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EPI

  • FPGA與ARM EPI通信，控制16路步進電機和12路DC馬達 VHDL編寫的

    FPGA與ARM EPI通信，控制16路步進電機和12路DC馬達 VHDL編寫的，，，，，

    標簽： FPGA VHDL ARM EPI

    上傳時間： 2013-10-21

    上傳用戶：zhyfjj

  • FPGA與ARM EPI通信，控制16路步進電機和12路DC馬達 VHDL編寫的

    FPGA與ARM EPI通信，控制16路步進電機和12路DC馬達 VHDL編寫的，，，，，

    標簽： FPGA VHDL ARM EPI

    上傳時間： 2013-10-31

    上傳用戶：chaisz

  • 一個EPI路由協議的實現

    一個EPI路由協議的實現，基于TORA算法，在NS2仿真平臺編譯通過，主要用于稀疏環境的MANET路由，仿真顯示性能優于AODV，DSDV等原有AD HOC路由，思想在于引入基于節點遇見概率下的泛洪路由，適合開放MANET路由協議者參考。

    標簽： EPI 路由協議

    上傳時間： 2015-11-29

    上傳用戶：hj_18

  • EPI-m102固件升級包

    易派科技Electronics Pioneer v285 EPI-m102固件升級包

    標簽： EPI-m 102 固件升級

    上傳時間： 2017-04-01

    上傳用戶：丿卓文灬雪影

  • 磁共振用超導磁體的磁場均勻性研究

    隨著生物工程及醫學影像學的發展，磁共振成像在醫學診斷學方面發揮著越來越重要的角色。磁場的均勻性是大型醫療設備——核磁共振(MRI)成像的理論基礎，是評價該設備的一個重要的技術參數，磁場的均勻性分析也是電磁場理論分析的一個重要方向。良好、穩定的磁場均勻性對核磁共振圖像的信噪比(SNR)的提高有重要的意義，同時也是飽和壓脂序列實現的唯一條件。 該課題的主要內容是在介紹磁共振成像原理與磁共振超導磁體的超導勻場線圈的形狀及位置的基礎上，分析各個線圈中電流的大小與空間某點磁場強度的關系。同時借鑒磁共振成像原理，設計輔助測量水膜，對空間某一特定半徑的球體腔內各點的磁場強度進行自動化測量。在當前使用的被動式勻場的基礎上，利用分析軟件，對線圈的選擇及電流的大小進行計算與優化。實驗結果表明效果良好，磁場均勻度有很大的改善。 采用的主要方法是利用磁共振成像原理及傅里葉轉化技術去設計一種精確、方便、快捷的勻場方法。通過計算機模擬及有限元分析的方法進行計算、優化，最終得到理想的磁場均勻度。 良好的磁場均勻性是磁共振成像的基礎，是飽和壓脂序列(FATSAT)、平面回波成像(EPI)、彌散成像、頻譜分析等一系列近幾年新出現的先進序列實現的前提條件。從而為臨床醫學提供了一種先進的檢查手段，為疾病診治的及時性、準確性、可靠性及病灶確切位置的判斷都提供了基礎。 該文所介紹的磁場均勻性測量、分析方法以及在此基礎上設計的勻場計算分析軟件已在多臺磁共振安裝調試過程中得到應用，達到了預期的目的，能夠滿足現場調試的要求。該方法對于今后超導磁體磁共振的磁場均勻性調試，及在醫學影像學方面的發展有很好的應用價值。該項技術在該領域的推廣必然會提高磁場均勻性的精度，推動醫學影像學及臨床診斷學的發展。并能帶來良好的社會效益及經濟效益，具有關闊的應用前景。

    標簽： 磁共振 超導磁體 磁場

    上傳時間： 2013-04-24

    上傳用戶：tianjinfan

  • COOLMOS_原理結構

    看到不少網友對COOLMOS感興趣，把自己收集整理的資料、個人理解發出來，與大家共享。個人理解不一定完全正確，僅供參考。COOLMOS（super junction）原理，與普通VDMOS的差異如下： 對于常規VDMOS器件結構，大家都知道Rdson與BV這一對矛盾關系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson就大了。所以對于普通VDMOS，兩者矛盾不可調和。8 X( ?1 B4 i* q: i但是對于COOLMOS，這個矛盾就不那么明顯了。通過設置一個深入EPI的的P區，大大提高了BV，同時對Rdson上不產生影響。為什么有了這個深入襯底的P區，就能大大提高耐壓呢？

    標簽： COOLMOS

    上傳時間： 2014-12-23

    上傳用戶：標點符號

  • CoolMos的原理、結構及制造

    對于常規VDMOS器件結構， Rdson與BV存在矛盾關系，要想提高BV，都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson增大。所以對于普通VDMOS，兩者矛盾不可調和。 但是對于COOLMOS，這個矛盾就不那么明顯了。通過設置一個深入EPI的的P區，大大提高了BV，同時對Rdson上不產生影響。為什么有了這個深入襯底的P區，就能大大提高耐壓呢？ 對于常規VDMOS，反向耐壓，主要靠的是N型EPI與body區界面的PN結，對于一個PN結，耐壓時主要靠的是耗盡區承受，耗盡區內的電場大小、耗盡區擴展的寬度的面積，也就是下圖中的淺綠色部分，就是承受電壓的大小。常規VDMOS，P body濃度要大于N EPI， PN結耗盡區主要向低參雜一側擴散，所以此結構下，P body區域一側，耗盡區擴展很小，基本對承壓沒有多大貢獻，承壓主要是P body－－N EPI在N型的一側區域，這個區域的電場強度是逐漸變化的，越是靠近PN結面（a圖的A結），電場強度E越大。所以形成的淺綠色面積有呈現梯形。

    標簽： CoolMos 制造

    上傳時間： 2013-11-11

    上傳用戶：小眼睛LSL

  • SmartARM9B92工控教學開發平臺簡介

    SmartARM9B92 是由廣州致遠電子有限公司完全按照工業級標準（EMC/EMI）設計開發的一款通用工控/教學開發平臺，其核心控制器采用了TI 公司最新推出的LM3S9000 系列芯片。LM3S9000 在通用處理性能方面取得了最新突破，實現了連接性、存儲器配置與高級運動控制的完美結合。SmartARM9B92 開發平臺提供了豐富的接口：外部總線接口（EPI）、USB OTG 接口、10/100Mbps 以太網接口、帶電氣隔離的CAN 接口、電機驅動板接口、帶電氣隔離的RS-485 接口、I2S 音頻接口、UART/Modem 接口和SD 卡接口等，同時集成了大容量存儲器，包括SRAM、SDRAM、NOR Flash 和NAND Flash。SmartARM9B92平臺將LM3S9B92 的功能特性發揮的淋漓盡致，最大程度上滿足客戶的應用需求。

    標簽： SmartARM9 SmartARM B92 9B

    上傳時間： 2013-10-31

    上傳用戶：hewenzhi

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