rC-BUs接口實時時鐘RX-8025 SA/NB內置高精度頻率調整的32768kHz水晶振子（Ta=+25℃時±5×106）對應rc-BUS高速模式（400kHz）時計（時、分、秒）、日歷（年、月、日、星期）的計數功能（BCD代碼）可選擇12/24時間制自動判別至2099年的間年·內置高精度時計精度調整電路·對CPU的發生中斷功能（周期1個月~0.5秒、具有中斷請求、中斷停止功能）·2個系統的鬧鐘功能（Alam-w：星期、時、分、Alarm_D：時、分）.32 768kHz時鐘輸出（帶控制引腳的CMOS輸出）對內部數據進行有效無效判定的振動停止檢測功能電源電壓監視功能（可選擇檢測標準電壓）1.15V~55V的寬幅計時（保持）電壓范圍1.7v~5.5V的寬幅接口電壓范圍低消耗電流 0.48uA/3.0V（Typ）1.概要本模塊是內置高精度調整的32 768kHz水晶振子的1c總線接口方式的實時計時器。除了具有6種發生中斷功能、2個系統的鬧鐘功能、對內部數據進行有效無效判定的振動停止檢測功能、電源電壓監視功能等外，還配有時鐘精度調整功能，可以對時鐘進行任意精度調整。內部振蕩回路是以固定電壓驅動，因而可獲得受電壓變動影響小且穩定的3276skHz時鐘輸本產品功能多樣，采用表貼封裝形式，最適用于各種手機、攜帶終端及其他小型電子機器等。
標簽： rx8025
上傳時間： 2022-06-18
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說明：1，測試交流電源（Test AC Power Supply）：A.中國（China）：AC 220V+/-2%50Hz+/-2%B.美國（United States of America）：AC 120V+/-2%60Hz+/-2%。C.英國（Britain）：AC 240V+/-2%50Hz+/-2%D.歐洲（Europe）：AC 230V+/-2%50Hz+/-2%E.日本（Japan）：AC 100V+/-2%60Hz+/-2%F.墨西哥（Mexico）：AC 127V+/-2%60Hz+/-2%2，測試溫度條件（Test Temperature Conditions）：25℃+/-2℃。3，測試以右聲道為準（Standard Test Use Right Channell）4，信號由AUX插座輸入（Signal From AUX Jack Input）。5，測試以音量最大，音調和平衡在中央位置（電子音調在正常狀態）。（Test Volume Setup Max，Equalizer And Balance Setup Center）。6，標準輸出（Standard Output）：A.輸入1 KHz頻率信號（Input 1 KHz Frequency Signal）B.左右聲道輸入信號測試右聲道（L&R Input Signal Test Use R Channel）C.額定輸出功率満（Rating Output Power Full）10 W，標準輸出定為1w.（Rating Output Power Full 10 w，Standard Output Setup 1 W）D.額定輸出功率1W到10w，標準輸出定為500 mW（Rating Output Power 1 W To 10 W，Standard Output Setup 500 mW）E.額定輸出功率小于1w，標準輸出定為50 mW（Rating Output Power Not Full 1 W，Standard Output Setup 50 mW）F.標準輸出電壓以V-VPR為準（Standard Output Voltage Use V-V/PR）。G.V-V/PR中P為額定輸出功率，R為喇叭標稱阻抗。
標簽： 音響功放
上傳時間： 2022-06-18
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ax88179千兆網卡芯片手冊，usb3.0 rj45網卡
上傳時間： 2022-06-18
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le flows through MOS channel while Ih flows across PNP transistor Ih= a/(1-a) le, IE-le+lh=1/(1-a)' le Since IGBT has a long base PNP, a is mainly determined by ar si0 2ar= 1/cosh(1/La), La: ambipolar diff length a-0.5 (typical value)p MOSFET channel current (saturation), le=U"Cox"W(2"Lch)"(Vc-Vth)le Thus, saturated collector current Ic, sat=1/(1-a)"le=-1/(1-a)"UCox"W/(2Lch)"(Vo-Vth)2Also, transconductance gm, gm= 1/(1-a)"u' Cox W/Lch*(Vo-Vth)Turn-On1. Inversion layer is formed when Vge>Vth2. Apply positive collector bias, +Vce3. Electrons flow from N+ emitter to N-drift layer providing the base current for the PNP transistor4. Since J1 is forward blased, hole carriers are injected from the collector (acts as an emitter).5. Injected hole carriers exceed the doping level of N-drift region (conductivity modulation). Turn-Off1. Remove gate bias (discharge gate)2. Cut off electron current (base current, le, of pnp transistor)
標簽： igbt
上傳時間： 2022-06-20
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當前世界能源短缺以及環境污染問題日益嚴重，這些問題迫使人們改變能源結構，尋找新的替代能源?？稍偕鷿崈裟茉吹拈_發愈來愈受到重視，太陽能以其經濟、清潔等優點倍受青睞，其開發利用技術亦得以迅速發展，而光伏水泵成為其中重要的研究領域。本文針對采用異步電機作為光伏水泵驅動電機的光伏水泵系統，詳細介紹了推挽DC/DC升壓電路、DC/AC IPM模塊逆變電路、及基于dsPIC30F2010的控制電路等，并制作了一臺試驗樣機。同時圍繞多種最大功率跟蹤方法展開研究，設計了最大功率跟蹤程序。論文的主要工作如下：1）設計了DC-DC推挽升壓電路，并通過加入TPS2812改進了推挽功率MOS管的驅動電路；2）研究分析了光伏水泵系統最大功率跟蹤控制，通過Matlab對多種MPPT方式進行了仿真，確定系統采用黃金分割法最大功率跟蹤方式；3）采用SVPWM調制技術，實現了系統的穩定快速跟蹤控制：4）采用IPM模塊作為逆變器主電路，大大簡化了逆變器驅動電路和保護電路設計，縮小了系統體積，提高了效率和系統的可靠性；5）采用徵芯公司的dsPIC20F2010作為主電路的控制核心，并設計了包括W"保護電路在內的外圍電路和相關的軟件；6）詳細介紹了系統主電路各元件參量的選擇和設計；7）在樣機上進行了不同負載下的試驗，給出了試驗波形和效率測試結果，驗證了本系統的可靠性和高效性。
上傳時間： 2022-06-20
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Tanner版圖流程舉例（反相器）集成電路設計近年來發展相當迅速，許多設計需要借助計算機輔助設計軟件。作為將來從事集成電路設計的工作人員，至少需要對版圖有所了解，但是許多軟件（如cadence）實在工作站上執行的，不利于初學者。L-Edit軟件是基于PC上的設計工具，簡單易學，操作方便，通過學習，掌握版圖的設計流程。Tanner Pro簡介：Tanner Pro是一套集成電路設計軟件，包括S-EDIT，T-SPICE，W-EDIT，L-EDIT，與LVS，他們的主要功能分別如下：1、S-Edit：編輯電路圖2，T-Spice：電路分析與模擬3，W-Edit：顯示T-Spice模擬結果4，L-Edit：編輯布局圖、自動配置與繞線、設計規則檢查、截面觀察、電路轉化5、LVS：電路圖與布局結果對比設計規則的作用設計規則規定了生產中可以接受的幾何尺寸的要求和達到的電學性能。對設計和制造雙方來說，設計規則既是工藝加工應該達到的規范，也是設計必循遵循的原則設計規則表示了成品率和性能的最佳折衷
標簽： cmos
上傳時間： 2022-06-21
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Modbus尋址Modbus地址通常是包含數據類型和偏移量的5 個或6 個字符值。第一個或前兩個字符決定數據類型，最后的四個字符是符合數據類型的一個適當的值。Modbus主設備指令能將地址映射至正確的功能，以便發送到從站。1 Modbus主站尋址Modbus主設備指令支持下列Modbus地址：(1) 00001 至09999是離散輸出（線圈）。(2) 10001 至19999是離散輸入（觸點）。(3) 30001 至39999是輸入寄存器（通常是模擬量輸入）。(4) 40001 至49999是保持寄存器。所有Modbus地址均以1 為基位，表示第一個數據值從地址1 開始。有效地址范圍將取決于從站。不同的從站將支持不同的數據類型和地址范圍。2 Modbus從站尋址Modbus從站指令支持以下地址：(1) 000001 至000128 是實際輸出，對應于Q0.0 ——Q15.7 。(2) 010001 至010128 是實際輸入，對應于I 0.0 ——丨15.7 。(3) 030001 至030032 是模擬輸入寄存器，對應于AIW0 至AIW2。(4) 040001 至04XXXX是保持寄存器，對應于V 區。Modbus從站協議允許您對Modbus主站可訪問的輸入、輸出、模擬量輸入和保持寄存器（ V 區）的數量進行限定。MBUS_INIT指令的參數MaxlQ 指定Modbus主站允許訪問的實際輸入或輸出（ I 或Q) 的最大數量。MBUS_INIT指令的MaxAl 參數指定Modbus主站允許訪問的輸入寄存器（ A 丨W)的最大數量。MBUS_INIT指令的MaxHold 參數指定Modbus主站允許訪問的保持寄存器（V 存儲區字）的最大數
上傳時間： 2022-06-21
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0引言任何器件在工作時都有一定的損耗，大部分的損耗均變成熱量。在實際應用過程中，大功率器件IGBT在工作時會產生很大的損耗，這些損耗通常表現為熱量。為了使ICBT能正常工作，必須保證IGBT的耗散功率不大于最大允許耗散功率P額定1660 w，室溫25℃時），必須保證1GBT的結溫T，不超過其最大值Timar 50 ℃），因此必須采用適當的散熱裝置，將熱量傳導到外部環境。如果散熱裝置設計或選用不當，這些大功率器件因過熱而損壞。為了在確定的散熱條件下設計或選用合適的散熱器，確保器件安全、可靠地工作，我們需進行散熱計算。散熱計算是通過計算器件工作時產生的損耗功率Pa、器件允許的結溫T、環境溫度T，求出器件允許的總熱阻R，f-a）；：再根據Raf-a）求出最大允許的散熱器到環境溫度的熱阻Rinf-）：最后根據Rbf-a）選取具有合適熱阻的散熱器。1 IGBT損耗分析及計算對于H型雙極模式PWM系統中使用的1GBT模塊，主要由IGBT元件和續流二極管FWD組成，它們各自發生的損耗之和就是IGBT本身的損耗。除此，加上1GBT的基極驅動功耗，即構成IGRT模塊整體發生的損耗。另外，發生損耗的情況可分為穩態時和交換時。對上述內容進行整理可表述如下：
上傳時間： 2022-06-21
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1引言隨著高r能永磁材料、電力電了技術、大規模集成電路和計算機技術的發展，永同步電機PMSMD）的應用領城不擴大。由于對電機控制性能的要求越來越高，因此如何建立有效的仿真模型越來受到人們的關注。本文在分析永司步電機數學模型的基礎上，提出了一種PMSM控制系統建模的方法，在此仿真模型基礎上，可以十分便捷地實現和驗證控制算法。因此，它為分析和設計PMSM控制系統提供了有效的手段，也為實際電機控制系統的設計和調試提供了新的思路。2永磁同步電機的數學模型[]水磁同步電動機三相繞組分別為U.v.w，各相繞組平面的軸線在與轉子軸垂直的平面上，三相繞組的電壓回路方程如下；式中，U L，為各相繞組兩端的電壓14A為各相的線電流，中uoyow為相統組的總磁鏈，R為定子每相繞組的電陽：P為微外算子（d/at）.磁鏈方程為：
上傳時間： 2022-06-22
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MSPFET配置及使用KIYA 設計的TXE610P、TXE690U、TXP700U、TXE705U、TXE708U、TXE709U工具可適應MSPFET環境的編程與加密應用。MSPFET 是俄羅斯工程師發布的一款免費編程環境，支持JTAG和BSL編程、熔斷熔絲加密；支持TI 及其兼容工具。最新版本為V1.6.1007 ?，F在聯線PC + TX工具 + 目標板。在[Setup] 中配置通信接口，從uv 均可選擇LPT并口應用于TXE610P；從v 可選擇[TIUSB] 接口應用TXE690U、TXE705U、TXE708U、TXE709U；選w 可應用于TXE690U、TXP700U。點應用筆記查看關于MSPFET環境特別注意事項。從
上傳時間： 2022-06-22
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