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電子元器件抗ESD技術(shù)講義.rar

電子元器件抗ESD技術(shù)講義:引言 4 第1 章電子元器件抗ESD損傷的基礎(chǔ)知識(shí) 5 1.1 靜電和靜電放電的定義和特點(diǎn) 5 1.2 對(duì)靜電認(rèn)識(shí)的發(fā)展歷史 6 1.3 靜電的產(chǎn)生 6 1.3.1 摩擦產(chǎn)生靜電 7 1.3.2 感應(yīng)產(chǎn)生靜電 8 1.3.3 靜電荷 8 1.3.4 靜電勢(shì) 8 1.3.5 影響靜電產(chǎn)生和大小的因素 9 1.4 靜電的來源 10 1.4.1 人體靜電 10 1.4.2 儀器和設(shè)備的靜電 11 1.4.3 器件本身的靜電 11 1.4.4 其它靜電來源 12 1.5 靜電放電的三種模式 12 1.5.1 帶電人體的放電模式(HBM) 12 1.5.2 帶電機(jī)器的放電模式（MM） 13 1.5.3 充電器件的放電模型 13 1.6 靜電放電失效 15 1.6.1 失效模式 15 1.6.2 失效機(jī)理 15 第2章制造過程的防靜電損傷技術(shù) 2.1 靜電防護(hù)的作用和意義 2.1.1 多數(shù)電子元器件是靜電敏感器件 2.1.2 靜電對(duì)電子行業(yè)造成的損失很大 2.1.3 國內(nèi)外企業(yè)的狀況 2.2 靜電對(duì)電子產(chǎn)品的損害 2.2.1 靜電損害的形式 2.2.2 靜電損害的特點(diǎn) 2.2.3 可能產(chǎn)生靜電損害的制造過程 2.3 靜電防護(hù)的目的和總的原則 2.3.1 目的和原則 2.3.2 基本思路和技術(shù)途徑 2.4 靜電防護(hù)材料 2.4.1 與靜電防護(hù)材料有關(guān)的基本概念 2.4.2 靜電防護(hù)材料的主要參數(shù) 2.5 靜電防護(hù)器材 2.5.1 防靜電材料的制品 2.5.2 靜電消除器（消電器、電中和器或離子平衡器） 2.6 靜電防護(hù)的具體措施 2.6.1 建立靜電安全工作區(qū) 2.6.2 包裝、運(yùn)送和存儲(chǔ)工程的防靜電措施 2.6.3 靜電檢測(cè) 2.6.4 靜電防護(hù)的管理工作第3章抗靜電檢測(cè)及分析技術(shù) 3.1 抗靜電檢測(cè)的作用和意義 3.2 靜電放電的標(biāo)準(zhǔn)波形 3.3 抗ESD檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn) 3.3.1 電子元器件靜電放電靈敏度（ESDS）檢測(cè)及分類的常用標(biāo)準(zhǔn) 3.3.2 標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法的主要內(nèi)容（以MIL-STD-883E 方法3015.7為例） 3.4 實(shí)際ESD檢測(cè)的結(jié)果統(tǒng)計(jì)及分析 3.4.1 試驗(yàn)條件 3.4.2 ESD評(píng)價(jià)試驗(yàn)結(jié)果分析 3.5 關(guān)于ESD檢測(cè)中經(jīng)常遇到的一些問題 3.6 ESD損傷的失效定位分析技術(shù) 3.6.1 端口I－V特性檢測(cè) 3.6.2 光學(xué)顯微觀察 3.6.3 掃描電鏡分析 3.6.4 液晶分析 3.6.5 光輻射顯微分析技術(shù) 3.6.6 分層剝離技術(shù) 3.6.7 小結(jié) 3.7 ESD和EOS的判別方法討論 3.7.1 概念 3.7.2 ESD和EOS對(duì)器件損傷的分析判別方法第4 章電子元器件抗ESD設(shè)計(jì)技術(shù) 4.1 元器件抗ESD設(shè)計(jì)基礎(chǔ) 4.1.1抗ESD過電流熱失效設(shè)計(jì)基礎(chǔ) 4.1.2抗場(chǎng)感應(yīng)ESD失效設(shè)計(jì)基礎(chǔ) 4.2元器件基本抗ESD保護(hù)電路 4.2.1基本抗靜電保護(hù)電路 4.2.2對(duì)抗靜電保護(hù)電路的基本要求 4.2.3 混合電路抗靜電保護(hù)電路的考慮 4.2.4防靜電保護(hù)元器件 4.3 CMOS電路ESD失效模式和機(jī)理 4.4 CMOS電路ESD可靠性設(shè)計(jì)策略 4.4.1 設(shè)計(jì)保護(hù)電路轉(zhuǎn)移ESD大電流。 4.4.2 使輸入/輸出晶體管自身的ESD閾值達(dá)到最大。 4.5 CMOS電路基本ESD保護(hù)電路的設(shè)計(jì) 4.5.1 基本ESD保護(hù)電路單元 4.5.2 CMOS電路基本ESD保護(hù)電路 4.5.3 ESD設(shè)計(jì)的輔助工具－TLP測(cè)試 4.5.4 CMOS電路ESD保護(hù)設(shè)計(jì)方法 4.5.5 CMOS電路ESD保護(hù)電路示例 4.6 工藝控制和管理

標(biāo)簽： ESD 電子元器件講義

上傳時(shí)間： 2013-07-13

上傳用戶：2404
PCB板的線寬、覆銅厚度與通過的電流對(duì)應(yīng)的關(guān)系

PCB板的線寬、覆銅厚度與通過的電流對(duì)應(yīng)的關(guān)系寬度（mm）電流（A）寬度（mm）電流（A）寬度（mm）電流（A）0.15 0.2 0.15 0.5 0.15

標(biāo)簽： PCB 寬覆銅電流

上傳時(shí)間： 2013-06-28

上傳用戶：gzming
H.264完整的C語言代碼和DCT的代碼

·詳細(xì)說明：H264完整的C語言代碼和DCT的代碼以及一個(gè)可修改的Test框架文件列表: mm ..\dct ..\...\dct-old.i ..\...\dct1c.i ..\...\dct1c.sim ..\...\dct2d-old.i ..\...\dct8c.i .

標(biāo)簽： 264 DCT C語言代碼代碼

上傳時(shí)間： 2013-06-14

上傳用戶：cy_ewhat
mil與mm單位換算器

在畫PCB板時(shí)通常以mil為單位，而實(shí)際的硬件測(cè)量中通常以毫秒為單位，二者的尺寸需要單位換算。

標(biāo)簽： mil 單位換算

上傳時(shí)間： 2013-06-24

上傳用戶：qiao8960
CAM350軟件的學(xué)習(xí)筆記

CAM350軟件的學(xué)習(xí)筆記目錄1. CAM3501. 一. Gerber知識(shí)2. 二.CAM3503. 三.CAM350操作4. 附錄Gerber知識(shí)l Gerber 文件的格式包括：¡ RS-274-X （常用）¡ RS-274-D （常用）¡ RS-274¡ Fire 9000¡ Mda 9000¡ Barco DPFl 標(biāo)準(zhǔn)的gerber file 格式可分為RS-274 與RS-274X 兩種，其不同在于：¡ RS-274 格式的gerber file 與aperture 是分開的不同文件。¡ RS-274X 格式的aperture 是整合在gerber file 中的，因此不需要aperture文件(即，內(nèi)含D 碼)。PCB生成Gerber最好就是選用RS-274x格式，既標(biāo)準(zhǔn)，又兼容性高。l 數(shù)據(jù)格式：整數(shù)位+小數(shù)位。常用：¡ 3：3（公制，整數(shù)3 位，小數(shù)3 位）¡ 2：4（英制，整數(shù)2 位，小數(shù)4 位）¡ 2：3（英制，整數(shù)2 位，小數(shù)3 位）¡ 3：3（英制，整數(shù)3 位，小數(shù)3 位）l 前導(dǎo)零、后導(dǎo)零和不導(dǎo)零：¡ 例：025690 前導(dǎo)零后變?yōu)椋?5690 (Leading)¡ 025690 后導(dǎo)零后變?yōu)椋?2569 (Trailing)¡ 025690 不導(dǎo)零后變?yōu)椋?25690 (None)l 單位：¡ METRIC（mm）¡ ENGLISH（inch or mil）l 單位換算：¡ 1 inch ＝ 1000 mil ＝ 2.54 cm ＝ 25.4 mm¡ 1 mm ＝ 0.03937 inch ＝ 39.37 mill GERBER 格式的數(shù)據(jù)特點(diǎn)：

標(biāo)簽： CAM 350 軟件

上傳時(shí)間： 2013-10-19

上傳用戶：wayne595
ADIS16334安裝_機(jī)械設(shè)計(jì)指南和示例

ADIS16334是一款薄型、完全校準(zhǔn)的MEMS慣性測(cè)量單元(IMU)。圖1為該封裝的頂視圖，其中包括四個(gè)安裝孔，配備嵌入式安裝架，有助于控制附加硬件的整體高度。安裝孔為M2 × 0.4 mm或2至56個(gè)機(jī)械螺絲提供了足夠的間隙。

標(biāo)簽： 16334 ADIS 機(jī)械設(shè)計(jì)指南

上傳時(shí)間： 2013-11-11

上傳用戶：taozhengxin
利用AD7142和電容傳感器開發(fā)單鍵數(shù)字快門按鈕

本應(yīng)用筆記描述如何利用AD7142和電容傳感器環(huán)，實(shí)現(xiàn)類似于傳統(tǒng)35 mm單反(SLR)相機(jī)的單一位置數(shù)碼相機(jī)快門按鈕。除了更容易控制快門按鈕的啟動(dòng)之外，其它優(yōu)勢(shì)包括：預(yù)對(duì)焦速度更快、快門按鈕更便宜。

標(biāo)簽： 7142 AD 電容傳感器單鍵

上傳時(shí)間： 2013-10-26

上傳用戶：13925096126
CMOS工藝多功能數(shù)字芯片的輸出緩沖電路設(shè)計(jì)

為了提高數(shù)字集成電路芯片的驅(qū)動(dòng)能力，采用優(yōu)化比例因子的等比緩沖器鏈方法，通過Hspice軟件仿真和版圖設(shè)計(jì)測(cè)試，提出了一種基于CSMC 2P2M 0.6 μm CMOS工藝的輸出緩沖電路設(shè)計(jì)方案。本文完成了系統(tǒng)的電原理圖設(shè)計(jì)和版圖設(shè)計(jì)，整體電路采用Hspice和CSMC 2P2M 的0.6 μm CMOS工藝的工藝庫（06mixddct02v24）仿真，基于CSMC 2P2M 0.6 μm CMOS工藝完成版圖設(shè)計(jì)，并在一款多功能數(shù)字芯片上使用，版圖面積為1 mm×1 mm，并參與MPW（多項(xiàng)目晶圓）計(jì)劃流片，流片測(cè)試結(jié)果表明，在輸出負(fù)載很大時(shí)，本設(shè)計(jì)能提供足夠的驅(qū)動(dòng)電流，同時(shí)延遲時(shí)間短、并占用版圖面積小。

標(biāo)簽： CMOS 工藝多功能數(shù)字芯片

上傳時(shí)間： 2013-10-09

上傳用戶：小鵬
超高頻窄帶單級(jí)低噪聲放大器的設(shè)計(jì)

文中介紹了一款超高頻窄帶低噪聲放大器電路，該電路結(jié)構(gòu)小巧（20 mm ×13 mm ，厚度為0.6 mm），功能可靠、穩(wěn)定。放大器芯片采用3SK318YB，該芯片具有高增益、低噪聲等特點(diǎn)。電路主要用于超高頻段微波通信，電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)采用反饋型、穩(wěn)定衰減器法和低端增益衰減法進(jìn)行設(shè)計(jì)。生產(chǎn)成品并經(jīng)測(cè)試，該產(chǎn)品性價(jià)比高，完全達(dá)到了設(shè)計(jì)要求

標(biāo)簽： 超高頻窄帶低噪聲放大器

上傳時(shí)間： 2013-11-03

上傳用戶：xja31415
PCB拼板詳細(xì)介紹

PCB拼板規(guī)范及標(biāo)準(zhǔn)的主要內(nèi)容有： 1、PCB拼板寬度≤260mm（SIEMENS線）或≤300mm（FUJI線）；如果需要自動(dòng)點(diǎn)膠，PCB拼板寬度×長度≤125 mm×180 mm

標(biāo)簽： PCB 拼板詳細(xì)介紹

上傳時(shí)間： 2013-10-21

上傳用戶：杜瑩12345