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N+緩沖層設(shè)計對PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降，得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結(jié)果與理論分析一致。對于PT-IGBT結(jié)構(gòu)，N+緩沖層濃度及厚度存在最優(yōu)值，只要合理的選取可以有效地降低通態(tài)壓降。
標(biāo)簽： PT-IGBT 緩沖層
上傳時間： 2013-11-12
上傳用戶：thesk123
IGBT開關(guān)過程仿真分析中的PSPICE應(yīng)用研究
標(biāo)簽： PSPICE IGBT 開關(guān)過程 仿真分析
上傳時間： 2013-12-23
上傳用戶：shen954166632
IGBT的變頻電源設(shè)計
標(biāo)簽： IGBT 變頻電源
上傳時間： 2013-10-15
上傳用戶：bnfm
IGBT的實用的驅(qū)動電路
標(biāo)簽： IGBT 驅(qū)動電路
上傳時間： 2013-10-16
上傳用戶：zyt
英飛凌IGBT驅(qū)動保護培訓(xùn)資料，非常經(jīng)典的培圳資料，免費供大家分享。
標(biāo)簽： IGBT 英飛凌 培訓(xùn)資料 驅(qū)動保護
上傳時間： 2014-12-24
上傳用戶：zhaoke2005
IGBT驅(qū)動器驅(qū)動能力計算。
標(biāo)簽： IGBT 驅(qū)動器 驅(qū)動 計算
上傳時間： 2014-12-03
上傳用戶：wweqas
IGBT驅(qū)動電路模塊化設(shè)計。
標(biāo)簽： IGBT 驅(qū)動電路 模塊化設(shè)計
上傳時間： 2013-10-21
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IGBT門極驅(qū)動設(shè)計規(guī)范，很詳細的免費規(guī)范。
標(biāo)簽： IGBT 門極驅(qū)動 設(shè)計規(guī)范
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igbt
標(biāo)簽： M57962L IGBT 驅(qū)動電路
上傳時間： 2013-10-08
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基于目前電動汽車大功率充電裝置的需求，提出了一種基于IGBT器件的直流充電機充電裝置設(shè)計方案，并完成系統(tǒng)的軟硬件設(shè)計。該系統(tǒng)的硬件部分架構(gòu)設(shè)計主要是主回路部分以及控制系統(tǒng)部分，軟件部分采用C語言進行編程，能夠完成對其輸出電壓電流等信號的檢測。實際應(yīng)用表明，該系統(tǒng)達到了設(shè)計要求。
標(biāo)簽： IGBT 直流充電 裝置
上傳時間： 2013-10-10
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