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F-P

  • 電位計訊號轉換器

    電位計訊號轉換器 AT-PM1-P1-DN-ADL 1.產品說明 AT系列轉換器/分配器主要設計使用于一般訊號迴路中之轉換與隔離;如 4~20mA、0~10V、熱電偶(Type K, J, E, T)、熱電阻(Rtd-Pt100Ω)、荷重元、電位計(三線式)、電阻(二線式)及交流電壓/電流等訊號,機種齊全。 此款薄型設計的轉換器/分配器,除了能提供兩組訊號輸出(輸出間隔離)或24V激發(fā)電源供傳送器使用外,切換式電源亦提供了安裝的便利性。上方并設計了電源、輸入及輸出指示燈及可插拔式接線端子方便現(xiàn)場施工及工作狀態(tài)檢視。 2.產品特點 可選擇帶指撥開關切換,六種常規(guī)輸出信號0-5V/0~10V/1~5V/2~10V/4~20mA/ 0~20mA 可自行切換。 雙回路輸出完全隔離,可選擇不同信號。 設計了電源、輸入及輸出LED指示燈,方便現(xiàn)場工作狀態(tài)檢視。 規(guī)格選擇表中可指定選購0.1%精度 17.55mm薄型35mm導軌安裝。 依據(jù)CE國際標準規(guī)范設計。 3.技術規(guī)格 用途:信號轉換及隔離 過載輸入能力:電流:10×額定10秒 第二組輸出:可選擇 輸入范圍:P1:0 Ω ~ 50.0 Ω / ~ 2.0 KΩ P2:0 Ω ~ 2.0 KΩ / ~ 100.0 KΩ 精確度: ≦±0.2% of F.S. ≦±0.1% of F.S. 偵測電壓:1.6V 輸入耗損: 交流電流:≤ 0.1VA; 交流電壓:≤ 0.15VA 反應時間: ≤ 250msec (10%~90% of FS) 輸出波紋: ≤ ±0.1% of F.S. 滿量程校正范圍:≤ ±10% of F.S.,2組輸出可個別調整 零點校正范圍:≤ ±10% of F.S.,2組輸出可個別調整 隔離:AC 2.0 KV 輸出1與輸出2之間 隔離抗阻:DC 500V 100MΩ 工作電源: AC 85~265V/DC 100~300V, 50/60Hz 或 AC/DC 20~56V (選購規(guī)格) 消耗功率: DC 4W, AC 6.0VA 工作溫度: 0~60 ºC 工作濕度: 20~95% RH, 無結露 溫度系數(shù): ≤ 100PPM/ ºC (0~50 ºC) 儲存溫度: -10~70 ºC 保護等級: IP 42 振動測試: 1~800 Hz, 3.175 g2/Hz 外觀尺寸: 94.0mm x 94.0mm x 17.5mm 外殼材質: ABS防火材料,UL94V0 安裝軌道: 35mm DIN導軌 (EN50022) 重量: 250g 安全規(guī)范(LVD): IEC 61010 (Installation category 3) EMC: EN 55011:2002; EN 61326:2003 EMI: EN 55011:2002; EN 61326:2003 常用規(guī)格:AT-PM1-P1-DN-ADL 電位計訊號轉換器,一組輸出,輸入范圍:0 Ω ~ 50.0 Ω / ~ 2.0 KΩ,輸出一組輸出4-20mA,工作電源AC/DC20-56V

    標簽: 電位計 訊號 轉換器

    上傳時間: 2013-11-05

    上傳用戶:feitian920

  • 交流功率因數(shù)轉換器

    交流功率因數(shù)轉換器 特點: 精確度0.25%滿刻度 ±0.25o 多種輸入,輸出選擇 輸入與輸出絕緣耐壓2仟伏特/1分鐘 沖擊電壓測試5仟伏特(1.2x50us) (IEC255-4,ANSI C37.90a/1974) 突波電壓測試2.5仟伏特(0.25ms/1MHz) (IEC255-4) 尺寸小,穩(wěn)定性高 主要規(guī)格: 精確度: 0.25% F.S. ±0.25°(23 ±5℃) 輸入負載: <0.2VA (Voltage) <0.2VA (Current) 最大過載能力: Current related input: 3 x rated continuous 10 x rated 30 sec. 25 x rated 3sec. 50 x rated 1sec. Voltage related input:maximum 2 x rated continuous 輸出反應速度: < 250ms(0~90%) 輸出負載能力: < 10mA for voltage mode < 10V for current mode 輸出之漣波: < 0.1% F.S. 歸零調整范圍: 0~ ±5% F.S. 最大值調整范圍: 0~ ±10% F.S. 溫度系數(shù): 100ppm/℃ (0~50℃) 隔離特性: Input/Output/Power/Case 絕緣抗阻: >100Mohm with 500V DC 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/output/power/case) 突波測試: ANSI C37.90a/1974,DIN-IEC 255-4 impulse voltage 5KV(1.2x50us) 使用環(huán)境條件: -20~60℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環(huán)境條件: -30~70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE認證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001

    標簽: 交流 功率因數(shù)轉換器

    上傳時間: 2013-10-22

    上傳用戶:thing20

  • 交流頻率轉換器

    交流頻率轉換器 特點: 精確度0.05%滿刻度(Accuracy 0.05%F.S.) 多種輸入,輸出選擇 輸入與輸出絕緣耐壓2仟伏特/1分鐘 沖擊電壓測試5仟伏特(1.2x50us) (IEC255-4,ANSI C37.90a/1974) 突波電壓測試2.5仟伏特(0.25ms/1MHz) (IEC255-4) 尺寸小,穩(wěn)定性高 2:主要規(guī)格 精確度: 0.05% F.S. (23 ±5℃) 輸入負載: <0.2VA 最大過載能力:maximum 2 x rated continuous 輸出反應時間: <250ms (0~90%) 輸出負載能力: <10mA for voltage mode <10V for current mode 輸出漣波: <0.1% F.S. 歸零調整范圍: 0~±5% F.S. 最大值調整范圍: 0~±10% F.S. 溫度系數(shù): 50ppm/℃ (0~50℃) 隔離特性: Input/Output/Power/Case 絕緣抗阻: >100M ohm with 500V DC 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 行動測試: ANSI C37.90a/1974,DIN-IEC 255-4 impulse voltage 5KV (1.2 x 50us) 突波測試: 2.5KV-0.25ms/1MHz 使用環(huán)境條件: -20~60℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環(huán)境條件: -30~70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE認證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001

    標簽: 交流 頻率轉換器

    上傳時間: 2013-10-11

    上傳用戶:xzt

  • 交流電壓,電流轉換器

    交流電壓,電流轉換器 特點: 精確度0.25%滿刻度(RMS) 多種輸入,輸出選擇 輸入與輸出絕緣耐壓2仟伏特/1分鐘 沖擊電壓測試5仟伏特(1.2x50us) (IEC255-4,ANSI C37.90a/1974) 突波電壓測試2.5仟伏特(0.25ms/1MHz) (IEC255-4) 尺寸小,穩(wěn)定性高 2:主要規(guī)格 精確度:0.25%F.S.(RMS) (23 ±5℃) 輸入負載: <0.2VA(voltage) <0.2VA(current) 最大過載能力: Current related input:3 x rated continuous 10 x rated 30 sec. ,25 x rated 3sec. 50 x rated 1sec. Voltage related input:maximum 2x rated continuous 輸出反應時間: <250ms (0~90%) 輸出負載能力: <10mA for voltage mode <10V for current mode 輸出漣波: <0.1% F.S. 歸零調整范圍: 0~±5% F.S. 最大值調整范圍: 0~±10% F.S. 溫度系數(shù): 100ppm/℃ (0~50℃) 隔離特性: Input/Output/Power/Case 絕緣抗阻: >100Mohm with 500V DC 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 行動測試: ANSI C37.90a/1974,DIN-IEC 255-4 impulse voltage 5KV (1.2 x 50us) 突波測試: 2.5KV-0.25ms/1MHz 使用環(huán)境條件: -20~60℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環(huán)境條件: -30~70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE認證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001

    標簽: 交流電壓 電流轉換器

    上傳時間: 2013-11-09

    上傳用戶:非衣2016

  • CoolMOS導通電阻分析及與VDMOS的比較

    為了克服傳統(tǒng)功率MOS 導通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結構,稱為超級結器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導體薄層交替排列組成。在截止態(tài)時,由于p 型和n 型層中的耗盡區(qū)電場產生相互補償效應,使p 型和n 型層的摻雜濃度可以做的很高而不會引起器件擊穿電壓的下降。導通時,這種高濃度的摻雜使器件的導通電阻明顯降低。由于CoolMOS 的這種獨特器件結構,使它的電性能優(yōu)于傳統(tǒng)功率MOS。本文對CoolMOS 導通電阻與擊穿電壓關系的理論計算表明,對CoolMOS 橫向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,對縱向器件: Ron ·A = C ·V B ,與縱向DMOS 導通電阻與擊穿電壓之間Ron ·A = C ·V 2. 5B 的關系相比,CoolMOS 的導通電阻降低了約兩個數(shù)量級。

    標簽: CoolMOS VDMOS 導通電阻

    上傳時間: 2013-10-21

    上傳用戶:1427796291

  • COOLMOS_原理結構

    看到不少網(wǎng)友對COOLMOS感興趣,把自己收集整理的資料、個人理解發(fā)出來,與大家共享。個人理解不一定完全正確,僅供參考。COOLMOS(super junction)原理,與普通VDMOS的差異如下: 對于常規(guī)VDMOS器件結構,大家都知道Rdson與BV這一對矛盾關系,要想提高BV,都是從減小EPI參雜濃度著手,但是外延層又是正向電流流通的通道,EPI參雜濃度減小了,電阻必然變大,Rdson就大了。所以對于普通VDMOS,兩者矛盾不可調和。8 X( ?1 B4 i* q: i但是對于COOLMOS,這個矛盾就不那么明顯了。通過設置一個深入EPI的的P區(qū),大大提高了BV,同時對Rdson上不產生影響。為什么有了這個深入襯底的P區(qū),就能大大提高耐壓呢?

    標簽: COOLMOS

    上傳時間: 2014-12-23

    上傳用戶:標點符號

  • 4-20mA,0-10V電流~電壓模擬信號光電隔離放大器

    iso u-p-o 系列直流電壓信號隔離放大器是一種將電壓信號轉換成按比例輸出的隔離電流或電壓信號的混合集成電路。該ic內部含有一組高隔離的dc/dc電源和電壓信號高效率耦合隔離變換電路等,可以將直流電壓小信號進行隔離放大(u/u)輸出或直接轉換為直流電流(u /i)信號輸出。較大的輸入阻抗(≥1 mω),較強的帶負載能力(電流輸出>650ω,電壓輸出≥2kω)能實現(xiàn)小信號遠程無失真的傳輸。 ic內部可采用陶瓷基板、印刷電阻全smt的可靠工藝制作及使用新技術隔離措施,使器件能滿足信號輸入/輸出/輔助電源之間3kv三隔離和工業(yè)級寬溫度、潮濕震動等現(xiàn)場環(huán)境要求。外接滿度校正和零點校正的多圈電位器可實現(xiàn) 0-5v/0-10v/1-5v4-20ma/0-20ma等信號之間的隔離和轉換。(精度線性高,隔離電壓3000vdc)

    標簽: 20 10 mA 電流

    上傳時間: 2014-12-23

    上傳用戶:392210346

  • CoolMos的原理、結構及制造

    對于常規(guī)VDMOS器件結構, Rdson與BV存在矛盾關系,要想提高BV,都是從減小EPI參雜濃度著手,但是外延層又是正向電流流通的通道,EPI參雜濃度減小了,電阻必然變大,Rdson增大。所以對于普通VDMOS,兩者矛盾不可調和。 但是對于COOLMOS,這個矛盾就不那么明顯了。通過設置一個深入EPI的的P區(qū),大大提高了BV,同時對Rdson上不產生影響。為什么有了這個深入襯底的P區(qū),就能大大提高耐壓呢? 對于常規(guī)VDMOS,反向耐壓,主要靠的是N型EPI與body區(qū)界面的PN結,對于一個PN結,耐壓時主要靠的是耗盡區(qū)承受,耗盡區(qū)內的電場大小、耗盡區(qū)擴展的寬度的面積,也就是下圖中的淺綠色部分,就是承受電壓的大小。常規(guī)VDMOS,P body濃度要大于N EPI, PN結耗盡區(qū)主要向低參雜一側擴散,所以此結構下,P body區(qū)域一側,耗盡區(qū)擴展很小,基本對承壓沒有多大貢獻,承壓主要是P body--N EPI在N型的一側區(qū)域,這個區(qū)域的電場強度是逐漸變化的,越是靠近PN結面(a圖的A結),電場強度E越大。所以形成的淺綠色面積有呈現(xiàn)梯形。

    標簽: CoolMos 制造

    上傳時間: 2013-11-11

    上傳用戶:小眼睛LSL

  • cadence操作常用快捷鍵總結

    schematic常用快捷鍵 x:檢查并存盤 s:存盤 [:縮小 ]:放大 F:整圖居中顯示 u:撤銷上一次操作 Esc:清楚剛鍵入的命令 c:復制 m:移動

    標簽: cadence 操作 快捷鍵

    上傳時間: 2013-11-21

    上傳用戶:王楚楚

  • Ku波段30W固態(tài)功率放大器

    本文敘述了研制的應用于VSAT衛(wèi)星通信的Ku波段30W固態(tài)功率放大器(SSPA)。闡述了該固態(tài)功率放大器的方案構成和關鍵部分的設計,包括功率合成網(wǎng)絡、微帶.波導轉換的設計;功率合成電路的設計,特別是波導魔T的優(yōu)化設計。研制的30W固態(tài)功率放大器的主要性能為:中心頻率14.25GHz,帶寬500MHz,P.1dB輸出功率30W,大信號增益45dB,帶內波動小于5dB。

    標簽: 30W Ku波段 固態(tài)功率 放大器

    上傳時間: 2013-11-22

    上傳用戶:robter

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