在理論模型的基礎上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結論與硅、鍺p-n 結實驗數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。
標簽： p-n 隧道 擊穿 模型研究
上傳時間： 2013-10-31
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N+緩沖層設計對PT-IGBT器件特性的影響至關重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降，得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結果與理論分析一致。對于PT-IGBT結構，N+緩沖層濃度及厚度存在最優(yōu)值，只要合理的選取可以有效地降低通態(tài)壓降。
標簽： PT-IGBT 緩沖層
上傳時間： 2013-11-12
上傳用戶：thesk123
隨著我國通信、電力事業(yè)的發(fā)展，通信、電力網(wǎng)絡的規(guī)模越來越大，系統(tǒng)越來越復雜。與之相應的對交流供電的可靠性、靈活性、智能化、免維護越來越重要。在中國通信、電力網(wǎng)絡中，傳統(tǒng)的交流供電方案是以UPS或單機式逆變器提供純凈不間斷的交流電源。由于控制技術的進步、完善，（N+X）熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源已經(jīng)非常成熟、可靠；在歐美的通信、電力發(fā)達的國家，各大通信運營商、電力供應商、軍隊均大量應用了這種更合理的供電方案。與其它方案相比較，（N+X）熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源具有以下明顯的優(yōu)點。
標簽： 熱插拔 模塊 并聯(lián) 應用前景
上傳時間： 2014-03-24
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適用于51單片機的串口發(fā)n
標簽： 51單片機 串口 字節(jié)
上傳時間： 2014-12-25
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89c51一種用N+1條線實現(xiàn)矩陣鍵盤
標簽： 矩陣鍵盤
上傳時間： 2014-12-26
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求N皇后問題回溯算法
標簽： 回溯算法
上傳時間： 2014-07-13
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n皇后
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上傳時間： 2014-02-18
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N*N的陀螺方陣存入一個二維數(shù)
標簽： 陀螺 二維
上傳時間： 2013-12-28
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上傳時間： 2013-12-27
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Arith-N 是可以在命令行指定階數(shù)的 N 階上下文自適應算術編碼通用壓縮、解壓縮程序，由于是用作教程示例，為清晰起見，在某些地方并沒有刻意進行效率上的優(yōu)化。由王笨笨大俠提供
標簽： Arith-N 命令行 算術編碼 程序
上傳時間： 2015-01-08
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