BC20-TE-B NB-Iot 評估板評估板原廠原理圖V1.2。完整對應實物裝置。
上傳時間： 2022-06-17
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ASR M08-B設置軟件 V3.2 arduino 2560+ASRM08-B測試程序 arduino UNO+ASRM08-B測試程序語音控制臺燈電路圖及C51源碼(不帶校驗碼) 繼電器模塊設置。 ASR M08-B是一款語音識別模塊。首先對模塊添加一些關鍵字，對著該模塊說出關鍵字，串口會返回三位的數，如果是返回特定的三位數字，還會引起ASR M08-B的相關引腳電平的變化。【測試】①打開“ASR M08-B設置軟件 V3.2.exe”。②選擇“串口號”、“打開串口”、點選“十六進制顯示”。③將USB轉串口模塊連接到語音識別模塊上。接線方法如下：語音模塊TXD --> USB模塊RXD語音模塊RXD --> USB模塊TXD語音模塊GND --> USB模塊GND語音模塊3V3 --> USB模塊3V3（此端為3.3V電源供電端。）④將模塊的開關撥到“A”端，最好再按一次上面的大按鈕（按一次即可，為了確保模塊工作在正確的模式）。⑤對著模塊說“開燈”、“關燈”模塊會返回“0B”、“0A”，表示正常(注意：0B對應返回值010，0B對應返回值010，返回是16進制顯示的嘛，設置的時候是10進制設置的)。
標簽： ASR M08-B
上傳時間： 2022-07-06
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磁芯電感器的諧波失真分析 摘 要：簡述了改進鐵氧體軟磁材料比損耗系數和磁滯常數ηB，從而降低總諧波失真THD的歷史過程，分析了諸多因數對諧波測量的影響，提出了磁心性能的調控方向。 關鍵詞：比損耗系數， 磁滯常數ηB ，直流偏置特性DC-Bias，總諧波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年來，變壓器生產廠家和軟磁鐵氧體生產廠家，在電感器和變壓器產品的總諧波失真指標控制上，進行了深入的探討和廣泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的問題。從工藝技術上采取了不少有效措施，促進了質量問題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。 一、 歷史回顧 總諧波失真（Total harmonic distortion） ，簡稱THD，并不是什么新的概念，早在幾十年前的載波通信技術中就已有嚴格要求<1>。1978年郵電部公布的標準YD/Z17－78“載波用鐵氧體罐形磁心”中，規定了高μQ材料制作的無中心柱配對罐形磁心詳細的測試電路和方法。如圖一電路所示，利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測量磁心產生的非線性失真。這種相對比較的實用方法，專用于無中心柱配對罐形磁心的諧波衰耗測試。 這種磁心主要用于載波電報、電話設備的遙測振蕩器和線路放大器系統，其非線性失真有很嚴格的要求。 圖中 ZD —— QF867 型阻容式載頻振蕩器，輸出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通濾波器，阻抗 150Ω，阻帶衰耗大于61dB， Lg88 ——并聯高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 選頻電平表，輸入高阻抗， L ——被測無心罐形磁心及線圈， C ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測量時，所配用線圈應用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝， （線架為一格） ， 其空心電感值為 318μH（誤差1％） 被測磁心配對安裝好后，先調節振蕩器頻率為 36.6～40KHz， 使輸出電平值為+17.4 dB， 即選頻表在 22′端子測得的主波電平 （P2）為+17.4 dB，然后在33′端子處測得輸出的三次諧波電平（P3）， 則三次諧波衰耗值為：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 為放大器增益dB 從以往的資料引證， 就可以發現諧波失真的測量是一項很精細的工作，其中測量系統的高、低通濾波器，信號源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴，阻抗必須匹配，薄膜電容器的非線性也有相應要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質的大空心線圈繞成，以保證本身的“潔凈” ，不至于造成對磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機的小型化和穩定性要求， 必須生產低損耗高穩定磁心。上世紀 70 年代初，1409 所和四機部、郵電部各廠，從工藝上改變了推板空氣窯燒結，出窯后經真空罐冷卻的落后方式，改用真空爐，并控制燒結、冷卻氣氛。技術上采用共沉淀法攻關試制出了μQ乘積 60 萬和 100 萬的低損耗高穩定材料，在此基礎上，還實現了高μ7000～10000材料的突破，從而大大縮短了與國外企業的技術差異。當時正處于通信技術由FDM（頻率劃分調制）向PCM（脈沖編碼調制） 轉換時期， 日本人明石雅夫發表了μQ乘積125 萬為 0.8×10 ，100KHz）的超優鐵氧體材料<3>，其磁滯系數降為優鐵
上傳時間： 2014-12-24
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磁芯電感器的諧波失真分析 摘 要：簡述了改進鐵氧體軟磁材料比損耗系數和磁滯常數ηB，從而降低總諧波失真THD的歷史過程，分析了諸多因數對諧波測量的影響，提出了磁心性能的調控方向。 關鍵詞：比損耗系數， 磁滯常數ηB ，直流偏置特性DC-Bias，總諧波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年來，變壓器生產廠家和軟磁鐵氧體生產廠家，在電感器和變壓器產品的總諧波失真指標控制上，進行了深入的探討和廣泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的問題。從工藝技術上采取了不少有效措施，促進了質量問題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。 一、 歷史回顧 總諧波失真（Total harmonic distortion） ，簡稱THD，并不是什么新的概念，早在幾十年前的載波通信技術中就已有嚴格要求<1>。1978年郵電部公布的標準YD/Z17－78“載波用鐵氧體罐形磁心”中，規定了高μQ材料制作的無中心柱配對罐形磁心詳細的測試電路和方法。如圖一電路所示，利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測量磁心產生的非線性失真。這種相對比較的實用方法，專用于無中心柱配對罐形磁心的諧波衰耗測試。 這種磁心主要用于載波電報、電話設備的遙測振蕩器和線路放大器系統，其非線性失真有很嚴格的要求。 圖中 ZD —— QF867 型阻容式載頻振蕩器，輸出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通濾波器，阻抗 150Ω，阻帶衰耗大于61dB， Lg88 ——并聯高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 選頻電平表，輸入高阻抗， L ——被測無心罐形磁心及線圈， C ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測量時，所配用線圈應用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝， （線架為一格） ， 其空心電感值為 318μH（誤差1％） 被測磁心配對安裝好后，先調節振蕩器頻率為 36.6～40KHz， 使輸出電平值為+17.4 dB， 即選頻表在 22′端子測得的主波電平 （P2）為+17.4 dB，然后在33′端子處測得輸出的三次諧波電平（P3）， 則三次諧波衰耗值為：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 為放大器增益dB 從以往的資料引證， 就可以發現諧波失真的測量是一項很精細的工作，其中測量系統的高、低通濾波器，信號源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴，阻抗必須匹配，薄膜電容器的非線性也有相應要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質的大空心線圈繞成，以保證本身的“潔凈” ，不至于造成對磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機的小型化和穩定性要求， 必須生產低損耗高穩定磁心。上世紀 70 年代初，1409 所和四機部、郵電部各廠，從工藝上改變了推板空氣窯燒結，出窯后經真空罐冷卻的落后方式，改用真空爐，并控制燒結、冷卻氣氛。技術上采用共沉淀法攻關試制出了μQ乘積 60 萬和 100 萬的低損耗高穩定材料，在此基礎上，還實現了高μ7000～10000材料的突破，從而大大縮短了與國外企業的技術差異。當時正處于通信技術由FDM（頻率劃分調制）向PCM（脈沖編碼調制） 轉換時期， 日本人明石雅夫發表了μQ乘積125 萬為 0.8×10 ，100KHz）的超優鐵氧體材料<3>，其磁滯系數降為優鐵
上傳時間： 2013-12-15
上傳用戶：天空說我在
/****************temic*********t5557***********************************/ #include <at892051.h> #include <string.h> #include <intrins.h> #include <stdio.h> #define uchar unsigned char #define uint unsigned int #define ulong unsigned long //STC12C2051AD的SFR定義 sfr WDT_CONTR = 0xe1;//stc2051的看門狗?????? /**********全局常量************/ //寫卡的命令 #define write_command0 0//寫密碼 #define write_command1 1//寫配置字 #define write_command2 2//密碼寫數據 #define write_command3 3//喚醒 #define write_command4 4//停止命令 #define TRUE 1 #define FALSE 0 #define OK 0 #define ERROR 255 //讀卡的時間參數us #define ts_min 250//270*11.0592/12=249//取近似的整數 #define ts_max 304//330*11.0592/12=304 #define t1_min 73//90*11.0592/12=83:-10調整 #define t1_max 156//180*11.0592/12=166 #define t2_min 184//210*11.0592/12=194 #define t2_max 267//300*11.0592/12=276 //***********不采用中斷處理:采用查詢的方法讀卡時關所有中斷****************/ sbit p_U2270B_Standby = P3^5;//p_U2270B_Standby PIN=13 sbit p_U2270B_CFE = P3^3;//p_U2270B_CFE PIN=6 sbit p_U2270B_OutPut = P3^7;//p_U2270B_OutPut PIN=2 sbit wtd_sck = P1^7;//SPI總線 sbit wtd_si = P1^3; sbit wtd_so = P1^2; sbit iic_data = P1^2;//lcd IIC sbit iic_clk = P1^7; sbit led_light = P1^6;//測試綠燈 sbit led_light1 = P1^5;//測試紅燈 sbit led_light_ok = P1^1;//讀卡成功標志 sbit fengmingqi = P1^5; /***********全局變量************************************/ uchar data Nkey_a[4] = {0xA0, 0xA1, 0xA2, 0xA3};//初始密碼 //uchar idata card_snr[4]; //配置字 uchar data bankdata[28] = {1,2,3,4,5,6,7,1,2,3,4,5,6,7,1,2,3,4,5,6,7,1,2,3,4,5,6,7}; //存儲卡上用戶數據(1-7)7*4=28 uchar data cominceptbuff[6] = {1,2,3,4,5,6};//串口接收數組ram uchar command; //第一個命令 uchar command1;// //uint temp; uchar j,i; uchar myaddr = 8; //uchar ywqz_count,time_count; //ywqz jishu: uchar bdata DATA; sbit BIT0 = DATA^0; sbit BIT1 = DATA^1; sbit BIT2 = DATA^2; sbit BIT3 = DATA^3; sbit BIT4 = DATA^4; sbit BIT5 = DATA^5; sbit BIT6 = DATA^6; sbit BIT7 = DATA^7; uchar bdata DATA1; sbit BIT10 = DATA1^0; sbit BIT11 = DATA1^1; sbit BIT12 = DATA1^2; sbit BIT13 = DATA1^3; sbit BIT14 = DATA1^4; sbit BIT15 = DATA1^5; sbit BIT16 = DATA1^6; sbit BIT17 = DATA1^7; bit i_CurrentLevel;//i_CurrentLevel BIT 00H(Saves current level of OutPut pin of U2270B) bit timer1_end; bit read_ok = 0; //緩存定時值,因用同一個定時器 union HLint { uint W; struct { uchar H;uchar L; } B; };//union HLint idata a union HLint data a; //緩存定時值,因用同一個定時器 union HLint0 { uint W; struct { uchar H; uchar L; } B; };//union HLint idata a union HLint0 data b; /**********************函數原型*****************/ //讀寫操作 void f_readcard(void);//全部讀出1~7 AOR喚醒 void f_writecard(uchar x);//根據命令寫不同的內容和操作 void f_clearpassword(void);//清除密碼 void f_changepassword(void);//修改密碼 //功能子函數 void write_password(uchar data *data p);//寫初始密碼或數據 void write_block(uchar x,uchar data *data p);//不能用通用指針 void write_bit(bit x);//寫位 /*子函數區*****************************************************/ void delay_2(uint x) //延時,時間x*10us@12mhz,最小20us@12mhz { x--; x--; while(x) { _nop_(); _nop_(); x--; } _nop_();//WDT_CONTR=0X3C;不能頻繁的復位 _nop_(); } ///////////////////////////////////////////////////////////////////// void initial(void) { SCON = 0x50; //串口方式1,允許接收 //SCON =0x50; //01010000B:10位異步收發,波特率可變,SM2=0不用接收到有效停止位才RI=1, //REN=1允許接收 TMOD = 0x21; //定時器1 定時方式2(8位),定時器0 定時方式1(16位) TCON = 0x40; //設定時器1 允許開始計時(IT1=1) TH1 = 0xfD; //FB 18.432MHz 9600 波特率 TL1 = 0xfD; //fd 11.0592 9600 IE = 0X90; //EA=ES=1 TR1 = 1; //啟動定時器 WDT_CONTR = 0x3c;//使能看門狗 p_U2270B_Standby = 0;//單電源 PCON = 0x00; IP = 0x10;//uart you xian XXXPS PT1 PX1 PT0 PX0 led_light1 = 1; led_light = 0; p_U2270B_OutPut = 1; } /************************************************/ void f_readcard()//讀卡 { EA = 0;//全關,防止影響跳變的定時器計時 WDT_CONTR = 0X3C;//喂狗 p_U2270B_CFE = 1;// delay_2(232); //>2.5ms /* // aor 用喚醒功能來防碰撞 p_U2270B_CFE = 0; delay_2(18);//start gap>150us write_bit(1);//10=操作碼讀0頁 write_bit(0); write_password(&bankdata[24]);//密碼block7 p_U2270B_CFE =1 ;// delay_2(516);//編程及確認時間5.6ms */ WDT_CONTR = 0X3C;//喂狗 led_light = 0; b.W = 0; while(!(read_ok == 1)) { //while(p_U2270B_OutPut);//等一個穩定的低電平?超時判斷? while(!p_U2270B_OutPut);//等待上升沿的到來同步信號檢測1 TR0 = 1; //deng xia jiang while(p_U2270B_OutPut);//等待下降沿 TR0 = 0; a.B.H = TH0; a.B.L = TL0; TH0 = TL0 = 0; TR0 = 1;//定時器晚啟動10個周期 //同步頭 if((324 < a.W) && (a.W < 353)) ;//檢測同步信號1 else { TR0 = 0; TH0 = TL0 = 0; goto read_error; } //等待上升沿 while(!p_U2270B_OutPut); TR0 = 0; a.B.H = TH0; a.B.L = TL0; TH0 = TL0 = 0; TR0 = 1;//b.N1<<=8; if(a.B.L < 195);//0.5p else { TR0 = 0; TH0 = TL0 = 0; goto read_error; } //讀0~7塊的數據 for(j = 0;j < 28;j++) { //uchar i; for(i = 0;i < 16;i++)//8個位 { //等待下降沿的到來 while(p_U2270B_OutPut); TR0 = 0; a.B.H = TH0; a.B.L = TL0; TH0 = TL0 = 0; TR0 = 1; if(t2_max < a.W/*)&&(a.W < t2_max)*/)//1P { b.W >>= 2;//先左移再賦值 b.B.L += 0xc0; i++; } else if(t1_min < a.B.L/*)&&(a.B.L < t1_max)*/)//0.5p { b.W >>= 1; b.B.L += 0x80; } else { TR0 = 0; TH0 = TL0 = 0; goto read_error; } i++; while(!p_U2270B_OutPut);//上升 TR0 = 0; a.B.H = TH0; a.B.L = TL0; TH0 = TL0 = 0; TR0 = 1; if(t2_min < a.W/*)&&(a.W < t2_max)*/)//1P { b.W >>= 2; i++; } else if(t1_min < a.B.L/*a.W)&&(a.B.L < t1_max)*/)//0.5P //else if(!(a.W==0)) { b.W >>= 1; //temp+=0x00; //led_light1=0;led_light=1;delay_2(40000); } else { TR0 = 0; TH0 = TL0 = 0; goto read_error; } i++; } //取出奇位 DATA = b.B.L; BIT13 = BIT7; BIT12 = BIT5; BIT11 = BIT3; BIT10 = BIT1; DATA = b.B.H; BIT17 = BIT7; BIT16 = BIT5; BIT15 = BIT3; BIT14 = BIT1; bankdata[j] = DATA1; } read_ok = 1;//讀卡完成了 read_error: _nop_(); } } /***************************************************/ void f_writecard(uchar x)//寫卡 { p_U2270B_CFE = 1; delay_2(232); //>2.5ms //psw=0 standard write if (x == write_command0)//寫密碼:初始化密碼 { uchar i; uchar data *data p; p = cominceptbuff; p_U2270B_CFE = 0; delay_2(31);//start gap>330us write_bit(1);//寫操作碼1:10 write_bit(0);//寫操作碼0 write_bit(0);//寫鎖定位0 for(i = 0;i < 35;i++) { write_bit(1);//寫數據位1 } p_U2270B_CFE = 1; led_light1 = 0; led_light = 1; delay_2(40000);//測試使用 //write_block(cominceptbuff[4],p); p_U2270B_CFE = 1; bankdata[20] = cominceptbuff[0];//密碼存入 bankdata[21] = cominceptbuff[1]; bankdata[22] = cominceptbuff[2]; bankdata[23] = cominceptbuff[3]; } else if (x == write_command1)//配置卡參數:初始化 { uchar data *data p; p = cominceptbuff; write_bit(1);//寫操作碼1:10 write_bit(0);//寫操作碼0 write_bit(0);//寫鎖定位0 write_block(cominceptbuff[4],p); p_U2270B_CFE= 1; } //psw=1 pssword mode else if(x == write_command2) //密碼寫數據 { uchar data*data p; p = &bankdata[24]; write_bit(1);//寫操作碼1:10 write_bit(0);//寫操作碼0 write_password(p);//發口令 write_bit(0);//寫鎖定位0 p = cominceptbuff; write_block(cominceptbuff[4],p);//寫數據 } else if(x == write_command3)//aor //喚醒 { //cominceptbuff[1]操作碼10 X xxxxxB uchar data *data p; p = cominceptbuff; write_bit(1);//10 write_bit(0); write_password(p);//密碼 p_U2270B_CFE = 1;//此時數據不停的循環傳出 } else //停止操作碼 { write_bit(1);//11 write_bit(1); p_U2270B_CFE = 1; } p_U2270B_CFE = 1; delay_2(560);//5.6ms } /************************************/ void f_clearpassword()//清除密碼 { uchar data *data p; uchar i,x; p = &bankdata[24];//原密碼 p_U2270B_CFE = 0; delay_2(18);//start gap>150us //操作碼10:10xxxxxxB write_bit(1); write_bit(0); for(x = 0;x < 4;x++)//發原密碼 { DATA = *(p++); for(i = 0;i < 8;i++) { write_bit(BIT0); DATA >>= 1; } } write_bit(0);//鎖定位0:0 p = &cominceptbuff[0]; write_block(0x00,p);//寫新配置參數:pwd=0 //密碼無效:即清除密碼 DATA = 0x00;//停止操作碼00000000B for(i = 0;i < 2;i++) { write_bit(BIT7); DATA <<= 1; } p_U2270B_CFE = 1; delay_2(560);//5.6ms } /*********************************/ void f_changepassword()//修改密碼 { uchar data *data p; uchar i,x,addr; addr = 0x07;//block7 p = &Nkey_a[0];//原密碼 DATA = 0x80;//操作碼10:10xxxxxxB for(i = 0;i < 2;i++) { write_bit(BIT7); DATA <<= 1; } for(x = 0;x < 4;x++)//發原密碼 { DATA = *(p++); for(i = 0;i < 8;i++) { write_bit(BIT7); DATA >>= 1; } } write_bit(0);//鎖定位0:0 p = &cominceptbuff[0]; write_block(0x07,p);//寫新密碼 p_U2270B_CFE = 1; bankdata[24] = cominceptbuff[0];//密碼存入 bankdata[25] = cominceptbuff[1]; bankdata[26] = cominceptbuff[2]; bankdata[27] = cominceptbuff[3]; DATA = 0x00;//停止操作碼00000000B for(i = 0;i < 2;i++) { write_bit(BIT7); DATA <<= 1; } p_U2270B_CFE = 1; delay_2(560);//5.6ms } /***************************子函數***********************************/ void write_bit(bit x)//寫一位 { if(x) { p_U2270B_CFE = 1; delay_2(32);//448*11.0592/120=42延時448us p_U2270B_CFE = 0; delay_2(28);//280*11.0592/120=26寫1 } else { p_U2270B_CFE = 1; delay_2(92);//192*11.0592/120=18 p_U2270B_CFE = 0; delay_2(28);//280*11.0592/120=26寫0 } } /*******************寫一個block*******************/ void write_block(uchar addr,uchar data *data p) { uchar i,j; for(i = 0;i < 4;i++)//block0數據 { DATA = *(p++); for(j = 0;j < 8;j++) { write_bit(BIT0); DATA >>= 1; } } DATA = addr <<= 5;//0地址 for(i = 0;i < 3;i++) { write_bit(BIT7); DATA <<= 1; } } /*************************************************/ void write_password(uchar data *data p) { uchar i,j; for(i = 0;i < 4;i++)// { DATA = *(p++); for(j = 0;j < 8;j++) { write_bit(BIT0); DATA >>= 1; } } } /*************************************************/ void main() { initial(); TI = RI = 0; ES = 1; EA = 1; delay_2(28); //f_readcard(); while(1) { f_readcard(); //讀卡 f_writecard(command1); //寫卡 f_clearpassword(); //清除密碼 f_changepassword(); //修改密碼 } }
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上傳時間： 2017-10-20
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GBT2423.51-2000 電工電子產品環境試驗第2部分 試驗方法試驗ke 流動混合氣體腐蝕試驗.pdf 535KB2019-03-29 13:34 GBT2423.50-1999 電工電子產品環境試驗第2部分 試驗方法試驗cy 恒定濕熱主要用于元件的加速試驗.pdf 319KB2019-03-29 13:34 GBT2423.49-1997 電工電子產品環境試驗第2部分 試驗方法試驗fe 振動--正弦拍頻法.pdf 832KB2019-03-29 13:34 GBT2423.48-1997 電工電子產品環境試驗第2部分 試驗方法試驗ff 振動--時間歷程法.pdf 708KB2019-03-29 13:34 GBT2423.47-1997 電工電子產品環境試驗第2部分 試驗方法試驗fg 聲振.pdf 773KB2019-03-29 13:34 GBT2423.46-1997 電工電子產品環境試驗第2部分：試驗方法試驗ef：撞擊擺錘.pdf 423KB2019-03-29 13:34 GBT2423.45-1997 電工電子產品環境試驗第2部分：試驗方法試驗zabdm：氣候順序.pdf 418KB2019-03-29 13:34 GBT2423.44-1995 電工電子產品環境試驗第二部分 試驗方法試驗eg 撞擊彈簧錘.pdf 356KB2019-03-29 13:34 GBT2423.43-1995 電工電子產品環境試驗第二部分 試驗方法元件、設備和其他產品在沖擊,碰撞,振動,和穩態加速度,等動力學試驗中的安裝要求和導則.pdf 496KB2019-03-29 13:34 GBT2423.42-1995 工電子產品環境試驗低溫低氣壓振動(正弦)綜合試驗方法.pdf 246KB2019-03-29 13:34 GBT2423.41-1994 電工電子產品基本環境試驗規程風壓試驗方法.pdf 213KB2019-03-29 13:34 GBT2423.40-1997 電工電子產品環境試驗第2部分試驗方法試驗cx 未飽和高壓蒸汽恒定濕熱.pdf 532KB2019-03-29 13:34 GBT2423.39-1990 電工電子產品基本環境試驗規程試驗ee 彈跳試驗方法.pdf 331KB2019-03-29 13:34 GBT2423.38-1990 電工電子產品基本環境試驗規程試驗r 水試驗方法.pdf 357KB2019-03-29 13:34 GBT2423.37-1989 電工電子產品基本環境試驗規程試驗l砂塵試驗方法.pdf 236KB2019-03-29 13:34 GBT2423.36-1986 電工電子產品基本環境試驗規程試驗zbfc 散熱和非散熱樣品的高溫振動(正弦)綜合試驗方法.pdf 273KB2019-03-29 13:34 GBT2423.35-1986 電工電子產品基本環境試驗規程試驗zafc 散熱和非散熱試驗樣品的低溫振動(正弦)綜合試驗方法.pdf 270KB2019-03-29 13:34 GBT2423.34-1986 電工電子產品基本環境試驗規程試驗zad 溫度濕度組合循環試驗方法.pdf 290KB2019-03-29 13:34 GBT2423.33-1989 電工電子產品基本環境試驗規程試驗kca 高濃度二氧化硫試驗方法.pdf 146KB2019-03-29 13:34 GBT2423.32-1985 電工電子產品基本環境試驗規程潤濕稱量法可焊性試驗方法.pdf 172KB2019-03-29 13:34 GBT2423.31-1985 電工電子產品基本環境試驗規程傾斜和搖擺試驗方法.pdf 143KB2019-03-29 13:34 GBT2423.30-1999 電工電子產品環境試驗第2部分試驗方法試驗xa 和導則在清洗劑中浸漬.pdf 104KB2019-03-29 13:34 GBT2423.29-1999 電工電子產品環境試驗第2部分試驗方法試驗u 引出端及整體安裝件強度.pdf 421KB2019-03-29 13:34 GBT2423.28-1982 電工電子產品基本環境試驗規程試驗t 錫焊試驗方法.pdf 697KB2019-03-29 13:34 GBT2423.27-1981 電工電子產品基本環境試驗規程試驗zamd 低溫低氣壓濕熱連續綜合試驗方法.pdf 128KB2019-03-29 13:34 GBT2423.26-1992 電工電子產品基本環境試驗規程試驗zbm 高溫低氣壓綜合試驗.pdf 211KB2019-03-29 13:34 GBT2423.25-1992 電工電子產品基本環境試驗規程試驗zam 低溫低氣壓綜合試驗.pdf 202KB2019-03-29 13:34 GBT2423.24-1995 電工電子產品環境試驗第二部分 試驗方法試驗sa 模擬地面上的太陽輻射.pdf 176KB2019-03-29 13:34 GBT2423.23-1995 電工電子產品環境試驗試驗q 密封.pdf 1.2M2019-03-29 13:34 GBT2423.22-2002 電工電子產品環境試驗第2部分試驗方法試驗n 溫度變化.pdf 302KB2019-03-29 13:34 GBT2423.21-1991 電工電子產品基本環境試驗規程試驗m 低氣壓試驗方法.pdf 107KB2019-03-29 13:34 GBT2423.20-1981 電工電子產品基本環境試驗規程試驗kd 接觸點和連接件的硫化氫試驗方法.pdf 140KB2019-03-29 13:34 GBT2423.19-1981 電工電子產品基本環境試驗規程試驗kc 接觸點和連接件的二氧化硫試驗方法.pdf 145KB2019-03-29 13:34 GBT2423.18-2000 電工電子產品環境試驗第二部分 試驗--試驗kb 鹽霧,交變(氯化鈉溶液).pdf 163KB2019-03-29 13:34 GBT2423.17-1993 電工電子產品基本環境試驗規程試驗ka 鹽霧試驗方法.pdf 105KB2019-03-29 13:34 GBT2423.16-1999 電工電子產品環境試驗第2部分 試驗方法試驗j和導則長霉.pdf 531KB2019-03-29 13:34 GBT2423.15-1995 電工電子產品環境試驗第2部分 試驗方法試驗ga和導則穩態加速度.pdf 297KB2019-03-29 13:34 GBT2423.14-1997 電工電子產品環境試驗第2部分 試驗方法試驗fdc寬頻帶隨機振動低再現性.pdf 444KB2019-03-29 13:34 GBT2423.13-1997 電工電子產品環境試驗第2部分 試驗方法試驗fdb寬頻帶隨機振動中再現性.pdf 805KB2019-03-29 13:34 GBT2423.12-1997 電工電子產品環境試驗第2部分 試驗方法試驗fda寬頻帶隨機振動--高再現性.pdf 842KB2019-03-29 13:34 GBT2423.11-1997 電工電子產品環境試驗第2部分 試驗方法試驗fd寬頻帶隨機振動--一般要求 .pdf 635KB2019-03-29 13:34 GBT2423.10-1995 電工電子產品環境試驗第2部分 試驗方法試驗fc和導則振動(正弦).pdf 1M2019-03-29 13:34 GBT2423.09-2001 電工電子產品環境試驗第2部分 試驗方法試驗cb設備用恒定濕熱.pdf 149KB2019-03-29 13:34 GBT2423.08-1995 電工電子產品環境試驗第2部分 試驗方法試驗ed自由跌落.pdf 301KB2019-03-29 13:34 GBT2423.07-1995 電工電子產品環境試驗第2部分 試驗方法試驗ec和導則傾跌與翻倒(主要用于設備型樣品).pdf 237KB2019-03-29 13:34 GBT2423.06-1995 電工電子產品環境試驗第2部分 試驗方法試驗eb和導則：碰撞.pdf 545KB2019-03-29 13:34 GBT2423.05-1995 電工電子產品環境試驗第2部分：試驗方法試驗ea和導則沖擊.pdf 892KB2019-03-29 13:34 GBT2423.04-1993 電工電子產品基本環境試驗規程試驗db 交變濕熱試驗方法.pdf 192KB2019-03-29 13:34 GBT2423.03-1993 電工電子產品基本環境試驗規程試驗ca 恒定濕熱試驗方法.pdf 124KB2019-03-29 13:34 GBT2423.02-2001 電工電子產品環境試驗第2部分 試驗方法試驗b高溫.pdf 744KB2019-03-29 13:34 GBT2423.01-2001 電工電子產品環境試驗第2部分 試驗方法試驗a低溫.pdf 499KB2019-03-29 13:34 GB2421-89 電工電子產品基本環境試驗規程總則.pdf
上傳時間： 2013-06-08
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近年來，隨著多媒體技術、計算機網絡與通信技術的的快速發展，傳統的監控系統也不斷向著新的發展方向進行著不斷的更新與發展。進而隨著嵌入式技術的出現以及人們對降低監控系統成本和提高可靠性的迫切需求，基于嵌入式系統的網絡視頻監控系統將成為新的研發熱點。 本文的目的是把嵌入式技術與計算機網絡技術相結合，構造一個性能穩定且具有較強處理能力的數字化遠程視頻監控系統。該監控系統以嵌入式Linux系統平臺作為服務器端，服務器程序在其上以后臺方式運行，等待監控系統環境中的客戶機使用瀏覽器向其發送訪問請求，實現在局域網乃至Internet網上對攝像頭的遠程控制。 文中把系統設計分為三大部分：系統硬件設計、嵌入式Linux在硬件平臺的實現和系統軟件設計。硬件設計部分首先提出了整個硬件系統的實現方案，接著詳細介紹了S3C2410處理器與存儲器、以太網控制器芯片以及USB和串口的接口電路設計；第二部分詳細敘述了嵌入式Linux在本系統硬件平臺的移植實現及應用程序的開發特點，重點講述了本系統平臺上Linux的引導加載程序Bootloader的設計過程；系統軟件部分首先介紹了USB接口攝像頭驅動在嵌入式Linux下的實現，重點講述了Video4Linux下視頻采集的實現，接著論述了如何實現圖像的JPEG壓縮，最后針對基于B/S模式的網絡通信系統結構，詳細闡述了網絡通信的具體實現過程和方法。 最后在辦公室局域網通過對系統測試，顯示了系統運行結果，實現了利用局域網或Internet網對遠程環境進行監控的功能。
上傳時間： 2013-07-04
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永磁同步發電機由于一系列高效節能的優點，在工農業生產、航空航天、國防和日常生活中得到廣泛應用，并且受到許多學者的關注，其研究領域主要涉及永磁同步發電機的設計、精確性能分析、控制等方面。 本課題作為國家自然科學基金項目《無刷無勵磁機諧波勵磁的混合勵磁永磁電機的研究》的課題，主要研究永磁電機的電磁場空載和負載計算，求出永磁電機的電壓波形和電壓調整率，為分段式轉子的混合勵磁永磁電機的研究奠定基礎，主要做了以下工作： 首先介紹了永磁同步發電機的基本原理，包括永磁同步發電機的結構形式和永磁同步發電機的運行性能，采用傳統解析理論給出了電壓調整率的計算方法及外特性的計算模型；然后用有限元ANSYS對永磁同步發電機樣機進行實體建模，經過定義分配材料、劃分網格、加邊界條件和載荷、求解計算等，得到矢量磁位Az、磁場強度H、磁感應強度B等結果，直觀地看出電機內部的磁場分布情況。 其次根據電磁場計算結果，應用齒磁通法對其進行后處理。該方法求解轉子在一個齒距內不同位置處的磁場，以定子齒的磁通為計算單位，根據繞組與齒的匝鏈關系，計算出磁鏈隨時間的變化，進而得到永磁同步發電機空、負載時電壓大小及波形。通過計算結果寫實驗結果對比，驗證了齒磁通法的正確性，為計算永磁同步發電機各種性能特性提供有力工具。 最后，基于齒磁通法對永磁同步發電機的外特性進行了深入研究，定量分析了結構參數對外特性的影響規律，提出了有效降低電壓調整率的方法的是：增加氣隙長度g的同時，適當增加永磁體的磁化方向的長度hm；此外，要盡量的減少每相串聯匝數N和增大導線面積以減小阻抗參數。通過改變電機的結構參數，對其電磁場進行計算，找到永磁電機電壓調整率的變化規律，為加電勵磁的混合勵磁永磁電機做準備，達到穩定輸出電壓的目的。
上傳時間： 2013-04-24
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心音信號是人體最重要的生理信號之一，包含心臟各個部分如心房、心室、大血管、心血管及各個瓣膜功能狀態的大量生理病理信息。心音信號分析與識別是了解心臟和血管狀態的一種不可缺少的手段。本文針對目前該研究領域中存在的分析方法問題和分類識別技術難點展開了深入的研究，內容涉及心音構成的分析、心音信號特征向量的提取、正常心音信號（NM）和房顫（AF）、主動脈回流（AR）、主動脈狹窄（AS）、二尖瓣回流（MR）4種心臟雜音信號的分類識別。本文的工作內容包括以下5個方面： a）心音信號采集與預處理。本文采用自行研制的帶有錄音機功能的聽診器實現對心音信號的采集。通過對心音信號噪聲分析，選用小波降噪作為心音信號的濾波方法。根據實驗分析，選擇Donoho閾值函數結合多級閾值的方法作為心音信號預處理方案。 b）心音信號時頻分析方法。文中采用5種時頻分析方法分別對心音信號進行了時頻譜特性分析，結果表明：不同的時頻分析方法與待分析心音信號的特性有密切關系，即需要在小的交叉項干擾與高的時頻分辨率之間作綜合的考慮。鑒于此，本文提出了一種自適應錐形核時頻（ATF）分析方法，通過實驗驗證該分布能較好地反映心音信號的時頻結構，其性能優于一般錐形核分布（CKD）以及Choi-Williams分布（CWD）、譜圖（SPEC）等固定核時頻分析方法，從而選擇自應錐形核時頻分析方法進行心音信號分析。 c）心音信號特征向量提取。根據對3M Littmann（） Stethoscopes[31]數據庫中標準心音信號的時頻分析結果，提取8組特征數據，通過Fihser降維處理方法提取出了實現分類可視化，且最易于分類的心音信號的2維特征向量，作為心音信號分類的特征向量。 d）心音信號分類方法。根據心音信號特征向量組成的散點圖，研究了支持向量機核函數、多分類支持向量機的選取方法，同時，基于分類的目的 性和可信性，本文提出以分類精度最大為判斷準則的核函數參數與松弛變量的優化方法，建立了心音信號分類的支持向量機模型，選取標準數據庫中NM、AF、AR、AS、MR每類心音信號的80組2維特征向量中每類60組數據作為支持向量機的學習樣本，對余下的每類20組數據進行測試，得到每類的分類精度（Ar）均為100％，同時對臨床上采集的與上述4種同類心臟雜音信號和正常心音信號中每類24個心動周期進行分類實測，分類精度分別為：NM、AF、MR的分類精度均為100％，而AR、AS均為95．83％，驗證了該方法的分類有效性。 e）心音信號分析與識別的軟件系統。本文以MATLAB語言的可視化功能實現了心音信號分析與識別的軟件運行平臺構建，可完成對心音信號的讀取、預處理，繪制時-頻、能量特性的三維圖及兩維等高線圖；同時，利用MATLAB與EXCEL的動態鏈接，實現對心音信號分析數據的存儲以及統計功能；最后，通過對心音信號2維特征向量的分析，實現心音信號的自動識別功能。 本文的研究特色主要體現在心音信號特征向量提取的方法以及多分類支持向量機模型的建立兩方面。 綜上所述，本文從理論與實踐兩方面對心音信號進行了深入的研究，主要是采用自適應錐形核時頻分析方法提取心音信號特征向量，根據心音信號特征向量組成的散點圖，建立心音信號分類的支持向量機模型，并對正常心音信號和4種心臟雜音信號進行了分類研究，取得了較為滿意的分類結果，但由于用于分類的心臟雜音信號種類及數據量尚不足，因此，今后的工作重點是采集更多種類的心臟雜音信號，進一步提高心音信號分類精度，使本文研究成果能最終應用于臨床心臟量化聽診。 關鍵詞：心音信號，小波降噪，非平穩信號，心臟雜音，信號處理，時頻分析，自適應，支持向量機
上傳時間： 2013-04-24
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本文分析了永磁同步直線電動機的運行機理與運行特性，并通過坐標變換，分別得出了電機在a—b—c，α—β、d—q坐標系下的數學模型。針對永磁同步直線電機模型的非線性與耦合特性，采用了次級磁場定向的矢量控制，并使id=0，不但解決了上述問題，還實現了最大推力電流比控制。為了獲得平穩的推力，采用了SVPWM控制，并對它算法實現進行了研究。 針對速度環采用傳統PID控制難以滿足高性能矢量控制系統，通過對傳統PID控制和模糊控制理論的研究，將兩者相結合，設計出能夠在線自整定的模糊PID控制器。將該控制器代替傳統的PID控制器應用于速度環，以提高系統的動靜態性能。 在以上分析的基礎上，設計了永磁同步直線電機矢量控制系統的軟、硬件。其中電流檢測采用了新穎的電流傳感器芯片IR2175，以解決溫漂問題；速度檢測采用了增量式光柵尺，設計了與DSP的接口電路，通過M/T法實現對電機的測速。最后在Matlab/Simlink下建立了電機及其矢量控制系統的仿真模型，并對分別采用傳統PID速度控制器和模糊PID速度控制器的系統進行仿真，結果表明采用模糊PID控制具有更好的動態響應性能，能有效的抑制暫態和穩態下的推力脈動，對于負載擾動具有較強的魯棒性。
上傳時間： 2013-07-04
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