看到不少網(wǎng)友對(duì)COOLMOS感興趣，把自己收集整理的資料、個(gè)人理解發(fā)出來(lái)，與大家共享。個(gè)人理解不一定完全正確，僅供參考。COOLMOS（super junction）原理，與普通VDMOS的差異如下： 對(duì)于常規(guī)VDMOS器件結(jié)構(gòu)，大家都知道Rdson與BV這一對(duì)矛盾關(guān)系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson就大了。所以對(duì)于普通VDMOS，兩者矛盾不可調(diào)和。8 X( ?1 B4 i* q: i但是對(duì)于COOLMOS，這個(gè)矛盾就不那么明顯了。通過(guò)設(shè)置一個(gè)深入EPI的的P區(qū)，大大提高了BV，同時(shí)對(duì)Rdson上不產(chǎn)生影響。為什么有了這個(gè)深入襯底的P區(qū)，就能大大提高耐壓呢？
標(biāo)簽： COOLMOS
上傳時(shí)間： 2014-12-23
上傳用戶：標(biāo)點(diǎn)符號(hào)
iso u-p-o 系列直流電壓信號(hào)隔離放大器是一種將電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換成按比例輸出的隔離電流或電壓信號(hào)的混合集成電路。該ic內(nèi)部含有一組高隔離的dc/dc電源和電壓信號(hào)高效率耦合隔離變換電路等，可以將直流電壓小信號(hào)進(jìn)行隔離放大（u/u）輸出或直接轉(zhuǎn)換為直流電流（u /i）信號(hào)輸出。較大的輸入阻抗（≥1 mω）,較強(qiáng)的帶負(fù)載能力（電流輸出＞650ω,電壓輸出≥2kω）能實(shí)現(xiàn)小信號(hào)遠(yuǎn)程無(wú)失真的傳輸。 ic內(nèi)部可采用陶瓷基板、印刷電阻全smt的可靠工藝制作及使用新技術(shù)隔離措施，使器件能滿足信號(hào)輸入/輸出/輔助電源之間3kv三隔離和工業(yè)級(jí)寬溫度、潮濕震動(dòng)等現(xiàn)場(chǎng)環(huán)境要求。外接滿度校正和零點(diǎn)校正的多圈電位器可實(shí)現(xiàn) 0-5v/0-10v/1-5v4-20ma/0-20ma等信號(hào)之間的隔離和轉(zhuǎn)換。（精度線性高，隔離電壓3000vdc）
上傳時(shí)間： 2014-12-23
上傳用戶：392210346
對(duì)于常規(guī)VDMOS器件結(jié)構(gòu)， Rdson與BV存在矛盾關(guān)系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson增大。所以對(duì)于普通VDMOS，兩者矛盾不可調(diào)和。 但是對(duì)于COOLMOS，這個(gè)矛盾就不那么明顯了。通過(guò)設(shè)置一個(gè)深入EPI的的P區(qū)，大大提高了BV，同時(shí)對(duì)Rdson上不產(chǎn)生影響。為什么有了這個(gè)深入襯底的P區(qū)，就能大大提高耐壓呢？ 對(duì)于常規(guī)VDMOS，反向耐壓，主要靠的是N型EPI與body區(qū)界面的PN結(jié)，對(duì)于一個(gè)PN結(jié)，耐壓時(shí)主要靠的是耗盡區(qū)承受，耗盡區(qū)內(nèi)的電場(chǎng)大小、耗盡區(qū)擴(kuò)展的寬度的面積，也就是下圖中的淺綠色部分，就是承受電壓的大小。常規(guī)VDMOS，P body濃度要大于N EPI， PN結(jié)耗盡區(qū)主要向低參雜一側(cè)擴(kuò)散，所以此結(jié)構(gòu)下，P body區(qū)域一側(cè)，耗盡區(qū)擴(kuò)展很小，基本對(duì)承壓沒(méi)有多大貢獻(xiàn)，承壓主要是P body－－N EPI在N型的一側(cè)區(qū)域，這個(gè)區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度是逐漸變化的，越是靠近PN結(jié)面（a圖的A結(jié)），電場(chǎng)強(qiáng)度E越大。所以形成的淺綠色面積有呈現(xiàn)梯形。
上傳時(shí)間： 2013-11-11
上傳用戶：小眼睛LSL
本文敘述了研制的應(yīng)用于VSAT衛(wèi)星通信的Ku波段30W固態(tài)功率放大器(SSPA)。闡述了該固態(tài)功率放大器的方案構(gòu)成和關(guān)鍵部分的設(shè)計(jì)，包括功率合成網(wǎng)絡(luò)、微帶．波導(dǎo)轉(zhuǎn)換的設(shè)計(jì)；功率合成電路的設(shè)計(jì)，特別是波導(dǎo)魔T的優(yōu)化設(shè)計(jì)。研制的30W固態(tài)功率放大器的主要性能為：中心頻率14．25GHz，帶寬500MHz，P．1dB輸出功率30W，大信號(hào)增益45dB，帶內(nèi)波動(dòng)小于5dB。
標(biāo)簽： 30W Ku波段 固態(tài)功率 放大器
上傳時(shí)間： 2013-11-22
上傳用戶：robter
各研究機(jī)構(gòu)提出了像素補(bǔ)償電路用于改善OLED的均勻性和穩(wěn)定性等問(wèn)題,文中對(duì)目前采用有源OLED的α-Si TFT和p-Si TFT的各種像素補(bǔ)償電路進(jìn)行了分析。分析結(jié)果表明,文中設(shè)計(jì)方案取得了一定的效果,但尚存不足。
標(biāo)簽： AMOLED TFT 穩(wěn)定性 像素
上傳時(shí)間： 2013-11-21
上傳用戶：pioneer_lvbo
通常以為T(mén)TL門(mén)的速度高于“CMOS門(mén)電路。影響TTL門(mén)電路工作速度的主要因素是電路內(nèi)部管子的開(kāi)關(guān)特性、電路結(jié)構(gòu)及內(nèi)部的各電阻數(shù)值。電阻數(shù)值越大，作速度越低。管子的開(kāi)關(guān)時(shí)間越長(zhǎng)，門(mén)的工作速度越低。門(mén)的速度主要體現(xiàn)在輸出波形相對(duì)于輸入波形上有“傳輸延時(shí)”tpd。將tpd與空載功耗P的乘積稱“速度-功耗積”，做為器件性能的一個(gè)重要指標(biāo)，其值越小，表明器件的性能越 好（一般約為幾十皮（10-12）焦耳）。與TTL門(mén)電路的情況不同，影響CMOS電路工作速度的主要因素在于電路的外部，即負(fù)載電容CL。CL是主要影響器件工作速度的原因。由CL所決定的影響CMOS門(mén)的傳輸延時(shí)約為幾十納秒。
上傳時(shí)間： 2013-11-22
上傳用戶：DE2542
比例控制(P)是一種最簡(jiǎn)單的控制方式。其控制器的輸出與輸入誤差信號(hào)成比例關(guān)系。根據(jù)設(shè)備有所不同，比例帶一般為2～10％(溫度控制)。但是，僅僅是P 控制的話，會(huì)產(chǎn)生下面將提到的off set (穩(wěn)態(tài)誤差)，所以一般加上積分控制(I)，以消除穩(wěn)態(tài)誤差。
上傳時(shí)間： 2014-07-21
上傳用戶：frank1234
PID控制器由比例單元(P)、積分單元(I)和微分單元(D)組成。其輸入e (t)與輸出u (t)的關(guān)系為 u(t)=kp[e(t)+1/TI∫e(t)dt+TD*de(t)/dt] 式中積分的上下限分別是0和t 因此它的傳遞函數(shù)為：G(s)=U(s)/E(s)=kp[1+1/(TI*s)+TD*s] 其中kp為比例系數(shù); TI為積分時(shí)間常數(shù); TD為微分時(shí)間常數(shù).
標(biāo)簽： 200 CPU PID 西門(mén)子
上傳時(shí)間： 2013-11-04
上傳用戶：jiiszha
在過(guò)程控制中，按偏差的比例（P）、積分（I）和微分（D）進(jìn)行控制的PID控制器（亦稱PID調(diào)節(jié)器）是應(yīng)用最為廣泛的一種自動(dòng)控制器。
標(biāo)簽： PID 參數(shù)調(diào)整 講座
上傳時(shí)間： 2013-10-31
上傳用戶：zycidjl
本文設(shè)計(jì)數(shù)字式液位測(cè)量?jī)x,采用雙差壓法對(duì)液位進(jìn)行測(cè)量,有效地克服了液體密度變化對(duì)液位測(cè)量結(jié)果的影響,提高液位測(cè)量的精度。本設(shè)計(jì)的液位測(cè)量?jī)x還能直接顯示液位高度的厘米數(shù)。關(guān)鍵詞:雙差壓法 液位測(cè)量?jī)x 普通差壓法測(cè)量液位, 精度無(wú)法保證。本文提出雙差壓法的改進(jìn)方案,以克服液體密度變化對(duì)液位測(cè)量結(jié)果的影響,提高液位測(cè)量的精度。 雙差壓法液位測(cè)量原理普通差壓法測(cè)量液位的原理:只有在液體密度ρ恒定不變的條件下,差壓△ P 才與液位高度H 呈線性正比關(guān)系,才可通過(guò)測(cè)量差壓△P 間接地獲取液位H 值。但液體密度ρ是液體組份和溫度的多元函數(shù)。當(dāng)液體組份和溫度變化導(dǎo)致密度ρ改變時(shí),即使液位高度H 沒(méi)有變化,也將使差壓信號(hào)△ P 改變,此時(shí)若還按原先的液體密度ρ從差壓信號(hào)△ P 計(jì)算出液位H,顯然將導(dǎo)致測(cè)量誤差, 嚴(yán)重時(shí)會(huì)造成操作人員的錯(cuò)誤判斷。為此,本文提出采用兩個(gè)差壓傳感器,如圖1。其中差壓傳感器1 用于測(cè)量未知液位高度H 產(chǎn)生的差壓,即密閉容器底部和液面上方的壓力差:
標(biāo)簽： 數(shù)字式 液位 測(cè)量?jī)x
上傳時(shí)間： 2013-11-21
上傳用戶：源碼3
蟲(chóng)蟲(chóng)下載站版權(quán)所有 京ICP備2021023401號(hào)-1
<option id="sw224"></option>