Designing Boards with Atmel AT89C51, AT89C52, AT89C1051, and AT89C2051 for Writing Flash at In-Circuit Test:Recent improvements in chips andtesters have made it possible for thetester to begin taking over the role traditionallyassigned to the PROM programmer.Instead of having a PROM programmerwrite nonvolatile memoriesbefore assembling the board, the in-circuittester writes them during in-circuittesting operations. Many Teradyne Z18-series testers are now in use loadingcode into nonvolatile memories, microcontrollersand in-circuit programmable logic devices. The purpose of this note is to explain how the Z18 approaches the writing task for Atmel AT89C series IC’s,so that designers of boards using these chips can get the best results.
標(biāo)簽： Designing Boards Atmel with
上傳時(shí)間： 2013-11-20
上傳用戶：lijianyu172
Internal Interrupts are used to respond to asynchronous requests from a certain part of themicrocontroller that needs to be serviced. Each peripheral in the TriCore as well as theBus Control Unit, the Debug Unit, the Peripheral Control Processor (PCP) and the CPUitself can generate an Interrupt Request.So what is an external Interrupt?An external Interrupt is something alike as the internal Interrupt. The difference is that anexternal Interrupt request is caused by an external event. Normally this would be a pulseon Port0 or Port1, but it can be even a signal from the input buffer of the SSC, indicatingthat a service is requested.The User’s Manual does not explain this aspect in detail so this ApNote will explain themost common form of an external Interrupt request. This ApNote will show that there is aneasy way to react on a pulse on Port0 or Port1 and to create with this impulse an InterruptService Request. Later in the second part of the document, you can find hints on how todebounce impulses to enable the use of a simple switch as the input device.Note: You will find additional information on how to setup the Interrupt System in theApNote “First steps through the TriCore Interrupt System” (AP3222xx)1. It would gobeyond the scope of this document to explain this here, but you will find selfexplanatoryexamples later on.
標(biāo)簽： Exter easy work with
上傳時(shí)間： 2013-10-27
上傳用戶：zhangyigenius
Abstract: Designers who must interface 1-Wire temperature sensors with Xilinx field-programmable gate arrays(FPGAs) can use this reference design to drive a DS28EA00 1-Wire slave device. The downloadable softwarementioned in this document can also be used as a starting point to connect other 1-Wire slave devices. The systemimplements a 1-Wire master connected to a UART and outputs temperature to a PC from the DS28EA00 temperaturesensor. In addition, high/low alarm outputs are displayed from the DS28EA00 PIO pins using LEDs.
標(biāo)簽： PicoBlaze Create Master Xilinx
上傳時(shí)間： 2013-11-05
上傳用戶：a6697238
介紹了多入多出-正交頻分復(fù)用（MIMO-OFDM）系統(tǒng)，并分析了其發(fā)射機(jī)的實(shí)現(xiàn)原理。充分利用Altera公司Stratix系列現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA）芯片和IP（知識產(chǎn)權(quán)）核，提出了一種切實(shí)可行的MIMO-OFDM基帶系統(tǒng)發(fā)射機(jī)的FPGA實(shí)現(xiàn)方法。重點(diǎn)論述了適合于FPGA實(shí)現(xiàn)的對角空時(shí)分層編碼（D-BLAST）的方法和實(shí)現(xiàn)原理以及各個(gè)主要模塊的工作原理。并給出了其在ModelSim環(huán)境下的仿真結(jié)果。結(jié)果表明，本設(shè)計(jì)具有設(shè)計(jì)簡單、快速、高效和實(shí)時(shí)性好等特點(diǎn)。
標(biāo)簽： MIMO-OFDM FPGA 基帶系統(tǒng) 發(fā)射機(jī)
上傳時(shí)間： 2013-10-13
上傳用戶：Aeray
為了克服已有的雙向MIMO中繼系統(tǒng)模型中預(yù)編碼技術(shù)計(jì)算量大的缺點(diǎn)，提出了一種基于雙向MIMO系統(tǒng)的三時(shí)段預(yù)編碼策略，給出了該策略的模型和算法。該模型的中繼節(jié)點(diǎn)預(yù)均衡各信道狀態(tài)信息影響（CSI）后將合并信號分時(shí)段發(fā)送給不同通信節(jié)點(diǎn)，簡化了傳統(tǒng)中繼轉(zhuǎn)發(fā)矩陣對多信道信息的聯(lián)合設(shè)計(jì)。理論計(jì)算和仿真結(jié)果表明，該策略在性能和復(fù)雜度之間得到了良好的折衷
標(biāo)簽： MIMO 中繼系統(tǒng) 預(yù)編碼 策略
上傳時(shí)間： 2014-12-28
上傳用戶：攏共湖塘
在兩跳MIMO中繼通信系統(tǒng)的預(yù)編碼相關(guān)研究中，提出了一種級聯(lián)預(yù)編碼算法，該算法把兩跳系統(tǒng)的預(yù)編碼分解成兩個(gè)獨(dú)立的部分，從而把預(yù)編碼問題轉(zhuǎn)化成為求源節(jié)點(diǎn)到中繼節(jié)點(diǎn)的預(yù)編碼過程以及中繼節(jié)點(diǎn)到目的節(jié)點(diǎn)的過程。本文使用MMSE準(zhǔn)則，在簡化迭代算法復(fù)雜度的同時(shí)，與一種只在中繼節(jié)點(diǎn)進(jìn)行聯(lián)合優(yōu)化的算法進(jìn)行比較，由仿真可以看出，本文算法有一定的性能提升。
標(biāo)簽： MIMO 中繼系統(tǒng) 預(yù)編碼 級聯(lián)
上傳時(shí)間： 2013-11-12
上傳用戶：xiaoyuer
對于獨(dú)立同分布的瑞利衰落信道，Grassmann碼本可以取得良好的系統(tǒng)性能，但是當(dāng)MIMO信道存在空間相關(guān)性時(shí)，該碼本不可避免的帶來性能損失，本文針對空間相關(guān)的MIMO信道，通過用發(fā)送相關(guān)矩陣的平方根對傳統(tǒng)Grassmann碼本進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，然后再量化，得到適用于空間相關(guān)信道下的新碼本，并通過實(shí)驗(yàn)仿真闡釋了新得到的碼本對于傳統(tǒng)碼本在誤碼率和信道容量方面等方面的性能優(yōu)勢。
上傳時(shí)間： 2013-10-28
上傳用戶：com1com2
多入多出（MIMO）傳輸技術(shù)是第四代移動通信系統(tǒng)的關(guān)鍵技術(shù)之一，而小尺寸間隔下天線陣元間的互耦效應(yīng)則是有可能影響MIMO系統(tǒng)性能的一個(gè)重要因素。文中首先研究分析了一種接近實(shí)際電波傳輸環(huán)境的、收發(fā)端皆存在散射體的雙散射MIMO信道傳輸模型，然后將天線互耦效應(yīng)引入此MIMO傳輸系統(tǒng)；接下來通過建立多天線系統(tǒng)等效互耦效應(yīng)網(wǎng)絡(luò)模型，推導(dǎo)了互耦效應(yīng)影響下空間相關(guān)系數(shù)和信道容量表達(dá)式；最后通過計(jì)算機(jī)仿真研究了雙散射環(huán)境下天線陣元互耦對MIMO系統(tǒng)信道容量的影響。仿真實(shí)驗(yàn)表明：雙散射環(huán)境下，互耦效應(yīng)將降低MIMO系統(tǒng)信道容量。
標(biāo)簽： MIMO 互耦效應(yīng) 散射 信道容量
上傳時(shí)間： 2014-12-29
上傳用戶：leyesome
介紹了MIMO的基本原理，并在此基礎(chǔ)上對MIMO在不同移動通信系統(tǒng)中的應(yīng)用進(jìn)行了闡述，最后介紹了R&S公司的相應(yīng)測試解決方案。 1 引言 對于所有的無線通信系統(tǒng)而言，無論是3GPP UMTS這樣的移動無線網(wǎng)絡(luò)，還是像WLAN那樣的無線局域網(wǎng)，除了通過高階調(diào)制或更大的信號帶寬這樣傳統(tǒng)的方式來提高數(shù)據(jù)速率以外，還可以通過多天線技術(shù)來提高信道的容量。作為未來移動通信的必選項(xiàng)目，MIMO已經(jīng)引起了更多的關(guān)注，而對于MIMO系統(tǒng)的實(shí)現(xiàn)和測試，也成為通信行業(yè)的熱點(diǎn)及難點(diǎn)。本文在介紹MIMO的基本原理以及在MIMO不同移動通信標(biāo)準(zhǔn)表現(xiàn)形式的基礎(chǔ)上，介紹R&S公司提供的相應(yīng)測試解決方案，可以滿足不同客戶、不同標(biāo)準(zhǔn)及不同階段的MIMO系統(tǒng)測試需求。 2 MIMO基本原理 根據(jù)不同的傳輸信道類型，可以在無線系統(tǒng)中使用相應(yīng)的分集方式。目前，主要的分集方式包括時(shí)間分集（不同的時(shí)隙和信道編碼）、頻率分集（不同的信道、擴(kuò)頻和OFDM）以及空間分集等。多天線系統(tǒng)利用的就是空間方式，而MIMO作為典型的多天線系統(tǒng)，可以明顯提高傳輸速率。而在實(shí)際的無線系統(tǒng)中，可以根據(jù)實(shí)際情況使用一種或者多種分集方式。
上傳時(shí)間： 2013-12-26
上傳用戶：dave520l
特點(diǎn) 精確度0.05%滿刻度 ±1位數(shù) 顯示范圍-19999-99999可任意規(guī)劃 可直接量測直流4至20mA電流,無需另接輔助電源 尺寸小(24x48x50mm),穩(wěn)定性高 分離式端子,配線容易 CE 認(rèn)證 主要規(guī)格 輔助電源: None 精確度: 0.05% F.S. ±1 digit(DC) 輸入抗阻: approx. 250 ohm with 20mA input 輸入電壓降: max. DC5V with 20mA input 最大過載能力: < ±50mA 取樣時(shí)間: 2.5 cycles/sec. 顯示值范圍: -19999 - 99999 digit adjustable 歸零調(diào)整范圍: -999-999 digit adjustable 最大值調(diào)整范圍: -999-999 digit adjustable 過載顯示: " doFL " or "-doFL" 極性顯示: " 一 " for negative readings 顯示幕 : Brigh Red LEDs high 8.6mm(.338") 溫度系數(shù) : 50ppm/℃ (0-50℃) 參數(shù)設(shè)定方式: Touch switches 記憶型式: Non-volatile E2 外殼材料: ABS 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/case) 使用環(huán)境條件: 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環(huán)境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) 外型尺寸: 24x48x50mm CE認(rèn)證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
上傳時(shí)間： 2013-10-09
上傳用戶：lhuqi
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