用Altium畫PCB 時(shí)需要用到的元件庫(kù)
上傳時(shí)間： 2019-03-11
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function [R,k,b] = msc(A) % 多元散射校正 % 輸入待處理矩陣，通過多元散射校正，求得校正后的矩陣 %% 獲得矩陣行列數(shù) [m,n] = size(A); %% 求平均光譜 M = mean(A,2); %% 利用最小二乘法求每一列的斜率k和截距b for i = 1:n a = polyfit(M,A(:,i),1); if i == 1 k = a(1); b = a(2); else k = [k,a(1)]; b = [b,a(2)]; end end %% 求得結(jié)果 for i = 1:n Ai = (A(:,i)-b(i))/k(i); if i == 1 R = Ai; else R = [R,Ai]; end end
上傳時(shí)間： 2020-03-12
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STM32H743VIT6 OpenMV4 攝像頭模塊ALTIUM設(shè)計(jì)原理圖+PC+封裝庫(kù)，攝像頭封裝文件，4層板設(shè)計(jì)，雙面布局布線，大小為35x45mm，包括完整的原理圖和PCB文件，可用Altium Designer(AD)軟件打開或修改，可作為你產(chǎn)品設(shè)計(jì)的參考。
上傳時(shí)間： 2022-01-27
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GBT2423.51-2000 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分 試驗(yàn)方法試驗(yàn)ke 流動(dòng)混合氣體腐蝕試驗(yàn).pdf 535KB2019-03-29 13:34 GBT2423.50-1999 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分 試驗(yàn)方法試驗(yàn)cy 恒定濕熱主要用于元件的加速試驗(yàn).pdf 319KB2019-03-29 13:34 GBT2423.49-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分 試驗(yàn)方法試驗(yàn)fe 振動(dòng)--正弦拍頻法.pdf 832KB2019-03-29 13:34 GBT2423.48-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分 試驗(yàn)方法試驗(yàn)ff 振動(dòng)--時(shí)間歷程法.pdf 708KB2019-03-29 13:34 GBT2423.47-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分 試驗(yàn)方法試驗(yàn)fg 聲振.pdf 773KB2019-03-29 13:34 GBT2423.46-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)ef：撞擊擺錘.pdf 423KB2019-03-29 13:34 GBT2423.45-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)zabdm：氣候順序.pdf 418KB2019-03-29 13:34 GBT2423.44-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分 試驗(yàn)方法試驗(yàn)eg 撞擊彈簧錘.pdf 356KB2019-03-29 13:34 GBT2423.43-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分 試驗(yàn)方法元件、設(shè)備和其他產(chǎn)品在沖擊,碰撞,振動(dòng),和穩(wěn)態(tài)加速度,等動(dòng)力學(xué)試驗(yàn)中的安裝要求和導(dǎo)則.pdf 496KB2019-03-29 13:34 GBT2423.42-1995 工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)低溫低氣壓振動(dòng)(正弦)綜合試驗(yàn)方法.pdf 246KB2019-03-29 13:34 GBT2423.41-1994 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程風(fēng)壓試驗(yàn)方法.pdf 213KB2019-03-29 13:34 GBT2423.40-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)cx 未飽和高壓蒸汽恒定濕熱.pdf 532KB2019-03-29 13:34 GBT2423.39-1990 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)ee 彈跳試驗(yàn)方法.pdf 331KB2019-03-29 13:34 GBT2423.38-1990 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)r 水試驗(yàn)方法.pdf 357KB2019-03-29 13:34 GBT2423.37-1989 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)l砂塵試驗(yàn)方法.pdf 236KB2019-03-29 13:34 GBT2423.36-1986 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)zbfc 散熱和非散熱樣品的高溫振動(dòng)(正弦)綜合試驗(yàn)方法.pdf 273KB2019-03-29 13:34 GBT2423.35-1986 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)zafc 散熱和非散熱試驗(yàn)樣品的低溫振動(dòng)(正弦)綜合試驗(yàn)方法.pdf 270KB2019-03-29 13:34 GBT2423.34-1986 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)zad 溫度濕度組合循環(huán)試驗(yàn)方法.pdf 290KB2019-03-29 13:34 GBT2423.33-1989 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)kca 高濃度二氧化硫試驗(yàn)方法.pdf 146KB2019-03-29 13:34 GBT2423.32-1985 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程潤(rùn)濕稱量法可焊性試驗(yàn)方法.pdf 172KB2019-03-29 13:34 GBT2423.31-1985 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程傾斜和搖擺試驗(yàn)方法.pdf 143KB2019-03-29 13:34 GBT2423.30-1999 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)xa 和導(dǎo)則在清洗劑中浸漬.pdf 104KB2019-03-29 13:34 GBT2423.29-1999 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)u 引出端及整體安裝件強(qiáng)度.pdf 421KB2019-03-29 13:34 GBT2423.28-1982 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)t 錫焊試驗(yàn)方法.pdf 697KB2019-03-29 13:34 GBT2423.27-1981 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)zamd 低溫低氣壓濕熱連續(xù)綜合試驗(yàn)方法.pdf 128KB2019-03-29 13:34 GBT2423.26-1992 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)zbm 高溫低氣壓綜合試驗(yàn).pdf 211KB2019-03-29 13:34 GBT2423.25-1992 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)zam 低溫低氣壓綜合試驗(yàn).pdf 202KB2019-03-29 13:34 GBT2423.24-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分 試驗(yàn)方法試驗(yàn)sa 模擬地面上的太陽(yáng)輻射.pdf 176KB2019-03-29 13:34 GBT2423.23-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)試驗(yàn)q 密封.pdf 1.2M2019-03-29 13:34 GBT2423.22-2002 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)n 溫度變化.pdf 302KB2019-03-29 13:34 GBT2423.21-1991 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)m 低氣壓試驗(yàn)方法.pdf 107KB2019-03-29 13:34 GBT2423.20-1981 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)kd 接觸點(diǎn)和連接件的硫化氫試驗(yàn)方法.pdf 140KB2019-03-29 13:34 GBT2423.19-1981 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)kc 接觸點(diǎn)和連接件的二氧化硫試驗(yàn)方法.pdf 145KB2019-03-29 13:34 GBT2423.18-2000 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分 試驗(yàn)--試驗(yàn)kb 鹽霧,交變(氯化鈉溶液).pdf 163KB2019-03-29 13:34 GBT2423.17-1993 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)ka 鹽霧試驗(yàn)方法.pdf 105KB2019-03-29 13:34 GBT2423.16-1999 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分 試驗(yàn)方法試驗(yàn)j和導(dǎo)則長(zhǎng)霉.pdf 531KB2019-03-29 13:34 GBT2423.15-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分 試驗(yàn)方法試驗(yàn)ga和導(dǎo)則穩(wěn)態(tài)加速度.pdf 297KB2019-03-29 13:34 GBT2423.14-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分 試驗(yàn)方法試驗(yàn)fdc寬頻帶隨機(jī)振動(dòng)低再現(xiàn)性.pdf 444KB2019-03-29 13:34 GBT2423.13-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分 試驗(yàn)方法試驗(yàn)fdb寬頻帶隨機(jī)振動(dòng)中再現(xiàn)性.pdf 805KB2019-03-29 13:34 GBT2423.12-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分 試驗(yàn)方法試驗(yàn)fda寬頻帶隨機(jī)振動(dòng)--高再現(xiàn)性.pdf 842KB2019-03-29 13:34 GBT2423.11-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分 試驗(yàn)方法試驗(yàn)fd寬頻帶隨機(jī)振動(dòng)--一般要求 .pdf 635KB2019-03-29 13:34 GBT2423.10-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分 試驗(yàn)方法試驗(yàn)fc和導(dǎo)則振動(dòng)(正弦).pdf 1M2019-03-29 13:34 GBT2423.09-2001 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分 試驗(yàn)方法試驗(yàn)cb設(shè)備用恒定濕熱.pdf 149KB2019-03-29 13:34 GBT2423.08-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分 試驗(yàn)方法試驗(yàn)ed自由跌落.pdf 301KB2019-03-29 13:34 GBT2423.07-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分 試驗(yàn)方法試驗(yàn)ec和導(dǎo)則傾跌與翻倒(主要用于設(shè)備型樣品).pdf 237KB2019-03-29 13:34 GBT2423.06-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分 試驗(yàn)方法試驗(yàn)eb和導(dǎo)則：碰撞.pdf 545KB2019-03-29 13:34 GBT2423.05-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)ea和導(dǎo)則沖擊.pdf 892KB2019-03-29 13:34 GBT2423.04-1993 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)db 交變濕熱試驗(yàn)方法.pdf 192KB2019-03-29 13:34 GBT2423.03-1993 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)ca 恒定濕熱試驗(yàn)方法.pdf 124KB2019-03-29 13:34 GBT2423.02-2001 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分 試驗(yàn)方法試驗(yàn)b高溫.pdf 744KB2019-03-29 13:34 GBT2423.01-2001 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分 試驗(yàn)方法試驗(yàn)a低溫.pdf 499KB2019-03-29 13:34 GB2421-89 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程總則.pdf
上傳時(shí)間： 2013-06-08
上傳用戶：eeworm
自己制作的51單片機(jī)開發(fā)板的元件清單，和很全，很實(shí)用
標(biāo)簽： 單片機(jī)開發(fā)板 元件清單
上傳時(shí)間： 2013-04-24
上傳用戶：木末花開
/*--------- 8051內(nèi)核特殊功能寄存器 -------------*/ sfr ACC = 0xE0; //累加器 sfr B = 0xF0; //B 寄存器 sfr PSW = 0xD0; //程序狀態(tài)字寄存器 sbit CY = PSW^7; //進(jìn)位標(biāo)志位 sbit AC = PSW^6; //輔助進(jìn)位標(biāo)志位 sbit F0 = PSW^5; //用戶標(biāo)志位0 sbit RS1 = PSW^4; //工作寄存器組選擇控制位 sbit RS0 = PSW^3; //工作寄存器組選擇控制位 sbit OV = PSW^2; //溢出標(biāo)志位 sbit F1 = PSW^1; //用戶標(biāo)志位1 sbit P = PSW^0; //奇偶標(biāo)志位 sfr SP = 0x81; //堆棧指針寄存器 sfr DPL = 0x82; //數(shù)據(jù)指針0低字節(jié) sfr DPH = 0x83; //數(shù)據(jù)指針0高字節(jié) /*------------ 系統(tǒng)管理特殊功能寄存器 -------------*/ sfr PCON = 0x87; //電源控制寄存器 sfr AUXR = 0x8E; //輔助寄存器 sfr AUXR1 = 0xA2; //輔助寄存器1 sfr WAKE_CLKO = 0x8F; //時(shí)鐘輸出和喚醒控制寄存器 sfr CLK_DIV = 0x97; //時(shí)鐘分頻控制寄存器 sfr BUS_SPEED = 0xA1; //總線速度控制寄存器 /*----------- 中斷控制特殊功能寄存器 --------------*/ sfr IE = 0xA8; //中斷允許寄存器 sbit EA = IE^7; //總中斷允許位 sbit ELVD = IE^6; //低電壓檢測(cè)中斷控制位 8051
上傳時(shí)間： 2013-10-30
上傳用戶：yxgi5
TLC2543是TI公司的12位串行模數(shù)轉(zhuǎn)換器，使用開關(guān)電容逐次逼近技術(shù)完成A/D轉(zhuǎn)換過程。由于是串行輸入結(jié)構(gòu)，能夠節(jié)省51系列單片機(jī)I/O資源；且價(jià)格適中，分辨率較高，因此在儀器儀表中有較為廣泛的應(yīng)用。 TLC2543的特點(diǎn) （1）12位分辯率A/D轉(zhuǎn)換器； （2）在工作溫度范圍內(nèi)10μs轉(zhuǎn)換時(shí)間； （3）11個(gè)模擬輸入通道； （4）3路內(nèi)置自測(cè)試方式； （5）采樣率為66kbps； （6）線性誤差±1LSBmax； （7）有轉(zhuǎn)換結(jié)束輸出EOC； （8）具有單、雙極性輸出； （9）可編程的MSB或LSB前導(dǎo)； （10）可編程輸出數(shù)據(jù)長(zhǎng)度。 TLC2543的引腳排列及說明 TLC2543有兩種封裝形式：DB、DW或N封裝以及FN封裝，這兩種封裝的引腳排列如圖1，引腳說明見表1 TLC2543電路圖和程序欣賞 #include<reg52.h> #include<intrins.h> #define uchar unsigned char #define uint unsigned int sbit clock=P1^0; sbit d_in=P1^1; sbit d_out=P1^2; sbit _cs=P1^3; uchar a1,b1,c1,d1; float sum,sum1; double sum_final1; double sum_final; uchar duan[]={0x3f,0x06,0x5b,0x4f,0x66,0x6d,0x7d,0x07,0x7f,0x6f}; uchar wei[]={0xf7,0xfb,0xfd,0xfe}; void delay(unsigned char b) //50us { unsigned char a; for(;b>0;b--) for(a=22;a>0;a--); } void display(uchar a,uchar b,uchar c,uchar d) { P0=duan[a]|0x80; P2=wei[0]; delay(5); P2=0xff; P0=duan[b]; P2=wei[1]; delay(5); P2=0xff; P0=duan[c]; P2=wei[2]; delay(5); P2=0xff; P0=duan[d]; P2=wei[3]; delay(5); P2=0xff; } uint read(uchar port) { uchar i,al=0,ah=0; unsigned long ad; clock=0; _cs=0; port<<=4; for(i=0;i<4;i++) { d_in=port&0x80; clock=1; clock=0; port<<=1; } d_in=0; for(i=0;i<8;i++) { clock=1; clock=0; } _cs=1; delay(5); _cs=0; for(i=0;i<4;i++) { clock=1; ah<<=1; if(d_out)ah|=0x01; clock=0; } for(i=0;i<8;i++) { clock=1; al<<=1; if(d_out) al|=0x01; clock=0; } _cs=1; ad=(uint)ah; ad<<=8; ad|=al; return(ad); } void main() { uchar j; sum=0;sum1=0; sum_final=0; sum_final1=0; while(1) { for(j=0;j<128;j++) { sum1+=read(1); display(a1,b1,c1,d1); } sum=sum1/128; sum1=0; sum_final1=(sum/4095)*5; sum_final=sum_final1*1000; a1=(int)sum_final/1000; b1=(int)sum_final%1000/100; c1=(int)sum_final%1000%100/10; d1=(int)sum_final%10; display(a1,b1,c1,d1); } }
上傳時(shí)間： 2013-11-19
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單片機(jī)指令系統(tǒng)原理 51單片機(jī)的尋址方式 學(xué)習(xí)匯編程序設(shè)計(jì)，要先了解CPU的各種尋址法，才能有效的掌握各個(gè)命令的用途，尋址法是命令運(yùn)算碼找操作數(shù)的方法。在我們學(xué)習(xí)的8051單片機(jī)中，有6種尋址方法，下面我們將逐一進(jìn)行分析。 立即尋址 在這種尋址方式中，指令多是雙字節(jié)的，一般第一個(gè)字節(jié)是操作碼，第二個(gè)字節(jié)是操作數(shù)。該操作數(shù)直接參與操作，所以又稱立即數(shù)，有“#”號(hào)表示。立即數(shù)就是存放在程序存儲(chǔ)器中的常數(shù)，換句話說就是操作數(shù)（立即數(shù)）是包含在指令字節(jié)中的。 例如：MOV A，#3AH這條指令的指令代碼為74H、3AH，是雙字節(jié)指令，這條指令的功能是把立即數(shù)3AH送入累加器A中。MOV DPTR，#8200H在前面學(xué)單片機(jī)的專用寄存器時(shí)，我們已學(xué)過，DPTR是一個(gè)16位的寄存器，它由DPH及DPL兩個(gè)8位的寄存器組成。這條指令的意思就是把立即數(shù)的高8位（即82H）送入DPH寄存器，把立即數(shù)的低8位（即00H）送入DPL寄存器。這里也特別說明一下：在80C51單片機(jī)的指令系統(tǒng)中，僅有一條指令的操作數(shù)是16位的立即數(shù)，其功能是向地址指針DPTR傳送16位的地址，即把立即數(shù)的高8位送入DPH，低8位送入DPL。 直接尋址 直接尋址方式是指在指令中操作數(shù)直接以單元地址的形式給出，也就是在這種尋址方式中，操作數(shù)項(xiàng)給出的是參加運(yùn)算的操作數(shù)的地址，而不是操作數(shù)。例如：MOV A，30H 這條指令中操作數(shù)就在30H單元中，也就是30H是操作數(shù)的地址，并非操作數(shù)。 在80C51單片機(jī)中，直接地址只能用來表示特殊功能寄存器、內(nèi)部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器以及位地址空間，具體的說就是：1、內(nèi)部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器RAM低128單元。在指令中是以直接單元地址形式給出。我們知道低128單元的地址是00H-7FH。在指令中直接以單元地址形式給出這句話的意思就是這0-127共128位的任何一位，例如0位是以00H這個(gè)單元地址形式給出、1位就是以01H單元地址給出、127位就是以7FH形式給出。2、位尋址區(qū)。20H-2FH地址單元。3、特殊功能寄存器。專用寄存器除以單元地址形式給出外，還可以以寄存器符號(hào)形式給出。例如下面我們分析的一條指令 MOV IE，#85H 前面的學(xué)習(xí)我們已知道，中斷允許寄存器IE的地址是80H，那么也就是這條指令可以以MOV IE，#85H 的形式表述，也可以MOV 80H，#85H的形式表述。 關(guān)于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器RAM的內(nèi)部情況，請(qǐng)查看我們課程的第十二課。 直接尋址是唯一能訪問特殊功能寄存器的尋址方式！ 大家來分析下面幾條指令：MOV 65H，A ；將A的內(nèi)容送入內(nèi)部RAM的65H單元地址中MOV A，direct ；將直接地址單元的內(nèi)容送入A中MOV direct,direct；將直接地址單元的內(nèi)容送直接地址單元MOV IE,#85H ；將立即數(shù)85H送入中斷允許寄存器IE 前面我們已學(xué)過，數(shù)據(jù)前面加了“#”的，表示后面的數(shù)是立即數(shù)（如#85H，就表示85H就是一個(gè)立即數(shù)），數(shù)據(jù)前面沒有加“#”號(hào)的，就表示后面的是一個(gè)地址地址（如，MOV 65H，A這條指令的65H就是一個(gè)單元地址）。 寄存器尋址 寄存器尋址的尋址范圍是：1、4個(gè)工作寄存器組共有32個(gè)通用寄存器，但在指令中只能使用當(dāng)前寄存器組（工作寄存器組的選擇在前面專用寄存器的學(xué)習(xí)中，我們已知道，是由程序狀態(tài)字PSW中的RS1和RS0來確定的），因此在使用前常需要通過對(duì)PSW中的RS1、RS0位的狀態(tài)設(shè)置，來進(jìn)行對(duì)當(dāng)前工作寄存器組的選擇。2、部份專用寄存器。例如，累加器A、通用寄存器B、地址寄存器DPTR和進(jìn)位位CY。 寄存器尋址方式是指操作數(shù)在寄存器中，因此指定了寄存器名稱就能得到操作數(shù)。例如：MOV A，R0這條指令的意思是把寄存器R0的內(nèi)容傳送到累加器A中，操作數(shù)就在R0中。INC R3這條指令的意思是把寄存器R3中的內(nèi)容加1 從前面的學(xué)習(xí)中我產(chǎn)應(yīng)可以理解到，其實(shí)寄存器尋址方式就是對(duì)由PSW程序狀態(tài)字確定的工作寄存器組的R0-R7進(jìn)行讀/寫操作。 寄存器間接尋址 寄存間接尋址方式是指寄存器中存放的是操作數(shù)的地址，即操作數(shù)是通過寄存器間接得到的，因此稱為寄存器間接尋址。 MCS-51單片機(jī)規(guī)定工作寄存器的R0、R1做為間接尋址寄存器。用于尋址內(nèi)部或外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的256個(gè)單元。為什么會(huì)是256個(gè)單元呢？我們知道，R0或者R1都是一個(gè)8位的寄存器，所以它的尋址空間就是2的八次方=256。例：MOV R0，#30H ；將值30H加載到R0中 MOV A，@R0 ；把內(nèi)部RAM地址30H內(nèi)的值放到累加器A中 MOVX A，@R0 ；把外部RAM地址30H內(nèi)的值放到累加器A中 大家想想，如果用DPTR做為間址寄存器，那么它的尋址范圍是多少呢？DPTR是一個(gè)16位的寄存器，所以它的尋址范圍就是2的十六次方=65536=64K。因用DPTR做為間址寄存器的尋址空間是64K，所以訪問片外數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí)，我們通常就用DPTR做為間址寄存器。例：MOV DPTR，#1234H ；將DPTR值設(shè)為1234H（16位） MOVX A，@DPTR ；將外部RAM或I/O地址1234H內(nèi)的值放到累加器A中 在執(zhí)行PUSH（壓棧）和POP（出棧）指令時(shí)，采用堆棧指針SP作寄存器間接尋址。例：PUSH 30H ；把內(nèi)部RAM地址30H內(nèi)的值放到堆棧區(qū)中堆棧區(qū)是由SP寄存器指定的，如果執(zhí)行上面這條命令前，SP為60H，命令執(zhí)行后會(huì)把內(nèi)部RAM地址30H內(nèi)的值放到RAM的61H內(nèi)。 那么做為寄存器間接尋址用的寄存器主要有哪些呢？我們前面提到的有四個(gè)，R0、R1、DPTR、SP 寄存器間接尋址范圍總結(jié)：1、內(nèi)部RAM低128單元。對(duì)內(nèi)部RAM低128單元的間接尋址，應(yīng)使用R0或R1作間址寄存器，其通用形式為@Ri（i=0或1）。 2、外部RAM 64KB。對(duì)外部RAM64KB的間接尋址，應(yīng)使用@DPTR作間址尋址寄存器，其形式為：@DPTR。例如MOVX A，@DPTR；其功能是把DPTR指定的外部RAM的單元的內(nèi)容送入累加器A中。外部RAM的低256單元是一個(gè)特殊的尋址區(qū)，除可以用DPTR作間址寄存器尋址外，還可以用R0或R1作間址寄存器尋址。例如MOVX A，@R0；這條指令的意思是，把R0指定的外部RAM單元的內(nèi)容送入累加器A。 堆棧操作指令（PUSH和POP）也應(yīng)算作是寄存器間接尋址，即以堆棧指針SP作間址寄存器的間接尋址方式。 寄存器間接尋址方式不可以訪問特殊功能寄存器！！ 寄存器間接尋址也須以寄存器符號(hào)的形式表示，為了區(qū)別寄存器尋址我寄存器間接尋址的區(qū)別，在寄存器間接尋址方式式中，寄存器的名稱前面加前綴標(biāo)志“@”。 基址寄存器加變址寄存器的變址尋址 這種尋址方式以程序計(jì)數(shù)器PC或DPTR為基址寄存器，累加器A為變址寄存器，變址尋址時(shí)，把兩者的內(nèi)容相加，所得到的結(jié)果作為操作數(shù)的地址。這種方式常用于訪問程序存儲(chǔ)器ROM中的數(shù)據(jù)表格，即查表操作。變址尋址只能讀出程序內(nèi)存入的值，而不能寫入，也就是說變址尋址這種方式只能對(duì)程序存儲(chǔ)器進(jìn)行尋址，或者說它是專門針對(duì)程序存儲(chǔ)器的尋址方式。例：MOVC A，@A+DPTR這條指令的功能是把DPTR和A的內(nèi)容相加，再把所得到的程序存儲(chǔ)器地址單元的內(nèi)容送A假若指令執(zhí)行前A=54H，DPTR=3F21H，則這條指令變址尋址形成的操作數(shù)地址就是54H+3F21H=3F75H。如果3F75H單元中的內(nèi)容是7FH，則執(zhí)行這條指令后，累加器A中的內(nèi)容就是7FH。 變址尋址的指令只有三條，分別如下：JMP @A+DPTRMOVC A，@A+DPTRMOVC A，@A+PC 第一條指令JMP @A+DPTR這是一條無條件轉(zhuǎn)移指令，這條指令的意思就是DPTR加上累加器A的內(nèi)容做為一個(gè)16位的地址，執(zhí)行JMP這條指令是，程序就轉(zhuǎn)移到A+DPTR指定的地址去執(zhí)行。 第二、三條指令MOVC A，@A+DPTR和MOVC A，@A+PC指令這兩條指令的通常用于查表操作，功能完全一樣，但使用起來卻有一定的差別，現(xiàn)詳細(xì)說明如下。我們知道，PC是程序指針，是十六位的。DPTR是一個(gè)16位的數(shù)據(jù)指針寄存器，按理，它們的尋址范圍都應(yīng)是64K。我們?cè)趯W(xué)習(xí)特殊功能寄存器時(shí)已知道，程序計(jì)數(shù)器PC是始終跟蹤著程序的執(zhí)行的。也就是說，PC的值是隨程序的執(zhí)行情況自動(dòng)改變的，我們不可以隨便的給PC賦值。而DPTR是一個(gè)數(shù)據(jù)指針，我們就可以給空上數(shù)據(jù)指針DPTR進(jìn)行賦值。我們?cè)倏粗噶頜OVC A，@A+PC這條指令的意思是將PC的值與累加器A的值相加作為一個(gè)地址，而PC是固定的，累加器A是一個(gè)8位的寄存器，它的尋址范圍是256個(gè)地址單元。講到這里，大家應(yīng)可明白，MOVC A，@A+PC這條指令的尋址范圍其實(shí)就是只能在當(dāng)前指令下256個(gè)地址單元。所在，這在我們實(shí)際應(yīng)用中，可能就會(huì)有一個(gè)問題，如果我們需要查詢的數(shù)據(jù)表在256個(gè)地址單元之內(nèi)，則可以用MOVC A，@A+PC這條指令進(jìn)行查表操作，如果超過了256個(gè)單元，則不能用這條指令進(jìn)行查表操作。剛才我們已說到，DPTR是一個(gè)數(shù)據(jù)指針，這個(gè)數(shù)據(jù)指針我們可以給它賦值操作的。通過賦值操作。我們可以使MOVC A，@A+DPTR這條指令的尋址范圍達(dá)到64K。這就是這兩條指令在實(shí)際應(yīng)用當(dāng)中要注意的問題。 變址尋址方式是MCS-51單片機(jī)所獨(dú)有的一種尋址方式。 位尋址 80C51單片機(jī)有位處理功能，可以對(duì)數(shù)據(jù)位進(jìn)行操作，因此就有相應(yīng)的位尋址方式。所謂位尋址，就是對(duì)內(nèi)部RAM或可位尋址的特殊功能寄存器SFR內(nèi)的某個(gè)位，直接加以置位為1或復(fù)位為0。 位尋址的范圍，也就是哪些部份可以進(jìn)行位尋址： 1、我們?cè)诘谑n學(xué)習(xí)51單片機(jī)的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)時(shí)，我們已知道在單片機(jī)的內(nèi)部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器RAM的低128單元中有一個(gè)區(qū)域叫位尋址區(qū)。它的單元地址是20H-2FH。共有16個(gè)單元，一個(gè)單元是8位，所以位尋址區(qū)共有128位。這128位都單獨(dú)有一個(gè)位地址，其位地址的名字就是00H-7FH。這里就有一個(gè)比較麻煩的問題需要大家理解清楚了。我們?cè)谇懊娴膶W(xué)習(xí)中00H、01H。。。。7FH等等，所表示的都是一個(gè)字節(jié)（或者叫單元地址），而在這里，這些數(shù)據(jù)都變成了位地址。我們?cè)谥噶钪校蛘咴诔绦蛑腥绾蝸韰^(qū)分它是一個(gè)單元地址還是一個(gè)位地址呢？這個(gè)問題，也就是我們現(xiàn)在正在研究的位尋址的一個(gè)重要問題。其實(shí)，區(qū)分這些數(shù)據(jù)是位地址還是單元地址，我們都有相應(yīng)的指令形式的。這個(gè)問題我們?cè)诤竺娴闹噶钕到y(tǒng)學(xué)習(xí)中再加以論述。 2、對(duì)專用寄存器位尋址。這里要說明一下，不是所有的專用寄存器都可以位尋址的。具體哪些專用寄存器可以哪些專用寄存器不可以，請(qǐng)大家回頭去看看我們前面關(guān)于專用寄存器的相關(guān)文章。一般來說，地址單元可以被8整除的專用寄存器，通常都可以進(jìn)行位尋址，當(dāng)然并不是全部，大家在應(yīng)用當(dāng)中應(yīng)引起注意。 專用寄存器的位尋址表示方法： 下面我們以程序狀態(tài)字PSW來進(jìn)行說明 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 CY AC F0 RS1 RS0 OV P 1、直接使用位地址表示：看上表，PSW的第五位地址是D5，所以可以表示為D5H MOV C，D5H 2、位名稱表示：表示該位的名稱，例如PSW的位5是F0，所以可以用F0表示 MOV C，F(xiàn)0 3、單元（字節(jié)）地址加位表示：D0H單元位5，表示為DOH.5 MOV C,D0H.5 4、專用寄存器符號(hào)加位表示：例如PSW.5 MOV C,PSW.5 這四種方法實(shí)現(xiàn)的功能都是相同的，只是表述的方式不同而已。 例題： 1. 說明下列指令中源操作數(shù)采用的尋址方式。 MOV R5，R7 答案：寄存器尋址方式 MOV A，55H 直接尋址方式 MOV A，＃55H 立即尋址方式 JMP @A+DPTR 變址尋址方式 MOV 30H，C 位尋址方式 MOV A，@R0 間接尋址方式 MOVX A,@R0 間接尋址方式 改錯(cuò)題 請(qǐng)判斷下列的MCS-51單片機(jī)指令的書寫格式是否有錯(cuò)，若有，請(qǐng)說明錯(cuò)誤原因。 MOV R0，@R3 答案：間址寄存器不能使用R2～R7。 MOVC A，@R0+DPTR 變址尋址方式中的間址寄存器不可使用R0，只可使用A。 ADD R0，R1 運(yùn)算指令中目的操作數(shù)必須為累加器A，不可為R0。 MUL AR0 乘法指令中的乘數(shù)應(yīng)在B寄存器中，即乘法指令只可使用AB寄存器組合。
標(biāo)簽： 單片機(jī)指令 系統(tǒng)原理
上傳時(shí)間： 2013-11-11
上傳用戶：caozhizhi
摘要: 串行傳輸技術(shù)具有更高的傳輸速率和更低的設(shè)計(jì)成本, 已成為業(yè)界首選, 被廣泛應(yīng)用于高速通信領(lǐng)域。提出了一種新的高速串行傳輸接口的設(shè)計(jì)方案, 改進(jìn)了Aurora 協(xié)議數(shù)據(jù)幀格式定義的弊端, 并采用高速串行收發(fā)器Rocket I/O, 實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)率為2.5 Gbps的高速串行傳輸。關(guān)鍵詞: 高速串行傳輸; Rocket I/O; Aurora 協(xié)議 為促使FPGA 芯片與串行傳輸技術(shù)更好地結(jié)合以滿足市場(chǎng)需求, Xilinx 公司適時(shí)推出了內(nèi)嵌高速串行收發(fā)器RocketI/O 的Virtex II Pro 系列FPGA 和可升級(jí)的小型鏈路層協(xié)議———Aurora 協(xié)議。Rocket I/O支持從622 Mbps 至3.125 Gbps的全雙工傳輸速率, 還具有8 B/10 B 編解碼、時(shí)鐘生成及恢復(fù)等功能, 可以理想地適用于芯片之間或背板的高速串行數(shù)據(jù)傳輸。Aurora 協(xié)議是為專有上層協(xié)議或行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的上層協(xié)議提供透明接口的第一款串行互連協(xié)議, 可用于高速線性通路之間的點(diǎn)到點(diǎn)串行數(shù)據(jù)傳輸, 同時(shí)其可擴(kuò)展的帶寬, 為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供了所需要的靈活性[4]。但該協(xié)議幀格式的定義存在弊端,會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)資源的浪費(fèi)。本文提出的設(shè)計(jì)方案可以改進(jìn)Aurora 協(xié)議的固有缺陷,提高系統(tǒng)性能, 實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)率為2.5 Gbps 的高速串行傳輸, 具有良好的可行性和廣闊的應(yīng)用前景。
標(biāo)簽： Rocket 2.5 高速串行 收發(fā)器
上傳時(shí)間： 2013-11-06
上傳用戶：smallfish
摘要: 串行傳輸技術(shù)具有更高的傳輸速率和更低的設(shè)計(jì)成本, 已成為業(yè)界首選, 被廣泛應(yīng)用于高速通信領(lǐng)域。提出了一種新的高速串行傳輸接口的設(shè)計(jì)方案, 改進(jìn)了Aurora 協(xié)議數(shù)據(jù)幀格式定義的弊端, 并采用高速串行收發(fā)器Rocket I/O, 實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)率為2.5 Gbps的高速串行傳輸。關(guān)鍵詞: 高速串行傳輸; Rocket I/O; Aurora 協(xié)議 為促使FPGA 芯片與串行傳輸技術(shù)更好地結(jié)合以滿足市場(chǎng)需求, Xilinx 公司適時(shí)推出了內(nèi)嵌高速串行收發(fā)器RocketI/O 的Virtex II Pro 系列FPGA 和可升級(jí)的小型鏈路層協(xié)議———Aurora 協(xié)議。Rocket I/O支持從622 Mbps 至3.125 Gbps的全雙工傳輸速率, 還具有8 B/10 B 編解碼、時(shí)鐘生成及恢復(fù)等功能, 可以理想地適用于芯片之間或背板的高速串行數(shù)據(jù)傳輸。Aurora 協(xié)議是為專有上層協(xié)議或行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的上層協(xié)議提供透明接口的第一款串行互連協(xié)議, 可用于高速線性通路之間的點(diǎn)到點(diǎn)串行數(shù)據(jù)傳輸, 同時(shí)其可擴(kuò)展的帶寬, 為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供了所需要的靈活性[4]。但該協(xié)議幀格式的定義存在弊端,會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)資源的浪費(fèi)。本文提出的設(shè)計(jì)方案可以改進(jìn)Aurora 協(xié)議的固有缺陷,提高系統(tǒng)性能, 實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)率為2.5 Gbps 的高速串行傳輸, 具有良好的可行性和廣闊的應(yīng)用前景。
標(biāo)簽： Rocket 2.5 高速串行 收發(fā)器
上傳時(shí)間： 2013-10-13
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