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電子元器件抗ESD技術講義:引 言 4 第1 章 電子元器件抗ESD損傷的基礎知識 5 1.1 靜電和靜電放電的定義和特點 5 1.2 對靜電認識的發展歷史 6 1.3 靜電的產生 6 1.3.1 摩擦產生靜電 7 1.3.2 感應產生靜電 8 1.3.3 靜電荷 8 1.3.4 靜電勢 8 1.3.5 影響靜電產生和大小的因素 9 1.4 靜電的來源 10 1.4.1 人體靜電 10 1.4.2 儀器和設備的靜電 11 1.4.3 器件本身的靜電 11 1.4.4 其它靜電來源 12 1.5 靜電放電的三種模式 12 1.5.1 帶電人體的放電模式(HBM) 12 1.5.2 帶電機器的放電模式（MM） 13 1.5.3 充電器件的放電模型 13 1.6 靜電放電失效 15 1.6.1 失效模式 15 1.6.2 失效機理 15 第2章 制造過程的防靜電損傷技術 2.1 靜電防護的作用和意義 2.1.1 多數電子元器件是靜電敏感器件 2.1.2 靜電對電子行業造成的損失很大 2.1.3 國內外企業的狀況 2.2 靜電對電子產品的損害 2.2.1 靜電損害的形式 2.2.2 靜電損害的特點 2.2.3 可能產生靜電損害的制造過程 2.3 靜電防護的目的和總的原則 2.3.1 目的和原則 2.3.2 基本思路和技術途徑 2.4 靜電防護材料 2.4.1 與靜電防護材料有關的基本概念 2.4.2 靜電防護材料的主要參數 2.5 靜電防護器材 2.5.1 防靜電材料的制品 2.5.2 靜電消除器（消電器、電中和器或離子平衡器） 2.6 靜電防護的具體措施 2.6.1 建立靜電安全工作區 2.6.2 包裝、運送和存儲工程的防靜電措施 2.6.3 靜電檢測 2.6.4 靜電防護的管理工作 第3章 抗靜電檢測及分析技術 3.1 抗靜電檢測的作用和意義 3.2 靜電放電的標準波形 3.3 抗ESD檢測標準 3.3.1 電子元器件靜電放電靈敏度（ESDS）檢測及分類的常用標準 3.3.2 標準試驗方法的主要內容（以MIL-STD-883E 方法3015.7為例） 3.4 實際ESD檢測的結果統計及分析 3.4.1 試驗條件 3.4.2 ESD評價試驗結果分析 3.5 關于ESD檢測中經常遇到的一些問題 3.6 ESD損傷的失效定位分析技術 3.6.1 端口I－V特性檢測 3.6.2 光學顯微觀察 3.6.3 掃描電鏡分析 3.6.4 液晶分析 3.6.5 光輻射顯微分析技術 3.6.6 分層剝離技術 3.6.7 小結 3.7 ESD和EOS的判別方法討論 3.7.1 概念 3.7.2 ESD和EOS對器件損傷的分析判別方法 第4 章 電子元器件抗ESD設計技術 4.1 元器件抗ESD設計基礎 4.1.1抗ESD過電流熱失效設計基礎 4.1.2抗場感應ESD失效設計基礎 4.2元器件基本抗ESD保護電路 4.2.1基本抗靜電保護電路 4.2.2對抗靜電保護電路的基本要求 4.2.3 混合電路抗靜電保護電路的考慮 4.2.4防靜電保護元器件 4.3 CMOS電路ESD失效模式和機理 4.4 CMOS電路ESD可靠性設計策略 4.4.1 設計保護電路轉移ESD大電流。 4.4.2 使輸入/輸出晶體管自身的ESD閾值達到最大。 4.5 CMOS電路基本ESD保護電路的設計 4.5.1 基本ESD保護電路單元 4.5.2 CMOS電路基本ESD保護電路 4.5.3 ESD設計的輔助工具－TLP測試 4.5.4 CMOS電路ESD保護設計方法 4.5.5 CMOS電路ESD保護電路示例 4.6 工藝控制和管理
上傳時間： 2013-07-13
上傳用戶：2404
PCB板的線寬、覆銅厚度與通過的電流對應的關系 寬度（mm） 電流（A） 寬度（mm） 電流（A） 寬度（mm） 電流（A）0.15 0.2 0.15 0.5 0.15
上傳時間： 2013-06-28
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·詳細說明：H264完整的C語言代碼和DCT的代碼以及一個可修改的Test框架 文件列表: mm ..\dct ..\...\dct-old.i ..\...\dct1c.i ..\...\dct1c.sim ..\...\dct2d-old.i ..\...\dct8c.i .
上傳時間： 2013-06-14
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在畫PCB板時通常以mil為單位，而實際的硬件測量中通常以毫秒為單位，二者的尺寸需要單位換算。
上傳時間： 2013-06-24
上傳用戶：qiao8960
CAM350軟件的學習筆記目錄1. CAM3501. 一. Gerber知識2. 二.CAM3503. 三.CAM350操作4. 附錄Gerber知識l Gerber 文件的格式包括：¡ RS-274-X （常用）¡ RS-274-D （常用）¡ RS-274¡ Fire 9000¡ Mda 9000¡ Barco DPFl 標準的gerber file 格式可分為RS-274 與RS-274X 兩種，其不同在于：¡ RS-274 格式的gerber file 與aperture 是分開的不同文件。¡ RS-274X 格式的aperture 是整合在gerber file 中的，因此不需要aperture文件(即，內含D 碼)。PCB生成Gerber最好就是選用RS-274x格式，既標準，又兼容性高。l 數據格式：整數位+小數位 。常用：¡ 3：3（公制，整數3 位，小數3 位）¡ 2：4（英制，整數2 位，小數4 位）¡ 2：3（英制，整數2 位，小數3 位）¡ 3：3（英制，整數3 位，小數3 位）l 前導零、后導零和不導零：¡ 例：025690 前導零后變為：25690 (Leading)¡ 025690 后導零后變為：02569 (Trailing)¡ 025690 不導零后變為：025690 (None)l 單位：¡ METRIC（mm）¡ ENGLISH（inch or mil）l 單位換算：¡ 1 inch ＝ 1000 mil ＝ 2.54 cm ＝ 25.4 mm¡ 1 mm ＝ 0.03937 inch ＝ 39.37 mill GERBER 格式的數據特點：
上傳時間： 2013-10-19
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ADIS16334是一款薄型、完全校準的MEMS慣性測量單元(IMU)。圖1為該封裝的頂視圖，其中包括四個安裝孔，配備嵌入式安裝架，有助于控制附加硬件的整體高度。安裝孔為M2 × 0.4 mm或2至56個機械螺絲提供了足夠的間隙。
上傳時間： 2013-11-11
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本應用筆記描述如何利用AD7142和電容傳感器環，實現類似于傳統35 mm單反(SLR)相機的單一位置數碼相機快門按鈕。除了更容易控制快門按鈕的啟動之外，其它優勢包括：預對焦速度更快、快門按鈕更便宜。
上傳時間： 2013-10-26
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為了提高數字集成電路芯片的驅動能力，采用優化比例因子的等比緩沖器鏈方法，通過Hspice軟件仿真和版圖設計測試，提出了一種基于CSMC 2P2M 0.6 μm CMOS工藝的輸出緩沖電路設計方案。本文完成了系統的電原理圖設計和版圖設計，整體電路采用Hspice和CSMC 2P2M 的0.6 μm CMOS工藝的工藝庫（06mixddct02v24）仿真，基于CSMC 2P2M 0.6 μm CMOS工藝完成版圖設計，并在一款多功能數字芯片上使用，版圖面積為1 mm×1 mm，并參與MPW（多項目晶圓）計劃流片，流片測試結果表明，在輸出負載很大時，本設計能提供足夠的驅動電流，同時延遲時間短、并占用版圖面積小。
上傳時間： 2013-10-09
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文中介紹了一款超高頻窄帶低噪聲放大器電路，該電路結構小巧（20 mm ×13 mm ，厚度為0.6 mm），功能可靠、穩定。放大器芯片采用3SK318YB，該芯片具有高增益、低噪聲等特點。電路主要用于超高頻段微波通信，電路拓撲結構采用反饋型、穩定衰減器法和低端增益衰減法進行設計。生產成品并經測試，該產品性價比高，完全達到了設計要求
上傳時間： 2013-11-03
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PCB拼板規范及標準的主要內容有： 1、PCB拼板寬度≤260mm（SIEMENS線）或≤300mm（FUJI線）；如果需要自動點膠，PCB拼板寬度×長度≤125 mm×180 mm
上傳時間： 2013-10-21
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