Hynix公司8M byte sdr sdram的verilog語言仿真實現(xiàn)。
標(biāo)簽： verilog Hynix sdram byte
上傳時間： 2014-12-04
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Hynix 2Gb 詳細的數(shù)據(jù)手冊 HY27UF(08/16)2G2A Series 2Gbit (256Mx8bit/128Mx16bit) NAND Flash
標(biāo)簽： bit Series Hynix 2Gbit
上傳時間： 2016-08-31
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Hynix nand flash datasheet
標(biāo)簽： datasheet Hynix flash nand
上傳時間： 2017-03-21
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我們代理的JeJu Semicon是韓國濟州半導(dǎo)體的nand flash是使用Hynix 32nm晶元，封測在Hynix 封測廠WINPAC進行，廠商號是Hynix的廠商號，就絲印改成JSC型號絲印。因此與Hynix nand flash只是型號不一樣,硬件軟件上都是一樣的,直接更換貼片即。目前在網(wǎng)絡(luò)攝像機，可視樓宇產(chǎn)品，考勤機，人臉識別等產(chǎn)品大量出貨。 JSC品牌1G：JS27HU1G08SCN-25 對應(yīng)的Hynix 1G 型號 H27U1G8F2CTR-BCJSC品牌2G：JS27HU2G08SCN-25 對應(yīng)的Hynix 2G 型號 H27U2G8F2DTR-BCJSC品牌4G：JS27HU4G08SDN-25 對應(yīng)的Hynix 4G 型號 H27U4G8F2ETR-BC
標(biāo)簽： Hynix JSC NAND FLASH 規(guī)格書
上傳時間： 2022-05-25
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3D加速引擎是3D圖形加速系統(tǒng)的重要組成部分，以往在軟件平臺上對3D引擎的研究，實現(xiàn)了復(fù)雜的渲染模型和渲染算法，但這些復(fù)雜算法與模型在FPGA上綜合實現(xiàn)具有一定難度，針對FPGA的3D加速引擎設(shè)計及其平臺實現(xiàn)需要進一步研究。 本文在研究3D加速引擎結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，實現(xiàn)了基于FPGA的圖像處理平臺，使用模塊化的思想，利用IP核技術(shù)分析設(shè)計實現(xiàn)了3D加速管道及其他模塊，并進行了仿真、驗證、實現(xiàn)。 圖像處理平臺選用Virtex-Ⅳ FPGA為核心器件，并搭載了Hynix HY5DU573222F-25、AT91FR40162S、XCF32P VO48及其他組件。 為滿足3D加速引擎的實現(xiàn)與驗證，設(shè)計搭建的圖像處理平臺還實現(xiàn)了DDR-SDRAM控制器模塊、VGA輸出模塊、總線控制器模塊、命令解釋模塊、指令寄存器模塊及控制寄存器模塊。 3D加速引擎設(shè)計包含3D加速渲染管道、視角變換管道、基元讀取、頂點FIFO、基元FIFO、寫內(nèi)存等模塊。針對FPGA的特性，簡化、設(shè)計、實現(xiàn)了光照管道、紋理管道、著色管道和Alpha融合管道。 最后使用Modelsim進行了仿真測試和圖像處理平臺上的驗證，其結(jié)果表明3D加速引擎設(shè)計的大部分功能得到實現(xiàn)，結(jié)果令人滿意。
上傳時間： 2013-07-30
上傳用戶：lepoke
文章針對LDO穩(wěn)定性的問題，提出了一種內(nèi)部動態(tài)頻率補償電路，使LDO線性穩(wěn)壓器的穩(wěn)定性不 受負載電容的等效串聯(lián)電阻的影響，其單位增益帶寬也不隨負載電流變化而改變，大大提高了瞬態(tài)響應(yīng)特性； 采用Hynix 0．5 1TI CMOS工藝模型對電路進行仿真；此外，該電路在實現(xiàn)動態(tài)頻率補償?shù)幕A(chǔ)上又加人了 系統(tǒng)的過流保護功能，當(dāng)負載電流大于限制電流時，LDO不能正常工作；當(dāng)負載電流小于限制電流時，又自動 恢復(fù)到正常工作狀態(tài)
標(biāo)簽： LDO 穩(wěn)壓器 動態(tài) 頻率補償
上傳時間： 2013-10-27
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PK51是為8051系列單片機所設(shè)計的開發(fā)工具，支持所有8051系列衍生產(chǎn)品，，支持帶擴展存儲器和擴展指令集（例如Dallas390/5240/400,Philips 51MX,Analog Devices MicroConverters）的新設(shè)備,以及支持很多公司的一流的設(shè)備和IP內(nèi)核,比如Analog Devices, Atmel, Cypress Semiconductor, Dallas Semiconductor, Goal, Hynix, Infineon, Intel, NXP(founded by Philips), OKI, Silicon Labs,SMSC, STMicroeleectronics,Synopsis, TDK, Temic, Texas Instruments,Winbond等。通過PK51專業(yè)級開發(fā)工具，可以輕松地了解8051的On-chip peripherals與及其它關(guān)鍵特性。
上傳時間： 2013-10-09
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Keil C51 V8 專業(yè)開發(fā)工具（PK51） PK51是為8051系列單片機所設(shè)計的開發(fā)工具，支持所有8051系列衍生產(chǎn)品，，支持帶擴展存儲器和擴展指令集（例如Dallas390/5240/400,Philips 51MX,Analog Devices MicroConverters）的新設(shè)備,以及支持很多公司的一流的設(shè)備和IP內(nèi)核,比如Analog Devices, Atmel, Cypress Semiconductor, Dallas Semiconductor, Goal, Hynix, Infineon, Intel, NXP(founded by Philips), OKI, Silicon Labs,SMSC, STMicroeleectronics,Synopsis, TDK, Temic, Texas Instruments,Winbond等。 通過PK51專業(yè)級開發(fā)工具，可以輕松地了解8051的On-chip peripherals與及其它關(guān)鍵特性。 The PK51專業(yè)級開發(fā)工具包括… l μVision Ø 集成開發(fā)環(huán)境 Ø 調(diào)試器 Ø 軟件模擬器 l Keil 8051擴展編譯工具 Ø AX51宏匯編程序 Ø ANSI C編譯工具 Ø LX51 連接器 Ø OHX51 Object-HEX 轉(zhuǎn)換器 l Keil 8051編譯工具 Ø A51宏匯編程序 Ø C51 ANSI C編譯工具 Ø BL51 代碼庫連接器 Ø OHX51 Object-HEX 轉(zhuǎn)換器 Ø OC51 集合目標(biāo)轉(zhuǎn)換器 l 目標(biāo)調(diào)試器 Ø FlashMON51 目標(biāo)監(jiān)控器 Ø MON51目標(biāo)監(jiān)控器 Ø MON390 (Dallas 390)目標(biāo)監(jiān)控器 Ø MONADI (Analog Devices 812)目標(biāo)監(jiān)控器 Ø ISD51 在系統(tǒng)調(diào)試 l RTX51微實時內(nèi)核 你應(yīng)該考慮PK51開發(fā)工具包,如果你… l 需要用8051系列單片機來開發(fā) l 需要開發(fā) Dallas 390 或者 Philips 51MX代碼 l 需要用C編寫代碼 l 需要一個軟件模擬器或是沒有硬件仿真器 l 需要在單芯片上基于小實時內(nèi)核創(chuàng)建復(fù)雜的應(yīng)用
上傳時間： 2013-10-30
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一． eMMC的概述eMMC (Embedded MultiMedia Card) 為MMC協(xié)會所訂立的內(nèi)嵌式存儲器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格，主要是針對手機產(chǎn)品為主。eMMC的一個明顯優(yōu)勢是在封裝中集成了一個控制器， 它提供標(biāo)準(zhǔn)接口并管理閃存， 使得手機廠商就能專注于產(chǎn)品開發(fā)的其它部分，并縮短向市場推出產(chǎn)品的時間。這些特點對于希望通過縮小光刻尺寸和降低成本的NAND供應(yīng)商來說，具有同樣的重要性。二． eMMC的優(yōu)點eMMC目前是最當(dāng)紅的移動設(shè)備本地存儲解決方案，目的在于簡化手機存儲器的設(shè)計，由于NAND Flash 芯片的不同廠牌包括三星、KingMax、東芝(Toshiba) 或海力士(Hynix) 、美光(Micron) 等，入時，都需要根據(jù)每家公司的產(chǎn)品和技術(shù)特性來重新設(shè)計，過去并沒有哪個技術(shù)能夠通用所有廠牌的NAND Flash 芯片。而每次NAND Flash 制程技術(shù)改朝換代，包括70 納米演進至50 納米，再演進至40 納米或30 納米制程技術(shù)，手機客戶也都要重新設(shè)計， 但半導(dǎo)體產(chǎn)品每1 年制程技術(shù)都會推陳出新， 存儲器問題也拖累手機新機種推出的速度，因此像eMMC這種把所有存儲器和管理NAND Flash 的控制芯片都包在1 顆MCP上的概念，逐漸風(fēng)行起來。eMMC的設(shè)計概念，就是為了簡化手機內(nèi)存儲器的使用，將NAND Flash 芯片和控制芯片設(shè)計成1 顆MCP芯片，手機客戶只需要采購eMMC芯片，放進新手機中，不需處理其它繁復(fù)的NAND Flash 兼容性和管理問題，最大優(yōu)點是縮短新產(chǎn)品的上市周期和研發(fā)成本，加速產(chǎn)品的推陳出新速度。閃存Flash 的制程和技術(shù)變化很快，特別是TLC 技術(shù)和制程下降到20nm階段后，對Flash 的管理是個巨大挑戰(zhàn)，使用eMMC產(chǎn)品，主芯片廠商和客戶就無需關(guān)注Flash 內(nèi)部的制成和產(chǎn)品變化，只要通過eMMC的標(biāo)準(zhǔn)接口來管理閃存就可以了。這樣可以大大的降低產(chǎn)品開發(fā)的難度和加快產(chǎn)品上市時間。eMMC可以很好的解決對MLC 和TLC 的管理， ECC 除錯機制(Error Correcting Code) 、區(qū)塊管理(BlockManagement)、平均抹寫儲存區(qū)塊技術(shù) (Wear Leveling) 、區(qū)塊管理（ Command Managemen）t，低功耗管理等。eMMC核心優(yōu)點在于生產(chǎn)廠商可節(jié)省許多管理NAND Flash 芯片的時間，不必關(guān)心NAND Flash 芯片的制程技術(shù)演變和產(chǎn)品更新?lián)Q代，也不必考慮到底是采用哪家的NAND Flash 閃存芯片，如此， eMMC可以加速產(chǎn)品上市的時間，保證產(chǎn)品的穩(wěn)定性和一致性。
標(biāo)簽： emmc
上傳時間： 2022-06-20
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CCD（Charge Coupled Device）圖像傳感器（以下簡稱CCD）和CMOS圖像傳感器（CMOS Image Sensor以下簡稱CIS）的主要區(qū)別是由感光單元及讀出電路結(jié)構(gòu)不同而導(dǎo)致制造工藝的不同。CCD感光單元實現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換后，以電荷的方式存貯并以電荷轉(zhuǎn)移的方式順序輸出，需要專用的工藝制程實現(xiàn)；CIS圖像感光單元為光電二極管，可在通用CMOS集成電路工藝制程中實現(xiàn)，除此之外還可將圖像處理電路集成，實現(xiàn)更高的集成度和更低的功耗。目前CCD幾乎被日系廠商壟斷，只有少數(shù)幾個廠商例如索尼、夏普、松下、富士、東芝等掌握這種技術(shù)。CIS是90年代興起的新技術(shù)，掌握該技術(shù)的公司較多，美國有OmniVision，Aptina；歐洲有ST；韓國的三星，SiliconFile，Hynix等；日本的SONY，東芝等；中國臺灣的晶像；大陸地區(qū)的比亞迪，格科微等公司。由于CCD技術(shù)出現(xiàn)早，相對成熟，前期占據(jù)了絕大部分的高端市場。早期CIS與CCD相比，僅功耗與成本優(yōu)勢明顯，因此多用于手機，PCCamera等便攜產(chǎn)品。隨著CIS技術(shù)的不斷進步，性能不斷提升；而CCD技術(shù)提升空間有限，進步緩慢。目前CIS不僅占據(jù)幾乎全部的便攜設(shè)備市場，部分高端DSC（DigitalStil Camera）市場，更是向CCD傳統(tǒng)優(yōu)勢市場——監(jiān)控市場發(fā)起沖擊。下面就監(jiān)控專用CIS與傳統(tǒng)CCD進行綜合對比。
上傳時間： 2022-06-23
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