基于 STM32 微處理器設計并實現了可實時調整刺激強度的功能性電刺激儀． 通過上位機設定刺激參數值; 通過數字電位器或 DAC 轉換器控制恒壓源的電壓實現設定的恒流輸出; 通過改變 H 橋開關管的導通時間控制脈沖的頻率和脈寬實現設定的頻率和脈寬，分別進行電阻和人體實驗測試． 結果表明，功能性電刺激器的電流幅度、頻率和脈沖寬度分別在 0～ 50 m A，0～ 100 Hz 和 0～ 1 000 μs 范圍內連續可調． 該電刺激儀可以實時調整刺激參數，為閉環 FES 的應用提供基礎．
標簽： 電刺激儀
上傳時間： 2022-04-29
上傳用戶：jason_vip1
基于51單片機的智能小車.rar - 63.09MB基于51單片機的水溫控制系統.rar - 52.41MB基于51單片機的數控恒壓源.rar - 163.67MB基于51單片機的數控恒流源.rar - 66.78MB基于51單片機的寬帶放大器.rar - 176.42MB基于51單片機的低頻功率放大.rar - 1.17MB基于51單片機STC89C52RC的AD9850DDS信號源設計與實現.doc - 6.59MB電賽資料歷年賽題優秀論文......
標簽： 電賽
上傳時間： 2022-05-26
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安裝塌所1、通凰良好少溫策及灰座之塌所。2、雜腐蝕性、引火性氛髓、油急、切削液、切前粉、戴粉等聚境。3、雜振勤的場所。4、雜水氟及踢光直射的場所。1、本距勤器探用自然封流冷御方式正隨安裝方向局垂直站立方式2、在配電箱中需考感溫升情況未連有效散熟及冷御效果需保留足豹的空固以取得充分的空氟。3、如想要使控制箱內溫度連到一致需增加凰扇等散熱毅倩。4、組裝睛廊注意避免贊孔屑及其他翼物掉落距勤器內。5、安裝睛請硫資以M5螺練固定。6、附近有振勤源時請使用振勤吸收器防振橡腥來作腐噩勤器的防振支撐。7、勤器附近有大型磁性陰嗣、熔接樓等雄部干援源睛，容易使距勤器受外界干攝造成誤勤作，此時需加裝雄部濾波器。但雍訊濾波器舍增加波漏電流，因此需在愿勤器的輸入端裝上經緣羹愿器（Transformer）。*配象材料依照使用電象規格]使用。*配象的喪度：指令輸入象3公尺以內。編碼器輸入綜20公尺以內。配象時請以最短距薄速接。*硫賞依照操單接象圈配象，未使用到的信貌請勿接出。*局連輸出端（端子U、V、W）要正硫的速接。否則伺服焉速勤作舍不正常。*隔雄綜必須速接在FG端子上。*接地請以使用第3砸接地（接地電阻值腐100Ω以下），而且必須罩黏接地。若希望易速輿械之周腐紀緣狀懲畸，請將連接地。*伺服距勤器的輸出端不要加裝電容器，或遇（突波）吸收器及雅訊濾波器。*裝在控制輸出信號的DC繼電器，其遏（突波）吸收用的二梗溜的方向要速接正硫，否則食造成故障，因而雜法輸出信猶，也可能影馨緊急停止的保渡迎路不座生作用。*腐了防止雍部造成的錯溪勤作，請探下列的威置：請在電源上加入經緣雯愿器及雅亂濾波器等裝置。請將勤力緣（雷源象、焉連緣等的蘊雷回路）奧信蔬緣相距30公分以上來配練，不要放置在同一配緣管內。
標簽： tsda
上傳時間： 2022-05-28
上傳用戶：zhanglei193
隨著經濟發展，步進電機在工業生產與社會生活中的應用越來越廣泛，對精度的要求也在不斷提高。日益擴展的實際應用需求，不僅對步進電機結構提出了更高的要求，而且對步進電機的驅動控制也提出了更高的要求。雖然步進電機存在很多的優點，但是實際應用起來也有許多的不方便，很大程度上是受到步進電機驅動器的限制。步進電機的應用必須選用與之匹配的步進電機驅動器，以滿足電機對不同電流大小的要求。而且現在的很多控制器不夠智能化，實際應用中，除了要選用專門的驅動器之外，還要配備一個控制器，來發送一些脈沖，或者調節一些步進電機的運行參數。大多數驅動器都無法滿足高精度高效控制的需求，這些驅動器沒能更好的開發出步進電機的細分等方面的潛能。由上述可知，目前常用驅動器缺乏普適性，電流大小無法滿足不同類型電機的要求，細分分辨率不高，斬波頻率不可調，保護功能不足，智能化程度不高。 針對步進電機存在的上述問題，本課題設計了性能較為優越的步進電機驅動系統。該驅動器采用了恒流驅動與細分驅動的原理，結合單片機與電力電子應用技術，來提高驅動器的性能。該步進電機驅動系統，硬件上包括STM32與LV8726專用芯片組成的控制電路、功率放大電路、光耦隔離電路以及USB轉串口的通信電路。軟件上使用VB6.0編寫了驅動器的控制應用程序，通過上位機實時控制步進電機的運行狀態，以提高智能化的程度。 對整個系統的測試表明，電機的實際輸出波形與理論輸出波形接近。優化的加速曲線的設計，使得電機在高速啟動的時候，不會出現失步或者堵轉的情況。通過上位機的界面，可以實時控制步進電機在各種參數下運行，并實時地切換運行狀態，運行參數主要包括步進電機的速度，加速度，步距角細分，繞組電流，正反轉，啟動和停止，電流衰減率，上下橋臂切換的死區時間等參數。驅動器除具備以上功能之外，還具備多種保護功能，如欠壓保護，過流保護，過溫報警等功能。該驅動器能夠驅動多種不同類型的步進電機，具有更高的輸出電流，電流無極可調，具有更高的細分分辨率。能夠滿足多場合下，高精度高效的應用需求。
上傳時間： 2022-05-29
上傳用戶：qdxqdxqdxqdx
感應加熱技術是20世紀初才開始應用于工業部門的，它通過電磁感應原理和利用渦流對工件進行加熱，是制造業和材料加工中的一種重要手段。目前感應加熱電源在金屬熔煉、鑄造、鍛造、透熱、淬火、彎管、燒結、表面熱處理、釬焊以及晶體生長等行業得到了廣泛的應用。隨著微機技術和IGBT器件的發展，新型中頻感應加熱電源成為研究的重點。 本文以中頻串聯諧振感應加熱電源為研究對象，采用單片機C8051f300和脈沖輸出芯片SG3525相結合的方式，增加了IGBT驅動電路的設計和限頻保護電路的設計。實現了感應加熱電源的數字化控制，為感應加熱電源系統的數字化、信息化、智能化提供了優質、可靠的技術基礎。 論文先介紹了感應加熱電源的基本原理以及感應加熱技術的發展動態。針對30kW/10kHz-30kHz中頻感應加熱電源的主電路和控制電路進行了設計，然后通過對感應加熱電源中的主電路拓撲結構進行分析，比較串聯諧振逆變電路與并聯諧振逆變電路的優缺點，選擇了更適合中頻感應加熱電源的串聯諧振逆變電路。在確定了設計方案后，詳細分析了電源的主電路結構并進行了系統各組成部分器件的參數計算和選取。 論文在分析和對比了感應加熱電源的各種調功方式后，選擇了PWM調功對感應加熱電源進行恒流調節。論文是以單片機80C51f330為控制核心的硬件控制平臺，包括頻率、占空比可調并通過數碼管顯示、保護電路、驅動電路、顯示電路等外圍電路。在此基礎上編寫了相應的程序，完成了樣機，并進行了整機調試，可以達到順利加熱。 通過實測波形的分析，實驗限頻電路可以很好的使電源工作在感性狀態，驅動電路的驅動能力很好，增加了系統的安全性。系統硬件電路可靠，程序運行良好。
上傳時間： 2022-05-30
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儀器儀表類信號源類無線通訊雙向DC-DC變換器（A題）數據采集與處理類控制類風力擺放大器類電子設計競賽資料集合電子設計大賽大禮包電源類數控穩壓電源設計電賽開關電源數控直流恒流源原理圖.pdf - 102.60KB
標簽： 電子
上傳時間： 2022-06-05
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概述 是一款三相直流無刷無霍爾電機驅動控制 ，其外圍電路簡單，低成本，應用方 便；驅動方式具有效率高，噪音小等特點，芯片集成過載保護、堵轉保護、低壓保護等多種保 護機制，產品的安全可靠性高。特性工作電壓范圍： 3.8V～5.5V 工作溫度范圍：-40 ～85 度 適用于無霍爾電機 正反轉轉向控制 啟動力矩調節 啟動換向周期調節 軟換向轉向控制 轉速信號輸出 過載保護 恒流驅動 堵轉保護 故障保護 緩啟動功能 轉速調節（ 0.2VDD～VDD 線性調節） 無鉛封裝 SOP16
上傳時間： 2022-06-15
上傳用戶：ttalli
射頻功率放大器在雷達、無線通信、導航、衛星通訊、電子對抗設備等系統中有著廣泛的應用，是現代無線通信的關鍵設備.與傳統的行被放大器相比，射頻固態功率放大器具有體積小、動態范圍大、功耗低、壽命長等一系列優點；由于射頻功率放大器在軍事和個人通信系統中的地位非常重要，使得功率放大器的研制變得十分重要，因此對該課題的研究具有非常重要的意義.設計射頻集成功率放大器的常見工藝有GaAs，SiGe BiCMOS和CMOS等.GaAs工藝具有較好的射頻特性和輸出功率能力，但其價格昂貴，工藝一致性差；CMOS工藝的功率輸出能力不大，很難應用于高輸出功率的場合；而SiGe BiCMOS工藝的性能介于GaAS和CMOS工藝之間，價格相對低廉并和CMOS電路兼容，非常適合于中功率應用場合.本文介紹了應用與無線局域網和Ka波段的射頻集成功率放大器的設計和實現，分別使用了CMOS，SiGe BiCMOS，GaAs三種工藝.（1）由SMIC 0.18um CMOS工藝實現的放大器工作頻率為2.4GHz，采用了兩級共源共柵電路結構，在5V電源電壓下仿真結果為小信號增益22dB左右，1dB壓縮點處輸出功率為20dBm左右且功率附加教率PAE大于15%，最大飽和輸出功率大于24dBm且PAE大于20%，芯片面積為1.4mm*0.96mm；（2）由IBM SPAE 0.35um SiGe BiCMOS工藝實現的功率放大器工作頻率為5.25GHz，分為前置推動級和末級功率級，電源電壓為3.3V，仿真結果為小信號增益28dB左右，1dB壓縮點處輸出功率大于26dBm，功率附加效率大于15%，最大飽和輸出功率為29.5dBm，芯片面積為1.56mm"1.2mm；（3）由WIN 0.15um GaAs工藝實現的功率放大器工作頻率為27-32GHz，使用了三級功率放大器結構，在電源電壓為5V下仿真結果為1dB壓縮點的輸出功率Pras 26dBm，增益在20dB以上，最大飽和輸出功率為29.9dBm且PAE大于25%，芯片面積為2.76mm"1.15mm.論文按照電路設計、仿真、版圖設計、流片和芯片測試的順序詳細介紹了功率放大器芯片的設計過程，對三種工藝實現的功率放大器進行了對比，并通過各自的仿真結果對出現的問題進行了詳盡的分析。
上傳時間： 2022-06-20
上傳用戶：shjgzh
1引言有要發光二極管（OLED）具有低驅動電壓、寬溫工作、主動發光、響應速度快和視角寬等優點]，其作為全彩顯示器件，與LCD相比，具有更簡單的工藝和更低的成本。近年，單色和局域色的OLED顯示屏已有較多報道~1，并推出了全彩OLED顯示屏~9]。本文研制了尺寸為1.9、分辨率為128（×3）×160的全彩OLED屏。在目前報道的同等或以下尺寸的采用無源矩陣（PM）驅動的全彩OLED屏中，該屏的分辨率處于較高水平。2全彩OLED屏2.1全彩技術的實現圖1是5種實現全彩OLED顯示屏技術的示意圖。本文采用（a）所示的平面結構式，每個全彩像素包括紅、綠和藍3個子像素，利用空間混色實現彩色。這種技術的難點是在制作全彩OLED時，需要將紅、綠和藍OLED的發光層（EML）材料分隔開01。屏的最高分辨率不僅受限于機械掩模制作的公差，還受限于在器件制作工藝過程中機械掩模與ITO基板玻璃的對準誤差。2.2P-OLED屏的驅動技術OLFD屬于電流型器件，其發光亮度與驅動電流成正比，故OLED均采用恒流源驅動。由于OLED自身較高的寄生電容（20~30pF/pixel）和ITO電極引線的電阻（幾～幾109/口形成的電壓降，對恒流源的性能提出了較高的要求，例如可提供高達~30V的電壓。為了實現多灰度顯示，電流必須可程控。lare公司為了精確控制每個OLED子像素的發光亮度，提出了預充電方案]。根據有無開關和驅動薄膜晶體管的存在，可將矩陣式OLED的驅動可分為P10l和有源矩陣AM112種。PM驅動的顯示器件由于制作工藝比AM要簡單得多，且成本低廉，故在小尺寸的顯示器件上得到了廣泛應用。PM驅動電路如圖2所示。
標簽： oled
上傳時間： 2022-06-24
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文件是基于Multisim的MOS管H橋驅動仿真，電路原理圖由LM317恒流源電路、兩個IR2011PBF半橋驅動電路、MOS管組成的全橋電路，可用于設計恒流電路和H橋驅動電路。
上傳時間： 2022-07-19
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