各研究機構提出了像素補償電路用于改善OLED的均勻性和穩定性等問題,文中對目前采用有源OLED的α-Si TFT和p-Si TFT的各種像素補償電路進行了分析。分析結果表明,文中設計方案取得了一定的效果,但尚存不足。
上傳時間： 2013-11-21
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通常以為TTL門的速度高于“CMOS門電路。影響TTL門電路工作速度的主要因素是電路內部管子的開關特性、電路結構及內部的各電阻數值。電阻數值越大，作速度越低。管子的開關時間越長，門的工作速度越低。門的速度主要體現在輸出波形相對于輸入波形上有“傳輸延時”tpd。將tpd與空載功耗P的乘積稱“速度-功耗積”，做為器件性能的一個重要指標，其值越小，表明器件的性能越 好（一般約為幾十皮（10-12）焦耳）。與TTL門電路的情況不同，影響CMOS電路工作速度的主要因素在于電路的外部，即負載電容CL。CL是主要影響器件工作速度的原因。由CL所決定的影響CMOS門的傳輸延時約為幾十納秒。
上傳時間： 2013-11-22
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比例控制(P)是一種最簡單的控制方式。其控制器的輸出與輸入誤差信號成比例關系。根據設備有所不同，比例帶一般為2～10％(溫度控制)。但是，僅僅是P 控制的話，會產生下面將提到的off set (穩態誤差)，所以一般加上積分控制(I)，以消除穩態誤差。
上傳時間： 2014-07-21
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PID控制器由比例單元(P)、積分單元(I)和微分單元(D)組成。其輸入e (t)與輸出u (t)的關系為 u(t)=kp[e(t)+1/TI∫e(t)dt+TD*de(t)/dt] 式中積分的上下限分別是0和t 因此它的傳遞函數為：G(s)=U(s)/E(s)=kp[1+1/(TI*s)+TD*s] 其中kp為比例系數; TI為積分時間常數; TD為微分時間常數.
上傳時間： 2013-11-04
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在過程控制中，按偏差的比例（P）、積分（I）和微分（D）進行控制的PID控制器（亦稱PID調節器）是應用最為廣泛的一種自動控制器。
上傳時間： 2013-10-31
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零漂移放大器可動態校正其失調電壓并重整其噪聲密度。自穩零型和斬波型是兩種常用類型，可實現 nV 級失調電壓和極低的失調電壓時間/溫度漂移。放大器的 1/f 噪聲也視為直流誤差，也可一并消除。零漂移放大器為設計師提供了很多好處：首先，溫漂和 1/f 噪聲在系統中始終起著干擾作用，很難以其它方式消除，其次，相對于標準的放大器，零漂移放大器具有較高的開環增益、電源抑制比和共模抑制比，另外，在相同的配置下，其總輸出誤差低于采用標準精密放大器的輸出誤差
上傳時間： 2013-11-23
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提出了一種應用于CSTN-LCD系統中低功耗、高轉換速率的跟隨器的實現方案。基于GSMC±9V的0.18 μm CMOS高壓工藝SPICE模型的仿真結果表明，在典型的轉角下，打開2個輔助模塊時，靜態功耗約為35 μA；關掉輔助模塊時，主放大器的靜態功耗為24 μA。有外接1 μF的大電容時，屏幕上的充放電時間為10 μs；沒有外接1μF的大電容時，屏幕上的充放電時間為13μs。驗證表明，該跟隨器能滿足CSTN-LCD系統低功耗、高轉換速率性能要求。
上傳時間： 2013-11-18
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本文設計數字式液位測量儀,采用雙差壓法對液位進行測量,有效地克服了液體密度變化對液位測量結果的影響,提高液位測量的精度。本設計的液位測量儀還能直接顯示液位高度的厘米數。關鍵詞:雙差壓法 液位測量儀 普通差壓法測量液位, 精度無法保證。本文提出雙差壓法的改進方案,以克服液體密度變化對液位測量結果的影響,提高液位測量的精度。 雙差壓法液位測量原理普通差壓法測量液位的原理:只有在液體密度ρ恒定不變的條件下,差壓△ P 才與液位高度H 呈線性正比關系,才可通過測量差壓△P 間接地獲取液位H 值。但液體密度ρ是液體組份和溫度的多元函數。當液體組份和溫度變化導致密度ρ改變時,即使液位高度H 沒有變化,也將使差壓信號△ P 改變,此時若還按原先的液體密度ρ從差壓信號△ P 計算出液位H,顯然將導致測量誤差, 嚴重時會造成操作人員的錯誤判斷。為此,本文提出采用兩個差壓傳感器,如圖1。其中差壓傳感器1 用于測量未知液位高度H 產生的差壓,即密閉容器底部和液面上方的壓力差:
上傳時間： 2013-11-21
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電子學名詞1、 電阻率---又叫電阻系數或叫比電阻。是衡量物質導電性能好壞的一個物理量，以字母ρ表示，單位為歐姆*毫米平方/米。在數值上等于用那種物質做的長1米截面積為1平方毫米的導線，在溫度20C時的電阻值，電阻率越大，導電性能越低。則物質的電阻率隨溫度而變化的物理量，其數值等于溫度每升高1C時，電阻率的增加與原來的電阻電阻率的比值，通常以字母α表示，單位為1/C。2、 電阻的溫度系數----表示物質的電阻率隨溫度而變化的物理量，其數值等于溫度每升高1C時，電阻率的增加量與原來的電阻率的比值，通常以字母α表示，單位為1/C。3、 電導----物體傳導電流的本領叫做電導。在直流電路里，電導的數值就是電阻值的倒數，以字母ɡ表示，單位為歐姆。4、 電導率----又叫電導系數，也是衡量物質導電性能好壞的一個物理量。大小在數值上是電阻率的倒數，以字母γ表示，單位為米/歐姆*毫米平方。5、 電動勢----電路中因其他形式的能量轉換為電能所引起的電位差，叫做電動勢或者簡稱電勢。用字母E表示，單位為伏特。6、 自感----當閉合回路中的電流發生變化時，則由這電流所產生的穿過回路本身磁通也發生變化，因此在回路中也將感應電動勢，這現象稱為自感現象，這種感應電動勢叫自感電動勢。7、 互感----如果有兩只線圈互相靠近，則其中第一只線圈中電流所產生的磁通有一部分與第二只線圈相環鏈。當第一線圈中電流發生變化時，則其與第二只線圈環鏈的磁通也發生變化，在第二只線圈中產生感應電動勢。這種現象叫做互感現象。8、 電感----自感與互感的統稱。9、 感抗----交流電流過具有電感的電路時，電感有阻礙交流電流過的作用，這種作用叫做感抗，以Lx表示，Lx=2πfL。10、容抗----交流電流過具有電容的電路時，電容有阻礙交流電流過的作用，這種作用叫做容抗，以Cx表示，Cx=1/12πfc。11、脈動電流----大小隨時間變化而方向不變的電流，叫做脈動電流。12、振幅----交變電流在一個周期內出現的最大值叫振幅。13、平均值----交變電流的平均值是指在某段時間內流過電路的總電荷與該段時間的比值。正弦量的平均值通常指正半周內的平均值，它與振幅值的關系：平均值=0.637*振幅值。14、有效值----在兩個相同的電阻器件中，分別通過直流電和交流電，如果經過同一時間，它們發出的熱量相等，那么就把此直流電的大小作為此交流電的有效值。正弦電流的有效值等于其最大值的0.707倍。15、有功功率----又叫平均功率。交流電的瞬時功率不是一個恒定值，功率在一個周期內的平均值叫做有功功率，它是指在電路中電阻部分所消耗的功率，以字母P表示，單位瓦特。16、視在功率----在具有電阻和電抗的電路內，電壓與電流的乘積叫做視在功率，用字母Ps來表示，單位為瓦特。17、無功功率----在具有電感和電容的電路里，這些儲能元件在半周期的時間里把電源能量變成磁場（或電場）的能量存起來，在另半周期的時間里對已存的磁場（或電場）能量送還給電源。它們只是與電源進行能量交換，并沒有真正消耗能量。我們把與電源交換能量的速率的振幅值叫做無功功率。用字母Q表示，單位為芝。
標簽： 電子學
上傳時間： 2013-11-23
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Construction Strategy of ESD Protection CircuitAbstract： The principles used to construct ESD protection on circuits and the basic conceptions of ESD protection design are presented.Key words：ESD protection/On circuit, ESD design window, ESD current path1 引言靜電放電（ESD，Electrostatic Discharge）給電子器件環境會帶來破壞性的后果。它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發展，互補金屬氧化物半導體（CMOS，Complementary Metal-Oxide Semiconductor）的特征尺寸不斷縮小，金屬氧化物半導體(MOS, Metal-Oxide Semiconductor)的柵氧厚度越來越薄，MOS 管能承受的電流和電壓也越來越小，因此要進一步優化電路的抗ESD 性能，需要從全芯片ESD 保護結構的設計來進行考慮。
標簽： Construction Strategy ESD of
上傳時間： 2013-11-09
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