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Cmos

  • Cmos模擬集成電路設計-艾倫

    Cmos模擬集成電路設計,IC必備參考書

    標簽: Cmos 模擬集成 電路設計

    上傳時間: 2013-04-24

    上傳用戶:leehom61

  • 可以在里面修改協議.主要是Cmos---fpga--usb(68013a)中除68013a部分的程序

    可以在里面修改協議.主要是Cmos---fpga--usb(68013a)中除68013a部分的程序

    標簽: 68013a Cmos fpga usb

    上傳時間: 2013-08-21

    上傳用戶:半熟1994

  • 高增益低功耗恒跨導軌到軌Cmos運放設計

    基于CSMC的0.5 μmCmos工藝,設計了一個高增益、低功耗、恒跨導軌到軌Cmos運算放大器,采用最大電流選擇電路作為輸入級,AB類結構作為輸出級。通過cadence仿真,其輸入輸出均能達到軌到軌,整個電路工作在3 V電源電壓下,靜態功耗僅為0.206 mW,驅動10pF的容性負載時,增益高達100.4 dB,單位增益帶寬約為4.2 MHz,相位裕度為63°。

    標簽: Cmos 增益 低功耗 軌到軌

    上傳時間: 2013-11-04

    上傳用戶:xlcky

  • Cmos版圖設計技巧之一

    Cmos版圖設計技巧之一

    標簽: Cmos 版圖 設計技巧

    上傳時間: 2013-11-16

    上傳用戶:leawon947

  • 模擬Cmos集成電路設計

    模擬Cmos集成電路設計

    標簽: Cmos 模擬 集成電路設計

    上傳時間: 2014-10-27

    上傳用戶:685

  • 為什么我的Cmos邏輯電路燒起來了

    Abstract: What can be simpler than designing with Cmos and BiCmos? These technologies are very easy to use butthey still require careful design. This tutorial discusses the odd case of circuits that seem to work but exhibit somepeculiar behaviors—including burning the designer's fingers!

    標簽: Cmos 邏輯電路

    上傳時間: 2013-11-03

    上傳用戶:dick_sh

  • 帶有增益提高技術的高速Cmos運算放大器設計

    設計了一種用于高速ADC中的高速高增益的全差分Cmos運算放大器。主運放采用帶開關電容共模反饋的折疊式共源共柵結構,利用增益提高和三支路電流基準技術實現一個可用于12~14 bit精度,100 MS/s采樣頻率的高速流水線(Pipelined)ADC的運放。設計基于SMIC 0.25 μm Cmos工藝,在Cadence環境下對電路進行Spectre仿真。仿真結果表明,在2.5 V單電源電壓下驅動2 pF負載時,運放的直流增益可達到124 dB,單位增益帶寬720 MHz,轉換速率高達885 V/μs,達到0.1%的穩定精度的建立時間只需4 ns,共模抑制比153 dB。

    標簽: Cmos 增益提高 運算 放大器設計

    上傳時間: 2014-12-23

    上傳用戶:jiiszha

  • Cmos工藝多功能數字芯片的輸出緩沖電路設計

    為了提高數字集成電路芯片的驅動能力,采用優化比例因子的等比緩沖器鏈方法,通過Hspice軟件仿真和版圖設計測試,提出了一種基于CSMC 2P2M 0.6 μm Cmos工藝的輸出緩沖電路設計方案。本文完成了系統的電原理圖設計和版圖設計,整體電路采用Hspice和CSMC 2P2M 的0.6 μm Cmos工藝的工藝庫(06mixddct02v24)仿真,基于CSMC 2P2M 0.6 μm Cmos工藝完成版圖設計,并在一款多功能數字芯片上使用,版圖面積為1 mm×1 mm,并參與MPW(多項目晶圓)計劃流片,流片測試結果表明,在輸出負載很大時,本設計能提供足夠的驅動電流,同時延遲時間短、并占用版圖面積小。

    標簽: Cmos 工藝 多功能 數字芯片

    上傳時間: 2013-10-09

    上傳用戶:小鵬

  • Cmos綠色模式AC_DC控制器振蕩器電路

    采用電流模脈寬調制控制方案的電池充電芯片設計,鋸齒波信號的線性度較好,當負載電路減小時,自動進入Burst Mode狀態提高系統的效率。整個電路基于1.0 μm 40 V Cmos工藝設計,通過Hspice完成了整體電路前仿真驗證和后仿真,仿真結果表明,振蕩電路的性能較好,可廣泛應用在PWM等各種電子電路中。

    標簽: AC_DC Cmos 綠色模式 控制器

    上傳時間: 2014-12-23

    上傳用戶:kangqiaoyibie

  • Cmos和TTL電路探討

    通常以為TTL門的速度高于“Cmos門電路。影響TTL門電路工作速度的主要因素是電路內部管子的開關特性、電路結構及內部的各電阻數值。電阻數值越大,作速度越低。管子的開關時間越長,門的工作速度越低。門的速度主要體現在輸出波形相對于輸入波形上有“傳輸延時”tpd。將tpd與空載功耗P的乘積稱“速度-功耗積”,做為器件性能的一個重要指標,其值越小,表明器件的性能越 好(一般約為幾十皮(10-12)焦耳)。與TTL門電路的情況不同,影響Cmos電路工作速度的主要因素在于電路的外部,即負載電容CL。CL是主要影響器件工作速度的原因。由CL所決定的影響Cmos門的傳輸延時約為幾十納秒。

    標簽: Cmos TTL 電路

    上傳時間: 2013-11-22

    上傳用戶:DE2542

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