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鐵電隨機存儲器（F-RAM），相對于其它類型的半導體技術而言，鐵電隨機存儲器（F-RAM）具有一些獨一無二的特性。已經確定的半導體存儲器可以分為兩類：易失性和非易失性。易失性存儲器包括靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）和動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）以及其他類型存儲器。RAM類型存儲器易于使用，高性能，但它們有著共同的弱點：在掉電的情況下會失去所保存的數(shù)據(jù)。