njg1130 GPS LOW NOISE AMPLIFIER GaAs MMIC
上傳時間： 2013-12-13
上傳用戶：huangld
(can)表面再構對GaAs分子束外延薄膜生長的影響
上傳時間： 2016-09-04
上傳用戶：frank1234
本書主要闡述設計射頻與微波功率放大器所需的理論、方法、設計技巧，以及將分析計算與計算機輔助設計相結合的優化設計方法。這些方法提高了設計效率，縮短了設計周期。本書內容覆蓋非線性電路設計方法、非線性主動設備建模、阻抗匹配、功率合成器、阻抗變換器、定向耦合器、高效率的功率放大器設計、寬帶功率放大器及通信系統中的功率放大器設計。 本書適合從事射頻與微波動功率放大器設計的工程師、研究人員及高校相關專業的師生閱讀。 作者簡介 Andrei Grebennikov是M／A—COM TYCO電子部門首席理論設計工程師，他曾經任教于澳大利亞Linz大學、新加坡微電子學院、莫斯科通信和信息技術大學。他目前正在講授研究班課程，在該班上，本書作為國際微波年會論文集。 目錄 第1章 雙口網絡參數 1.1 傳統的網絡參數 1.2 散射參數 1.3 雙口網絡參數間轉換 1.4 雙口網絡的互相連接 1.5 實際的雙口電路 1.5.1 單元件網絡 1.5.2 π形和T形網絡 1.6 具有公共端口的三口網絡 1.7 傳輸線 參考文獻 第2章 非線性電路設計方法 2.1 頻域分析 2.1.1 三角恒等式法 2.1.2 分段線性近似法 2.1.3 貝塞爾函數法 2.2 時域分析 2.3 NewtOn.Raphscm算法 2.4 準線性法 2.5 諧波平衡法 參考文獻 第3章 非線性有源器件模型 3.1 功率MOSFET管 3.1.1 小信號等效電路 3.1.2 等效電路元件的確定 3.1.3 非線性I—V模型 3.1.4 非線性C.V模型 3.1.5 電荷守恒 3.1.6 柵一源電阻 3.1.7 溫度依賴性 3.2 GaAs MESFET和HEMT管 3.2.1 小信號等效電路 3.2.2 等效電路元件的確定 3.2.3 CIJrtice平方非線性模型 3.2.4 Curtice.Ettenberg立方非線性模型 3.2.5 Materka—Kacprzak非線性模型 3.2.6 Raytheon(Statz等)非線性模型 3.2.7 rrriQuint非線性模型 3.2.8 Chalmers(Angek)v)非線性模型 3.2.9 IAF(Bemth)非線性模型 3.2.10 模型選擇 3.3 BJT和HBT汀管 3.3.1 小信號等效電路 3.3.2 等效電路中元件的確定 3.3.3 本征z形電路與T形電路拓撲之間的等效互換 3.3.4 非線性雙極器件模型 參考文獻 第4章 阻抗匹配 4.1 主要原理 4.2 Smith圓圖 4.3 集中參數的匹配 4.3.1 雙極UHF功率放大器 4.3.2 M0SFET VHF高功率放大器 4.4 使用傳輸線匹配 4.4.1 窄帶功率放大器設計 4.4.2 寬帶高功率放大器設計 4.5 傳輸線類型 4.5.1 同軸線 4.5.2 帶狀線 4.5.3 微帶線 4.5.4 槽線 4.5.5 共面波導 參考文獻 第5章 功率合成器、阻抗變換器和定向耦合器 5.1 基本特性 5.2 三口網絡 5.3 四口網絡 5.4 同軸電纜變換器和合成器 5.5 wilkinson功率分配器 5.6 微波混合橋 5.7 耦合線定向耦合器 參考文獻 第6章 功率放大器設計基礎 6.1 主要特性 6.2 增益和穩定性 6.3 穩定電路技術 6.3.1 BJT潛在不穩定的頻域 6.3.2 MOSFET潛在不穩定的頻域 6.3.3 一些穩定電路的例子 6.4 線性度 6.5 基本的工作類別：A、AB、B和C類 6.6 直流偏置 6.7 推挽放大器 6.8 RF和微波功率放大器的實際外形 參考文獻 第7章 高效率功率放大器設計 7.1 B類過激勵 7.2 F類電路設計 7.3 逆F類 7.4 具有并聯電容的E類 7.5 具有并聯電路的E類 7.6 具有傳輸線的E類 7.7 寬帶E類電路設計 7.8 實際的高效率RF和微波功率放大器 參考文獻 第8章 寬帶功率放大器 8.1 Bode—Fan0準則 8.2 具有集中元件的匹配網絡 8.3 使用混合集中和分布元件的匹配網絡 8.4 具有傳輸線的匹配網絡 8.5 有耗匹配網絡 8.6 實際設計一瞥 參考文獻 第9章 通信系統中的功率放大器設計 9.1 Kahn包絡分離和恢復技術 9.2 包絡跟蹤 9.3 異相功率放大器 9.4 Doherty功率放大器方案 9.5 開關模式和雙途徑功率放大器 9.6 前饋線性化技術 9.7 預失真線性化技術 9.8 手持機應用的單片cMOS和HBT功率放大器 參考文獻
上傳時間： 2013-04-24
上傳用戶：W51631
隨著高頻微波在日常生活上的廣泛應用，例如行動電話、無線個人計算機、無線網絡等，高頻電路的技術也日新月異。良好的高頻電路設計的實現與改善，則建立在于精確的組件模型的基礎上。被動組件如電感、濾波器等的電路模型與電路制作的材料、制程有緊密的關系，而建立這些組件等效電路模型的方法稱為參數萃取。 早期的電感制作以金屬繞線為主要的材料與技術，而近年來，由于高頻與高速電路的應用日益廣泛，加上電路設計趨向輕薄短小，電感制作的材質與技術也不斷的進步。例如射頻機體電路（RFIC）運用硅材質，微波集成電路則廣泛的運用砷化鎵（GaAs）技術；此外，在低成本的無線通訊射頻應用上，如混合（Hybrid）集成電路則運用有機多芯片模塊（MCMs）結合傳統的玻璃基板制程，以及低溫共燒陶瓷（LTCC）技術，制作印刷式平面電感等，以提升組件的質量與效能，并減少體積與成本。 本章的重點包涵探討電感的原理與專有名詞，以及以常見的電感結構，并分析影響電感效能的主要因素與其電路模型，最后將以電感的模擬設計為例，說明電感參數的萃取。
上傳時間： 2013-11-20
上傳用戶：yuanxiaoqiang
敘述GaAs MESFET、GaAs HEMT和GaAs耿氏器件等新一代GaAs毫米波器件的發展現狀。
上傳時間： 2013-11-17
上傳用戶：dumplin9
隨著高頻微波在日常生活上的廣泛應用，例如行動電話、無線個人計算機、無線網絡等，高頻電路的技術也日新月異。良好的高頻電路設計的實現與改善，則建立在于精確的組件模型的基礎上。被動組件如電感、濾波器等的電路模型與電路制作的材料、制程有緊密的關系，而建立這些組件等效電路模型的方法稱為參數萃取。 早期的電感制作以金屬繞線為主要的材料與技術，而近年來，由于高頻與高速電路的應用日益廣泛，加上電路設計趨向輕薄短小，電感制作的材質與技術也不斷的進步。例如射頻機體電路（RFIC）運用硅材質，微波集成電路則廣泛的運用砷化鎵（GaAs）技術；此外，在低成本的無線通訊射頻應用上，如混合（Hybrid）集成電路則運用有機多芯片模塊（MCMs）結合傳統的玻璃基板制程，以及低溫共燒陶瓷（LTCC）技術，制作印刷式平面電感等，以提升組件的質量與效能，并減少體積與成本。 本章的重點包涵探討電感的原理與專有名詞，以及以常見的電感結構，并分析影響電感效能的主要因素與其電路模型，最后將以電感的模擬設計為例，說明電感參數的萃取。
上傳時間： 2014-06-16
上傳用戶：南國時代
AQUILA is a MATLAB toolbox for the one- or twodimensional simulation of ％the electronic properties of GaAs/AlGaAs semiconductor ％nanostructures.
標簽： twodimensional electronic simulation properties
上傳時間： 2014-01-19
上傳用戶：ghostparker
STM32H750VBT6核心板 ALTIUM設計硬件原理圖+PCB文件，包括完整的原理圖和PCB文件，可以做為你的設計參考，PCB 2層板設計，大小85MM*56MM, 帶SD，DCMI,QSPI,外擴flash，以太網，RS485，CAN總線, 主要器件信號列表如下：Library Component Count : 29Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------AMS1117 三端穩壓芯片BAT54C 表貼肖特基二極管C 無極性貼片電容CRYSTAL_32K CrystalCap CapacitorFPC0.5-24P 貼片FU 貼片保險絲HR911105Header 2 Header, 2-PinLLAN8720 ETH PHYLED Typical RED, GREEN, YELLOW, AMBER GaAs LEDMAX3485PNP PNP三極管Pin HDR2X20 R 貼片電阻Res ResisterSN65HVD230D STM32H750VBT6 Socket SocketTCAP 鉭電容TEST-POINT 測試點TSW 輕觸開關USB type C W25Qxx 外置FlashXC6206-3.3 SOT-23,XC6206P332MR,MAX8V,100mAXTAL-4P 4腳無源晶振XTAL_3225 Crystal OscillatormicroSD
上傳時間： 2021-11-24
上傳用戶：aben
STM32F407單片機開發板PDF原理圖+AD集成封裝庫+主要器件技術手冊資料:AD集成封裝庫列表：Library Component Count : 54Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------24C256 AMS1117ATK-HC05 ATK-HC05BAT BEEP BUTTONC CAPCH340G USB2UARTDDB9 DHT11 數字溫濕度傳感器HEAD2HEAD2*22 HR911105 HS0038Header 16 Header, 16-PinHeader 2 Header, 2-PinHeader 2X2 Header, 2-Pin, Dual rowHeader 3X2 Header, 3-Pin, Dual rowHeader 4 Header, 4-PinHeader 9X2 Header, 9-Pin, Dual rowIS62WV51216 JTAG KEY_M L LAN8720 ETH PHYLED2 Typical RED, GREEN, YELLOW, AMBER GaAs LEDLSENS LIGHT SENSL_SOP MAX3232 MAX3485 MIC MOS-P IRLML6401/SI2301MP2359 DC DC Step Down ICMPU6050 9軸運動處理傳感器NPN 8050/BCW846/BCW847NRF24L01 PHONE_M PNP 8550/BCW68POW R SMBJ TVSSN65HVD230D STM32F407ZET6 STM32F407ZET6TEST-POINT 測試點TFT_LCD TPAD ALIENTEK TPADUSB5USB_A_90 USB-A-90W25X16
上傳時間： 2021-12-15
上傳用戶：ttalli
PCB聯盟網-科普知識--《電子封裝材料與工藝》 學習筆記 54頁本人主要從事 IC 封裝化學材料（電子膠水）工作，為更好的理解 IC 封裝產業的動態和技術，自學了《電子封裝材料 與工藝》，貌似一本不錯的教材，在此總結出一些個人的學習筆記和大家分享。此筆記原發在本人的“電子中，有興趣的朋友可以前去查看一起探討第一章 集成電路芯片的發展與制造 1、原子結構：原子是由高度密集的質子和中子組成的原子核以及圍繞它在一定軌道（或能級）上旋 轉的荷負電的電子組成（Neils Bohr 于 1913 年提出）。當原子彼此靠近時，它們之間發生交互作用 的形成所謂的化學鍵，化學鍵可以分成離子鍵、共價鍵、分子鍵、氫鍵或金屬鍵； 2、真空管（電子管）： a.真空管問世于 1883 年 Edison（愛迪生）發明白熾燈時，1903 年英格蘭的 J.A.Fleming 發現了真 空管類似極管的作用。在愛迪生的真空管里，燈絲為陰極、金屬板為陽極； b.當電子管含有兩個電極（陽極和陰極）時，這種電路被稱為二極管，1906 年美國發明家 Lee DeForest 在陰極和陽極之間加入了一個柵極（一個精細的金屬絲網），此為最早的三極管，另外更 多的電極如以致柵極和簾柵極也可以密封在電子管中，以擴大電子管的功能； c.真空管盡管廣泛應用于工業已有半個多世紀，但是有很多缺點，包括體積大，產生的熱量大、容 易燒壞而需要頻繁地更換，固態器件的進展消除了真空管的缺點，真空管開始從許多電子產品的使 用中退出； 3、半導體理論： a.在 IC 芯片制造中使用的典型半導體材料有元素半導體硅、鍺、硒，半導體化合物有砷化鎵（GaAs）、 磷砷化鎵（GaAsP）、磷化銦（InP）； b.二極管（一個 p-n 結），當結上為正向偏壓時可以導通電流，當反向偏壓時則電流停止； c.結型雙極晶體管：把兩個或兩個以上的 p-n 結組合成一個器件，導致了之！
上傳時間： 2022-02-06
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