看到不少網友對COOLMOS感興趣，把自己收集整理的資料、個人理解發出來，與大家共享。個人理解不一定完全正確，僅供參考。COOLMOS（super junction）原理，與普通VDMOS的差異如下： 對于常規VDMOS器件結構，大家都知道Rdson與BV這一對矛盾關系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson就大了。所以對于普通VDMOS，兩者矛盾不可調和。8 X( ?1 B4 i* q: i但是對于COOLMOS，這個矛盾就不那么明顯了。通過設置一個深入EPI的的P區，大大提高了BV，同時對Rdson上不產生影響。為什么有了這個深入襯底的P區，就能大大提高耐壓呢？
標簽： COOLMOS
上傳時間： 2014-12-23
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Linear Technology’s High Frequency Product lineupincludes a variety of RF I/Q modulators. The purpose ofthis application note is to illustrate the circuits requiredto interface these modulators with several popular D/Aconverters. Such circuits typically are required to maximizethe voltage transfer from the DAC to the baseband inputsof the modulator, as well as provide some reconstructionfi ltering.
上傳時間： 2013-10-19
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電子學名詞1、 電阻率---又叫電阻系數或叫比電阻。是衡量物質導電性能好壞的一個物理量，以字母ρ表示，單位為歐姆*毫米平方/米。在數值上等于用那種物質做的長1米截面積為1平方毫米的導線，在溫度20C時的電阻值，電阻率越大，導電性能越低。則物質的電阻率隨溫度而變化的物理量，其數值等于溫度每升高1C時，電阻率的增加與原來的電阻電阻率的比值，通常以字母α表示，單位為1/C。2、 電阻的溫度系數----表示物質的電阻率隨溫度而變化的物理量，其數值等于溫度每升高1C時，電阻率的增加量與原來的電阻率的比值，通常以字母α表示，單位為1/C。3、 電導----物體傳導電流的本領叫做電導。在直流電路里，電導的數值就是電阻值的倒數，以字母ɡ表示，單位為歐姆。4、 電導率----又叫電導系數，也是衡量物質導電性能好壞的一個物理量。大小在數值上是電阻率的倒數，以字母γ表示，單位為米/歐姆*毫米平方。5、 電動勢----電路中因其他形式的能量轉換為電能所引起的電位差，叫做電動勢或者簡稱電勢。用字母E表示，單位為伏特。6、 自感----當閉合回路中的電流發生變化時，則由這電流所產生的穿過回路本身磁通也發生變化，因此在回路中也將感應電動勢，這現象稱為自感現象，這種感應電動勢叫自感電動勢。7、 互感----如果有兩只線圈互相靠近，則其中第一只線圈中電流所產生的磁通有一部分與第二只線圈相環鏈。當第一線圈中電流發生變化時，則其與第二只線圈環鏈的磁通也發生變化，在第二只線圈中產生感應電動勢。這種現象叫做互感現象。8、 電感----自感與互感的統稱。9、 感抗----交流電流過具有電感的電路時，電感有阻礙交流電流過的作用，這種作用叫做感抗，以Lx表示，Lx=2πfL。10、容抗----交流電流過具有電容的電路時，電容有阻礙交流電流過的作用，這種作用叫做容抗，以Cx表示，Cx=1/12πfc。11、脈動電流----大小隨時間變化而方向不變的電流，叫做脈動電流。12、振幅----交變電流在一個周期內出現的最大值叫振幅。13、平均值----交變電流的平均值是指在某段時間內流過電路的總電荷與該段時間的比值。正弦量的平均值通常指正半周內的平均值，它與振幅值的關系：平均值=0.637*振幅值。14、有效值----在兩個相同的電阻器件中，分別通過直流電和交流電，如果經過同一時間，它們發出的熱量相等，那么就把此直流電的大小作為此交流電的有效值。正弦電流的有效值等于其最大值的0.707倍。15、有功功率----又叫平均功率。交流電的瞬時功率不是一個恒定值，功率在一個周期內的平均值叫做有功功率，它是指在電路中電阻部分所消耗的功率，以字母P表示，單位瓦特。16、視在功率----在具有電阻和電抗的電路內，電壓與電流的乘積叫做視在功率，用字母Ps來表示，單位為瓦特。17、無功功率----在具有電感和電容的電路里，這些儲能元件在半周期的時間里把電源能量變成磁場（或電場）的能量存起來，在另半周期的時間里對已存的磁場（或電場）能量送還給電源。它們只是與電源進行能量交換，并沒有真正消耗能量。我們把與電源交換能量的速率的振幅值叫做無功功率。用字母Q表示，單位為芝。
標簽： 電子學
上傳時間： 2013-11-23
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本文以介質諧振器為起始，研究了介質諧振腔體濾波器的設計。文章首先介紹了介質諧振器基本的工作原理，圍繞模式分離與Q值提高研究了實際介質腔體濾波器中常用的工作在TE01模的介質諧振器的基本特性，并在此基礎上提出了一種新的介質諧振器結構，進一步提高介質諧振器模式分離度的同時，也提高了主模的品質因數。
上傳時間： 2013-11-07
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磁芯電感器的諧波失真分析 摘 要：簡述了改進鐵氧體軟磁材料比損耗系數和磁滯常數ηB，從而降低總諧波失真THD的歷史過程，分析了諸多因數對諧波測量的影響，提出了磁心性能的調控方向。 關鍵詞：比損耗系數， 磁滯常數ηB ，直流偏置特性DC-Bias，總諧波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年來，變壓器生產廠家和軟磁鐵氧體生產廠家，在電感器和變壓器產品的總諧波失真指標控制上，進行了深入的探討和廣泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的問題。從工藝技術上采取了不少有效措施，促進了質量問題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。 一、 歷史回顧 總諧波失真（Total harmonic distortion） ，簡稱THD，并不是什么新的概念，早在幾十年前的載波通信技術中就已有嚴格要求<1>。1978年郵電部公布的標準YD/Z17－78“載波用鐵氧體罐形磁心”中，規定了高μQ材料制作的無中心柱配對罐形磁心詳細的測試電路和方法。如圖一電路所示，利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測量磁心產生的非線性失真。這種相對比較的實用方法，專用于無中心柱配對罐形磁心的諧波衰耗測試。 這種磁心主要用于載波電報、電話設備的遙測振蕩器和線路放大器系統，其非線性失真有很嚴格的要求。 圖中 ZD —— QF867 型阻容式載頻振蕩器，輸出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通濾波器，阻抗 150Ω，阻帶衰耗大于61dB， Lg88 ——并聯高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 選頻電平表，輸入高阻抗， L ——被測無心罐形磁心及線圈， C ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測量時，所配用線圈應用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝， （線架為一格） ， 其空心電感值為 318μH（誤差1％） 被測磁心配對安裝好后，先調節振蕩器頻率為 36.6～40KHz， 使輸出電平值為+17.4 dB， 即選頻表在 22′端子測得的主波電平 （P2）為+17.4 dB，然后在33′端子處測得輸出的三次諧波電平（P3）， 則三次諧波衰耗值為：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 為放大器增益dB 從以往的資料引證， 就可以發現諧波失真的測量是一項很精細的工作，其中測量系統的高、低通濾波器，信號源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴，阻抗必須匹配，薄膜電容器的非線性也有相應要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質的大空心線圈繞成，以保證本身的“潔凈” ，不至于造成對磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機的小型化和穩定性要求， 必須生產低損耗高穩定磁心。上世紀 70 年代初，1409 所和四機部、郵電部各廠，從工藝上改變了推板空氣窯燒結，出窯后經真空罐冷卻的落后方式，改用真空爐，并控制燒結、冷卻氣氛。技術上采用共沉淀法攻關試制出了μQ乘積 60 萬和 100 萬的低損耗高穩定材料，在此基礎上，還實現了高μ7000～10000材料的突破，從而大大縮短了與國外企業的技術差異。當時正處于通信技術由FDM（頻率劃分調制）向PCM（脈沖編碼調制） 轉換時期， 日本人明石雅夫發表了μQ乘積125 萬為 0.8×10 ，100KHz）的超優鐵氧體材料<3>，其磁滯系數降為優鐵
上傳時間： 2014-12-24
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提出一種增加去耦支路損耗抑制電源分配網絡PDN中并聯諧振的方法。該方法通過在去耦支路引入一個串聯電阻，使PDN的損耗增加，從而抑制PDN并聯諧振。給出了理論模型，借助Hyperlynx PI仿真軟件在DM642板卡上進行仿真實驗。結果表明，在去耦支路引入一個0.45 Ω電阻，可將PDN并聯諧振處的品質因數Q從282抑制到13。同時，分析了引入電阻對去耦效果的影響。當引入電阻小于0.45 Ω時，可通過增加去耦電容并聯個數來補償引入電阻對去耦的影響。
上傳時間： 2013-11-16
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電流型PWM整流器因其良好的功率因數和直流電流源特性，可望在某些場合取代產生大量諧波的二極管或晶閘管相控整流裝置，但是由于其本身的強耦合非線性特性，使得變流器常采用復雜的直接電流控制策略，從而使控制器的設計非常復雜。文中提出一種改進的基于d-q坐標系的間接電流控制方法，在電網電壓平衡情況下，通過解耦控制，能獲得線性的動態響應。
上傳時間： 2014-12-24
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議程•概述•UPS的組成和功能•UPS的發展趨勢•UPS解決方案•品牌、產品及購買要點•問答（Q&A）
上傳時間： 2013-11-25
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目前的有源電力濾波器通常是采用基于瞬時無功功率理論的諧波電流檢測方法。其中的ip-iq算法需要用到與電網電壓同步的正余弦信號，即與電網電壓同頻同相的標準正余弦信號。該信號的獲取可以采用鎖相環加正余弦函數發生器的方法，也可采用軟件查表的方法。本設計采用全硬件電路完成，即通過鎖相環加正弦函數發生器的方法，可自動實時跟蹤電網電壓的頻率和相位，不占用微處理器的軟、硬件資源，大大降低了諧波檢測算法編程的復雜度。
上傳時間： 2013-10-22
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前言為使公司技術文件的管理能符合ISO9001的要求及適應公司ERP系統的要求，確保產品信息暢通，滿足用戶要求，特制定本規范。 本規范在原《Q/DC1004-1997：產品型號命名規范》和《關于電源及其應用產品型號命名規范（1998）》上修訂并合并，本規定批準實施后，原版文件同時作廢。 本規范適用于本公司電源產品的規范標注和使用。鑒于本標準在實施過程中，顧客指定型號不在內部流通引起相關問題，本次修改從新將顧客指定型號作為公司型號使用，并補充了相關規定。 本規范實施以前并以在使用的產品型號，自本規范實施之日起，作為“顧客型號”使用。 本規范（除供應商）原則上不在公司以外流通。 本規范由上海德創電器電子有限公司總工辦提出并由資料中心歸口。 本規范起草部門：總工辦 本規范主要起草人：鄭可京、范初生、陳百雄 本規范審核：范初生 本規范批準：陶敬恒
上傳時間： 2013-11-13
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