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DMA-flash-RAM

  • PLB Block RAM(BRAM)接口控制器

    基于RAM塊的應(yīng)用

    標(biāo)簽: Block BRAM PLB RAM

    上傳時(shí)間: 2015-01-01

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  • XAPP483 - 利用 Platform Flash PROM 實(shí)現(xiàn)多重啟動(dòng)功能

      一些應(yīng)用利用 Xilinx FPGA 在每次啟動(dòng)時(shí)可改變配置的能力,根據(jù)所需來改變 FPGA 的功能。Xilinx Platform Flash XCFxxP PROM 的設(shè)計(jì)修訂 (Design Revisioning) 功能,允許用戶在單個(gè)PROM 中將多種配置存儲(chǔ)為不同的修訂版本,從而簡化了 FPGA 配置更改。在 FPGA 內(nèi)部加入少量的邏輯,用戶就能在 PROM 中存儲(chǔ)的多達(dá)四個(gè)不同的修訂版本之間進(jìn)行動(dòng)態(tài)切換。多重啟動(dòng)或從多個(gè)設(shè)計(jì)修訂進(jìn)行動(dòng)態(tài)重新配置的能力,與 Spartan™-3E FPGA 和第三方并行 flashPROM 一起使用時(shí)所提供的 MultiBoot 選項(xiàng)相似。本應(yīng)用指南將進(jìn)一步說明 Platform Flash PROM 如何提供附加選項(xiàng)來增強(qiáng)配置失敗時(shí)的安全性,以及如何減少引腳數(shù)量和板面積。此外,Platform Flash PROM 還為用戶提供其他優(yōu)勢(shì):iMPACT 編程支持、單一供應(yīng)商解決方案、低成本板設(shè)計(jì)和更快速的配置加載。本應(yīng)用指南還詳細(xì)地介紹了一個(gè)包含 VHDL 源代碼的參考設(shè)計(jì)。

    標(biāo)簽: Platform Flash XAPP PROM

    上傳時(shí)間: 2013-10-10

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  • XAPP482 - MicroBlaze Platform Flash,PROM 引導(dǎo)加載器和用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)

        本應(yīng)用指南講述一種實(shí)用的 MicroBlaze™ 系統(tǒng),用于在非易失性 Platform Flash PROM 中存儲(chǔ)軟件代碼、用戶數(shù)據(jù)和配置數(shù)據(jù),以簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)和降低成本。另外,本應(yīng)用指南還介紹一種可移植的硬件設(shè)計(jì)、一個(gè)軟件設(shè)計(jì)以及在實(shí)現(xiàn)流程中使用的其他腳本實(shí)用工具。   簡介許多 FPGA 設(shè)計(jì)都集成了使用 MicroBlaze 和 PowerPC™ 處理器的軟件嵌入式系統(tǒng),這些設(shè)計(jì)同時(shí)使用外部易失性存儲(chǔ)器來執(zhí)行軟件代碼。使用易失性存儲(chǔ)器的系統(tǒng)還必須包含一個(gè)非易失性器件,用來在斷電期間存儲(chǔ)軟件代碼。大多數(shù) FPGA 系統(tǒng)都在電路板上使用 Platform FlashPROM (在本文中稱作 PROM),用于在上電時(shí)加載 FPGA 配置數(shù)據(jù)。另外,許多應(yīng)用還可能使用其他非易失性器件(如 SPI Flash、Parallel Flash 或 PIC)來保存 MAC 地址等少量用戶數(shù)據(jù),因此導(dǎo)致系統(tǒng)電路板上存在大量非易失性器件。

    標(biāo)簽: MicroBlaze Platform Flash XAPP

    上傳時(shí)間: 2013-10-15

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  • 基于Actel FPGA的雙端口RAM設(shè)計(jì)

    基于Actel FPGA 的雙端口RAM 設(shè)計(jì)雙端口RAM 芯片主要應(yīng)用于高速率、高可靠性、對(duì)實(shí)時(shí)性要求高的場(chǎng)合,如實(shí)現(xiàn)DSP與PCI 總線芯片之間的數(shù)據(jù)交換接口電路等。但普通雙端口RAM 最大的缺點(diǎn)是在兩個(gè)CPU發(fā)生競(jìng)爭時(shí),有一方CPU 必須等待,因而降低了訪問效率。IDT 公司推出的專用雙端口RAM 芯片解決了普通雙端口RAM 內(nèi)部競(jìng)爭問題,并融合了中斷、旗語、主從功能。它具有存取速度快、功耗低、可完全異步操作、接口電路簡單等優(yōu)點(diǎn),但缺點(diǎn)也非常明顯,那就是價(jià)格太昂貴。為解決IDT 專用雙端口RAM 芯片的價(jià)格過高問題,廣州致遠(yuǎn)電子有限公司推出了一種全新的基于Actel FPGA 的雙端口RAM 的解決方案。該方案采用Actel FPGA 實(shí)現(xiàn),不僅具有IDT 專用雙端口RAM 芯片的所有性能特點(diǎn),更是在價(jià)格上得到了很大改善,以A3P060雙端口RAM 為例,在相同容量(2K 字節(jié))下,其價(jià)格僅為IDT 專用芯片的六分之一。

    標(biāo)簽: Actel FPGA RAM 雙端口

    上傳時(shí)間: 2013-10-19

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  • Hyperlynx仿真應(yīng)用:阻抗匹配

    Hyperlynx仿真應(yīng)用:阻抗匹配.下面以一個(gè)電路設(shè)計(jì)為例,簡單介紹一下PCB仿真軟件在設(shè)計(jì)中的使用。下面是一個(gè)DSP硬件電路部分元件位置關(guān)系(原理圖和PCB使用PROTEL99SE設(shè)計(jì)),其中DRAM作為DSP的擴(kuò)展Memory(64位寬度,低8bit還經(jīng)過3245接到FLASH和其它芯片),DRAM時(shí)鐘頻率133M。因?yàn)轭l率較高,設(shè)計(jì)過程中我們需要考慮DRAM的數(shù)據(jù)、地址和控制線是否需加串阻。下面,我們以數(shù)據(jù)線D0仿真為例看是否需要加串阻。模型建立首先需要在元件公司網(wǎng)站下載各器件IBIS模型。然后打開Hyperlynx,新建LineSim File(線路仿真—主要用于PCB前仿真驗(yàn)證)新建好的線路仿真文件里可以看到一些虛線勾出的傳輸線、芯片腳、始端串阻和上下拉終端匹配電阻等。下面,我們開始導(dǎo)入主芯片DSP的數(shù)據(jù)線D0腳模型。左鍵點(diǎn)芯片管腳處的標(biāo)志,出現(xiàn)未知管腳,然后再按下圖的紅線所示線路選取芯片IBIS模型中的對(duì)應(yīng)管腳。 3http://bbs.elecfans.com/ 電子技術(shù)論壇 http://www.elecfans.com 電子發(fā)燒友點(diǎn)OK后退到“ASSIGN Models”界面。選管腳為“Output”類型。這樣,一樣管腳的配置就完成了。同樣將DRAM的數(shù)據(jù)線對(duì)應(yīng)管腳和3245的對(duì)應(yīng)管腳IBIS模型加上(DSP輸出,3245高阻,DRAM輸入)。下面我們開始建立傳輸線模型。左鍵點(diǎn)DSP芯片腳相連的傳輸線,增添傳輸線,然后右鍵編輯屬性。因?yàn)槲覀兪褂盟膶影澹诒韺幼呔€,所以要選用“Microstrip”,然后點(diǎn)“Value”進(jìn)行屬性編輯。這里,我們要編輯一些PCB的屬性,布線長度、寬度和層間距等,屬性編輯界面如下:再將其它傳輸線也添加上。這就是沒有加阻抗匹配的仿真模型(PCB最遠(yuǎn)直線間距1.4inch,對(duì)線長為1.7inch)。現(xiàn)在模型就建立好了。仿真及分析下面我們就要為各點(diǎn)加示波器探頭了,按照下圖紅線所示路徑為各測(cè)試點(diǎn)增加探頭:為發(fā)現(xiàn)更多的信息,我們使用眼圖觀察。因?yàn)闀r(shí)鐘是133M,數(shù)據(jù)單沿采樣,數(shù)據(jù)翻轉(zhuǎn)最高頻率為66.7M,對(duì)應(yīng)位寬為7.58ns。所以設(shè)置參數(shù)如下:之后按照芯片手冊(cè)制作眼圖模板。因?yàn)槲覀冏铌P(guān)心的是接收端(DRAM)信號(hào),所以模板也按照DRAM芯片HY57V283220手冊(cè)的輸入需求設(shè)計(jì)。芯片手冊(cè)中要求輸入高電平VIH高于2.0V,輸入低電平VIL低于0.8V。DRAM芯片的一個(gè)NOTE里指出,芯片可以承受最高5.6V,最低-2.0V信號(hào)(不長于3ns):按下邊紅線路徑配置眼圖模板:低8位數(shù)據(jù)線沒有串阻可以滿足設(shè)計(jì)要求,而其他的56位都是一對(duì)一,經(jīng)過仿真沒有串阻也能通過。于是數(shù)據(jù)線不加串阻可以滿足設(shè)計(jì)要求,但有一點(diǎn)需注意,就是寫數(shù)據(jù)時(shí)因?yàn)榇嬖诨貨_,DRAM接收高電平在位中間會(huì)回沖到2V。因此會(huì)導(dǎo)致電平判決裕量較小,抗干擾能力差一些,如果調(diào)試過程中發(fā)現(xiàn)寫RAM會(huì)出錯(cuò),還需要改版加串阻。

    標(biāo)簽: Hyperlynx 仿真 阻抗匹配

    上傳時(shí)間: 2013-12-17

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  • 三菱PLC的學(xué)習(xí)FLASH

    三菱PLC的學(xué)習(xí)FLASH

    標(biāo)簽: FLASH PLC 三菱

    上傳時(shí)間: 2013-12-29

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  • FLASH短接圖(解決U盤

    FLASH短接圖

    標(biāo)簽: FLASH U盤

    上傳時(shí)間: 2013-10-11

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  • SL811開發(fā)資料_包含源程序_電路圖_芯片資料

    SL811開發(fā)資料_包含源程序_電路圖_芯片資料:SL811HS Embedded USB Host/Slave Controller.The SL811HS is an Embedded USB Host/Slave Controller capable of communicate with either full-speed or low-speed USB peripherals. The SL811HS can interface to devices such as microprocessors, microcontrollers, DSPs, or directly to a variety of buses such as ISA, PCMCIA, and others. The SL811HS USB Host Controller conforms to USB Specification 1.1.The SL811HS USB Host/Slave Controller incorporates USB Serial Interface functionality along with internal full-/low-speed transceivers.The SL811HS supports and operates in USB full-speed mode at 12 Mbps, or at low-speed 1.5-Mbps mode.The SL811HS data port and microprocessor interface provide an 8-bit data path I/O or DMA bidirectional, with interrupt support to allow easy interface to standard microprocessors or microcontrollers such as Motorola or Intel CPUs and many others. Internally,the SL811HS contains a 256-byte RAM data buffer which is used for control registers and data buffer.The available package types offered are a 28-pin PLCC (SL811HS) and a 48-pin TQFP package (SL811HST-AC). Both packages operate at 3.3 VDC. The I/O interface logic is 5V-tolerant.

    標(biāo)簽: 811 SL 開發(fā)資料 源程序

    上傳時(shí)間: 2013-12-22

    上傳用戶:a82531317

  • NAND FLASH在儲(chǔ)存測(cè)試系統(tǒng)中的應(yīng)用

    NAND FLASH在儲(chǔ)存測(cè)試系統(tǒng)中的應(yīng)用

    標(biāo)簽: FLASH NAND 儲(chǔ)存 中的應(yīng)用

    上傳時(shí)間: 2013-11-19

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  • TinyM0配套教程 串行NOR Flash存儲(chǔ)方案

    串行NOR Flash是用串口進(jìn)行連續(xù)數(shù)據(jù)存取的小尺寸、低功耗Flash存儲(chǔ)器;相對(duì)于并行Flash,它用更少的引腳傳送數(shù)據(jù),這降低了系統(tǒng)空間、功耗、成本。它內(nèi)部的地址空間是線性的,隨機(jī)訪問速度快;它的傳輸效率高,在1~ 4MB的小容量時(shí)具有很高的性價(jià)比。更重要的是,串行NOR Flash的讀寫操作十分簡單。這些優(yōu)勢(shì)使得串行NOR Flash被廣泛地用于微型、低功耗的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)。串行NOR Flash 可通過SPI進(jìn)行操作。用戶根據(jù)NOR Flash芯片自定義的協(xié)議,通過SPI發(fā)送命令到芯片,并接收NOR Flash芯片返回的狀態(tài)信息和數(shù)據(jù)信息。此外,用戶在使用串行NOR Flash時(shí)需要注意其支持哪些類型的SPI操作方式。

    標(biāo)簽: TinyM0 Flash NOR 教程

    上傳時(shí)間: 2013-11-08

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