是否要先打開ALLEGRO? 不需要(當然你的機器須有CADENCE系統)。生成完封裝后在你的輸出目錄下就會有幾千個器件（全部生成的話）,默認輸出目錄為c:\MySym\. Level里面的Minimum, Nominal, Maximum 是什么意思？ 對應ipc7351A的ABC封裝嗎？ 是的 能否將MOST, NOMINAL, LEAST三種有差別的封裝在命名上也體現出差別？ NOMINAL 的名稱最后沒有后綴，MOST的后綴自動添加“Ｍ”，LEAST的后綴自動添加“L”，你看看生成的庫名稱就知道了。（直插件以及特別的器件，如BGA等是沒有MOST和LEAST級別的，對這類器件只有NOMINAL） IC焊盤用長方形好像比用橢圓形的好，能不能生成長方形的？ 嗯。。。。基本上應該是非直角的焊盤比矩形的焊盤好，我記不得是AMD還是NS還是AD公司專門有篇文檔討論了這個問題，如果沒有記錯的話至少有以下好處：信號質量好、更省空間（特別是緊密設計中）、更省錫量。我過去有一篇帖子有一個倒角焊盤的SKILL，用于晶振電路和高速器件（如DDR的濾波電容)，原因是對寬度比較大的矩形用橢圓焊盤也不合適，這種情況下用自定義的矩形倒角焊盤就比較好了－－－你可以從網上另外一個DDR設計的例子中看到。 當然，我已經在程序中添加了一選擇項，對一些矩形焊盤可以選擇倒角方式. 剛才試了一下，感覺器件的命名的規范性不是太好，另好像不能生成器件的DEVICE文件，我沒RUN完。。。 這個程序的命名方法基本參照IPC-7351，每個人都有自己的命名嗜好，仍是不好統一的；我是比較懶的啦，所以就盡量靠近IPC-7351了。 至于DEVICE，的選項已經添加 (這就是批量程序的好處，代碼中加一行，重新生產的上千上萬個封裝就都有新東西了)。 你的庫都是"-"的,請問用過ALLEGRO的兄弟,你們的FOOTPRINT認"-"嗎?反正我的ALLEGRO只認"_"(下劃線) 用“－”應該沒有問題的，焊盤的命名我用的是"_"（這個一直沒改動過）。 部分絲印畫在焊盤上了。 絲印的問題我早已知道，只是盡量避免開（我有個可配置的SilkGap變量）,不過工作量比較大，有些已經改過，有些還沒有；另外我沒有特別費功夫在絲印上的另一個原因是，我通常最后用AUTO-SILK的來合并相關的層，這樣既方便快捷也統一各個器件的絲印間距，用AUTO-SILK的話絲印線會自動避開SOLDER-MASK的。 點擊allegro后命令行出現E- Can't change to directory: Files\FPM，什么原因？ 我想你一定是將FPM安裝在一個含空格的目錄里面了，比如C:\Program Files\等等之類，在自定義安裝目錄的時候該目錄名不能含有空格，且存放生成的封裝的目錄名也不能含有空格。你如果用默認安裝的話應該是不會有問題的, 默認FPM安裝在C:\FPM，默認存放封裝的目錄為C:\MYSYM 0.04版用spb15.51生成時.allegro會死機.以前版本的Allegro封裝生成器用spb15.51生成時沒有死機現象 我在生成MELF類封裝的時候有過一次死機現象，估計是文件操作錯誤導致ALLEGRO死機，原因是我沒有找到在ｓｋｉｌｌ里面直接生成SHAPE焊盤的方法（FLASH和常規焊盤沒問題）, 查了下資料也沒有找到解決方法，所以只得在外部調用SCRIPT來將就一下了。（下次我再查查看），用SCRIPT的話文件訪問比較頻繁（幸好目前MELF類的器件不多）. 解決辦法： １、對MELF類器件單獨選擇生成，其它的應該可以一次生成。 ２、試試最新的版本(當前0.05) 請說明運行在哪類器件的時候ALLEGRO出錯，如果不是在MELF附近的話，請告知，謝謝。 用FPM0.04生成的封裝好像文件都比較大，比如CAPC、RES等器件，都是300多K，而自己建的或采用PCB Libraries Eval生成的封裝一般才幾十K到100K左右，不知封裝是不是包含了更多的信息？ 我的每個封裝文件包含了幾個文字層（REF,VAL,TOL,DEV,PARTNUMBER等),SILK和ASSEM也是分開的，BOND層和高度信息，還有些定位線(在DISP層）,可能這些越來越豐富的信息加大了生成文件的尺寸.你如果想看有什么內容的話，打開所有層就看見了（或REPORT） 非常感謝 LiWenHui 發現的BUG, 已經找到原因，是下面這行： axlDBChangeDesignExtents( '((-1000 -1000) (1000 1000))) 有尺寸空間開得太大，后又沒有壓縮的原因，現在生成的封裝也只有幾十K了，0.05版已經修復這個BUG了。 Allegro封裝生成器0.04生成do-27封裝不正確,生成封裝的焊盤的位號為a,c.應該是A,B或者1,2才對. 呵呵，DIODE通常管腳名為AC(A = anode, C = cathode) 也有用AK 或 12的， 極少見AB。 除了DIODE和極個別插件以及BGA外，焊盤名字以數字為主, 下次我給DIODE一個選擇項，可以選擇AC 或 12 或 AK, 至于TRANSISTER我就不去區分BCE/CBE/ECB/EBC/GDS/GSD/DSG/DGS/SGD/SDG等了，這樣會沒完沒了的，我將對TRANSISTER強制統一以數字編號了，如果用家非要改變，只得在生成庫后手工修改。
標簽： Footprint Maker 0.08 FPM skill
上傳時間： 2018-01-10
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全志多媒體芯片，是一款高度集成、低功耗的移動應用處理器,可廣泛應用于各種多媒體音視頻設備中。基于arm9架構,集成了DDR。它支持高清視頻解碼,
標簽： s_Datasheet_V F1C 100 1.0
上傳時間： 2020-12-18
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NUC980 是新唐推出的工業控制物聯網系列處理器. NUC980 系列采用 ARM926EJ-S 核心，執行速度高達 300 MHz ，有 LQFP64、LQFN128、LQFN216 3 種封裝，堆迭 64 MB 或 128 MB DDR-II 記憶體于同一封裝。該文檔是 nuc980 硬件設計手冊，包含如下內容：1、NUC980 電源部分電路設計2、NUC980 復位部分電路設計3、NUC980 上電、下電時序4、時鐘電路設計5、EBI（外部總線接口）、ADC、USB、網絡、攝像頭、QSPI、CAN、SPI、I2S、uart等外設原理圖、layout 設計。文件末尾還有參考設計原理圖
上傳時間： 2021-10-27
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iMX214 1300萬攝像頭 帶DDR。
上傳時間： 2021-11-05
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這是一份micron DDR spec僅相關SI測試工程師測試參考
標簽： DDR
上傳時間： 2021-12-31
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核心板說明（1）DDR模板：RK3288-LPDDR3P232SD6-V12-20140623HXS（2）適用的平臺：RK3288；（3）支持的DDR類型：LPDDR3_2PCS*32BIT（4）最大支持容量：4G（2PCS*32BIT）；（5）板層：6 Layer；（6）貼片方式：DDR器件單面貼,其它器件雙面貼；（7）面積：35mm*35mm；
上傳時間： 2022-02-02
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JESD DDR SpecDDR5 SDRAM的主要特性是芯片容量，而不僅僅是更高的性能和更低的功耗。DDR5預計將帶來4266至6400 MT / s的I / O速度，電源電壓降至1.1 V，允許的波動范圍為3%（即±0.033V）。每個模塊使用兩個獨立的32/40位通道（不使用/或使用ECC）。此外，DDR5將具有改進的命令總線效率（因為通道將具有其自己的7位地址（添加）/命令（Cmd）總線），更好的刷新方案以及增加的存儲體組以獲得額外的性能
上傳時間： 2022-02-02
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一博科技PCB設計指導書VER1.0. 66頁常見信號介紹 1.1 數字信號 1.1.1 CPU 常稱處理器，系統通過數據總線、地址總線、控制總線實現處理器、控制芯片、存 儲器之間的數據交換。 地址總線：ADD* （如：ADDR1） 數據總線：D* （如：SDDATA0） 控制總線：讀寫信號（如：WE_N），片選信號（如：SDCS0_N），地址行列選擇信 號（如：SDRAS_N），時鐘信號（如：CLK），時鐘使能信號（如：SDCKE）等。 與CPU對應的存儲器是SDRAM，以及速率較高的DDR存儲器： SDRAM：是目前主推的PC100和PC133規范所廣泛使用的內存類型，它的帶寬為64位， 支持3.3V電壓的LVTTL，目前產品的最高速度可達5ns。它與CPU使用相同的時鐘頻 率進行數據交換，它的工作頻率是與CPU的外頻同步的，不存在延遲或等待時間。 SDRAM與時鐘完全同步。 DDR：速率比SDRAM高的內存器，可達到800M，它在時鐘觸發沿的上、下沿都能進行 數據傳輸，所以即使在133MHz的總線頻率下的帶寬也能達到2.128GB/s。它的地址 與其它控制界面與SDRAM相同，支持2.5V/1.8V的SSTL2標準. 阻抗控制在50Ω±10 ％. 利用時鐘的邊緣進行數據傳送的，速率是SDRAM的兩倍. 其時鐘是采用差分方 式。 1.1.2 PCI PCI總線：PCI總線是一種高速的、32/64位的多地址/數據線，用于控制器件、外圍 接口、處理器/存儲系統之間進行互聯。PCI 的信號定義包括兩部份(如下圖)：必 須的(左半部份)與可選的（右半部份）。其中“# ”代表低電平有效。
標簽： pcb設計
上傳時間： 2022-02-06
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目前cPU+ Memory等系統集成的多芯片系統級封裝已經成為3DSiP（3 Dimension System in Package，三維系統級封裝）的主流，非常具有代表性和市場前景，SiP作為將不同種類的元件，通過不同技術，混載于同一封裝內的一種系統集成封裝形式，不僅可搭載不同類型的芯片，還可以實現系統的功能。然而，其封裝具有更高密度和更大的發熱密度和熱阻，對封裝技術具有更大的挑戰。因此，對SiP封裝的工藝流程和SiP封裝中的濕熱分布及它們對可靠性影響的研究有著十分重要的意義本課題是在數字電視（DTV）接收端子系統模塊設計的基礎上對CPU和DDR芯片進行芯片堆疊的SiP封裝。封裝形式選擇了適用于小型化的BGA封裝，結構上采用CPU和DDR兩芯片堆疊的3D結構，以引線鍵合的方式為互連，實現小型化系統級封裝。本文研究該SP封裝中芯片粘貼工藝及其可靠性，利用不導電膠將CPU和DDR芯片進行了堆疊貼片，分析總結了SiP封裝堆疊貼片工藝最為關鍵的是涂布材料不導電膠的體積和施加在芯片上作用力大小，對制成的樣品進行了高溫高濕試驗，分析濕氣對SiP封裝的可靠性的影響。論文利用有限元軟件 Abaqus對SiP封裝進行了建模，模型包括熱應力和濕氣擴散模型。模擬分析了封裝體在溫度循環條件下，受到的應力、應變、以及可能出現的失效形式：比較了相同的熱載荷條件下，改變塑封料、粘結層的材料屬性，如楊氏模量、熱膨脹系數以及芯片、粘結層的厚度等對封裝體應力應變的影響。并對封裝進行了濕氣吸附分析，研究了SiP封裝在85℃RH85%環境下吸濕5h、17h、55和168h后的相對濕度分布情況，還對SiP封裝在濕熱環境下可能產生的可靠性問題進行了實驗研究。在經過168小時濕氣預處理后，封裝外部的基板和模塑料基本上達到飽和。模擬結果表明濕應力同樣對封裝的可靠性會產生重要影響。實驗結果也證實了，SiP封裝在濕氣環境下引入的濕應力對可靠性有著重要影響。論文還利用有限元分析方法對超薄多芯片SiP封裝進行了建模，對其在溫度循環條件下的應力、應變以及可能的失效形式進行了分析。采用二水平正交試驗設計的方法研究四層芯片、四層粘結薄膜、塑封料等9個封裝組件的厚度變化對芯片上最大應力的影響，從而找到最主要的影響因子進行優化設計，最終得到更優化的四層芯片疊層SiP封裝結構。
標簽： sip封裝
上傳時間： 2022-04-08
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X58主板原理圖，富士康設計，ICH10芯片組，三通道DDR
標簽： X58主板原理圖
上傳時間： 2022-05-10
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