. INNER PAD：多層板之POSITIVE LAYER 內(nèi)層PAD。9. ANTI-PAD：多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範(fàn)圍，不與零件腳相接。10. THERMAL PAD：多層板內(nèi)NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時(shí)所使用之PAD，一般稱(chēng)為散熱孔或?qū)住?1. PAD (銲墊)：除了SMD PAD 外，其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應(yīng)相同。12. Moat : 不同信號(hào)的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時(shí)的走線格點(diǎn)2. Test Point : ATE 測(cè)試點(diǎn)供工廠ICT 測(cè)試治具使用ICT 測(cè)試點(diǎn) LAYOUT 注意事項(xiàng):PCB 的每條TRACE 都要有一個(gè)作為測(cè)試用之TEST PAD(測(cè)試點(diǎn))，其原則如下：1. 一般測(cè)試點(diǎn)大小均為30-35mil，元件分布較密時(shí)，測(cè)試點(diǎn)最小可至30mil.測(cè)試點(diǎn)與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測(cè)試點(diǎn)與測(cè)試點(diǎn)間的間距最小為50-75mil，一般使用75mil。密度高時(shí)可使用50mil,3. 測(cè)試點(diǎn)必須均勻分佈於PCB 上，避免測(cè)試時(shí)造成板面受力不均。4. 多層板必須透過(guò)貫穿孔(VIA)將測(cè)試點(diǎn)留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測(cè)試點(diǎn)必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測(cè)率7. 測(cè)試點(diǎn)設(shè)置處:Setuppadsstacks
標(biāo)簽： layout design pcb 硬件工程師
上傳時(shí)間： 2013-11-17
上傳用戶：cjf0304
微電腦型RS-485顯示電表（24*48mm/48*96mm） 特點(diǎn)： 5位數(shù)RS-485顯示電表 顯示范圍-19999-99999位數(shù) 通訊協(xié)議Modbus RTU模式 寬范圍交直流兩用電源設(shè)計(jì) 尺寸小,穩(wěn)定性高 主要規(guī)格： 顯示范圍:-19999~99999 digit RS-485傳輸速度: 19200/9600/4800/2400 selective RS-485通訊位址: "01"-"FF" RS-485通訊協(xié)議: Modbus RTU mode 顯示幕: Red high efficiency LEDs high 10.16 mm (0.4") (MMX-RS-11X) Red high efficiency LEDs high 20.32 mm (0.8") (MMX-RS-12X) Red high efficiency LEDs high 10.16 mm (0.4")x2 (MMX-RS-22X) 參數(shù)設(shè)定方式: Touch switches 記憶方式: Non-volatile E²PROM memory 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/power) 使用環(huán)境條件: 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環(huán)境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE認(rèn)證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
上傳時(shí)間： 2015-01-03
上傳用戶：feitian920
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