?? Body技術資料

?? 資源總數:58
?? 源代碼:334769
?? 電路圖:1

?? Body全部資料 (58個)

·文件列表:   1998.C   A24.C   A25.C   A26.C   ADD_F.C   ARF.C   ARR.C...

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對于常規VDMOS器件結構, Rdson與BV存在矛盾關系,要想提高BV,都是從減小EPI參雜濃度著手,但是外延層又是正向電流流通的通道,EPI參雜濃度減小了,電阻必然變大,Rdson增大。所以對于普...

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Abstract: This article discusses the requirements and design considerations for automotive applica...

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