?? LDO穩(wěn)壓器技術(shù)資料

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?? LDO穩(wěn)壓器熱門資料

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摘要：對(duì)LDO線性穩(wěn)壓器關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行了分析，重點(diǎn)分析了LDO穩(wěn)壓器的穩(wěn)定性問(wèn)題，在此基礎(chǔ)上提出了一種新型的動(dòng)態(tài)頻率補(bǔ)償電路，利用MOS管的開(kāi)關(guān)電阻、寄生電容等構(gòu)成的電阻電容網(wǎng)絡(luò)，通過(guò)采樣負(fù)載電流而改變MOS開(kāi)關(guān)管的工作點(diǎn)或工作狀態(tài)，即改變開(kāi)關(guān)電阻、寄生電容的值，從而實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)的頻率補(bǔ)償。與傳統(tǒng)方法相比...

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文章針對(duì)LDO穩(wěn)定性的問(wèn)題，提出了一種內(nèi)部動(dòng)態(tài)頻率補(bǔ)償電路，使LDO線性穩(wěn)壓器的穩(wěn)定性不 受負(fù)載電容的等效串聯(lián)電阻的影響，其單位增益帶寬也不隨負(fù)載電流變化而改變，大大提高了瞬態(tài)響應(yīng)特性； 采用Hynix 0．5 1TI CMOS工藝模型對(duì)電路進(jìn)行仿真；此外，該電路在實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)頻率補(bǔ)償?shù)幕A(chǔ)上又加人了 ...

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