LCD仿真器是一種電子產品的輔助開發工具。目前LCD（液晶屏）在各種電子產品的使用越來越廣泛，開發人員在開發帶LCD的產品時會用到各種各樣的LCD，這些LCD或是現有的，或是定制，現有的LCD不一定能完全滿足設計需要，定制LCD需要時間，需要資金，做好后還有修改的可能性，造成不必要的浪費。傳統的做法是用LED（發光管）＋驅動電路來仿真LCD，其弊端有四，一、電路復雜，功耗大，100多點的LCD電流將達1A左右。二、圖案逼真性差，不直觀。三、制作、修改困難，靈活性差。四、通用性不強。 LCD仿真器完全克服了以上存在的問題，她采用軟硬件結合的方法，充分發揮軟件在作圖、運算方面的優勢，使仿真的圖案與目標LCD圖案完全一致，仿真LCD特性與目標LCD特性幾乎一樣，并提供強大的LCD圖形編輯工具，對于不 同的LCD產品，LCD仿真器硬件不必更換，只需制作不同的LCD圖案，她的靈活性、通用性將是您開發LCD產品的理想選擇。 LCD仿真器由采樣板、仿真軟件和LCD圖形編輯軟件組成，采樣板通過USB口與PC機通信。 LCD仿真器可以方便地與HT1621、Winbond、SAMSUNG，中穎、十速HOLTEK、義隆等帶LCD DRIVER的單片機連接。
上傳時間： 2013-06-22
上傳用戶：咔樂塢
1、 利用FLEX10的片內RAM資源，根據DDS原理，設計產生正弦信號的各功能模塊和頂層原理圖； 2、 利用實驗板上的TLC7259轉換器，將1中得到的正弦信號，通過D/A轉換，通過ME5534濾波后在示波器上觀察； 3、 輸出波形要求： 在輸入時鐘頻率為16KHz時，輸出正弦波分辨率達到1Hz； 在輸入時鐘頻率為4MHz時，輸出正弦波分辨率達到256Hz； 4、 通過RS232C通信，實現FPGA和PC機之間串行通信，從而實現用PC機改變頻率控制字，實現對輸出正弦波頻率的控制。
上傳時間： 2013-09-06
上傳用戶：zhuimenghuadie
第二部分：DRAM 內存模塊的設計技術..............................................................143第一章 SDR 和DDR 內存的比較..........................................................................143第二章 內存模塊的疊層設計.............................................................................145第三章 內存模塊的時序要求.............................................................................1493.1 無緩沖（Unbuffered）內存模塊的時序分析.......................................1493.2 帶寄存器（Registered）的內存模塊時序分析...................................154第四章 內存模塊信號設計.................................................................................1594.1 時鐘信號的設計.......................................................................................1594.2 CS 及CKE 信號的設計..............................................................................1624.3 地址和控制線的設計...............................................................................1634.4 數據信號線的設計...................................................................................1664.5 電源，參考電壓Vref 及去耦電容.........................................................169第五章 內存模塊的功耗計算.............................................................................172第六章 實際設計案例分析.................................................................................178 目前比較流行的內存模塊主要是這三種：SDR，DDR，RAMBUS。其中，RAMBUS內存采用阻抗受控制的串行連接技術,在這里我們將不做進一步探討，本文所總結的內存設計技術就是針對SDRAM 而言(包括SDR 和DDR)。現在我們來簡單地比較一下SDR 和DDR，它們都被稱為同步動態內存，其核心技術是一樣的。只是DDR 在某些功能上進行了改進，所以DDR 有時也被稱為SDRAM II。DDR 的全稱是Double Data Rate，也就是雙倍的數據傳輸率，但是其時鐘頻率沒有增加，只是在時鐘的上升和下降沿都可以用來進行數據的讀寫操作。對于SDR 來說,市面上常見的模塊主要有PC100/PC133/PC166,而相應的DDR內存則為DDR200(PC1600)/DDR266(PC2100)/DDR333(PC2700)。
上傳時間： 2014-01-13
上傳用戶：euroford
第一部分 信號完整性知識基礎.................................................................................5第一章 高速數字電路概述.....................................................................................51.1 何為高速電路...............................................................................................51.2 高速帶來的問題及設計流程剖析...............................................................61.3 相關的一些基本概念...................................................................................8第二章 傳輸線理論...............................................................................................122.1 分布式系統和集總電路.............................................................................122.2 傳輸線的RLCG 模型和電報方程...............................................................132.3 傳輸線的特征阻抗.....................................................................................142.3.1 特性阻抗的本質.................................................................................142.3.2 特征阻抗相關計算.............................................................................152.3.3 特性阻抗對信號完整性的影響.........................................................172.4 傳輸線電報方程及推導.............................................................................182.5 趨膚效應和集束效應.................................................................................232.6 信號的反射.................................................................................................252.6.1 反射機理和電報方程.........................................................................252.6.2 反射導致信號的失真問題.................................................................302.6.2.1 過沖和下沖.....................................................................................302.6.2.2 振蕩：.............................................................................................312.6.3 反射的抑制和匹配.............................................................................342.6.3.1 串行匹配.........................................................................................352.6.3.1 并行匹配.........................................................................................362.6.3.3 差分線的匹配.................................................................................392.6.3.4 多負載的匹配.................................................................................41第三章 串擾的分析...............................................................................................423.1 串擾的基本概念.........................................................................................423.2 前向串擾和后向串擾.................................................................................433.3 后向串擾的反射.........................................................................................463.4 后向串擾的飽和.........................................................................................463.5 共模和差模電流對串擾的影響.................................................................483.6 連接器的串擾問題.....................................................................................513.7 串擾的具體計算.........................................................................................543.8 避免串擾的措施.........................................................................................57第四章 EMI 抑制....................................................................................................604.1 EMI/EMC 的基本概念..................................................................................604.2 EMI 的產生..................................................................................................614.2.1 電壓瞬變.............................................................................................614.2.2 信號的回流.........................................................................................624.2.3 共模和差摸EMI ..................................................................................634.3 EMI 的控制..................................................................................................654.3.1 屏蔽.....................................................................................................654.3.1.1 電場屏蔽.........................................................................................654.3.1.2 磁場屏蔽.........................................................................................674.3.1.3 電磁場屏蔽.....................................................................................674.3.1.4 電磁屏蔽體和屏蔽效率.................................................................684.3.2 濾波.....................................................................................................714.3.2.1 去耦電容.........................................................................................714.3.2.3 磁性元件.........................................................................................734.3.3 接地.....................................................................................................744.4 PCB 設計中的EMI.......................................................................................754.4.1 傳輸線RLC 參數和EMI ........................................................................764.4.2 疊層設計抑制EMI ..............................................................................774.4.3 電容和接地過孔對回流的作用.........................................................784.4.4 布局和走線規則.................................................................................79第五章 電源完整性理論基礎...............................................................................825.1 電源噪聲的起因及危害.............................................................................825.2 電源阻抗設計.............................................................................................855.3 同步開關噪聲分析.....................................................................................875.3.1 芯片內部開關噪聲.............................................................................885.3.2 芯片外部開關噪聲.............................................................................895.3.3 等效電感衡量SSN ..............................................................................905.4 旁路電容的特性和應用.............................................................................925.4.1 電容的頻率特性.................................................................................935.4.3 電容的介質和封裝影響.....................................................................955.4.3 電容并聯特性及反諧振.....................................................................955.4.4 如何選擇電容.....................................................................................975.4.5 電容的擺放及Layout ........................................................................99第六章 系統時序.................................................................................................1006.1 普通時序系統...........................................................................................1006.1.1 時序參數的確定...............................................................................1016.1.2 時序約束條件...................................................................................1063.2 高速設計的問題.......................................................................................2093.3 SPECCTRAQuest SI Expert 的組件.......................................................2103.3.1 SPECCTRAQuest Model Integrity .................................................2103.3.2 SPECCTRAQuest Floorplanner/Editor .........................................2153.3.3 Constraint Manager .......................................................................2163.3.4 SigXplorer Expert Topology Development Environment .......2233.3.5 SigNoise 仿真子系統......................................................................2253.3.6 EMControl .........................................................................................2303.3.7 SPECCTRA Expert 自動布線器.......................................................2303.4 高速設計的大致流程...............................................................................2303.4.1 拓撲結構的探索...............................................................................2313.4.2 空間解決方案的探索.......................................................................2313.4.3 使用拓撲模板驅動設計...................................................................2313.4.4 時序驅動布局...................................................................................2323.4.5 以約束條件驅動設計.......................................................................2323.4.6 設計后分析.......................................................................................233第四章 SPECCTRAQUEST SIGNAL EXPLORER 的進階運用..........................................2344.1 SPECCTRAQuest Signal Explorer 的功能包括：................................2344.2 圖形化的拓撲結構探索...........................................................................2344.3 全面的信號完整性(Signal Integrity)分析.......................................2344.4 完全兼容 IBIS 模型...............................................................................2344.5 PCB 設計前和設計的拓撲結構提取.......................................................2354.6 仿真設置顧問...........................................................................................2354.7 改變設計的管理.......................................................................................2354.8 關鍵技術特點...........................................................................................2364.8.1 拓撲結構探索...................................................................................2364.8.2 SigWave 波形顯示器........................................................................2364.8.3 集成化的在線分析(Integration and In-process Analysis) .236第五章 部分特殊的運用...............................................................................2375.1 Script 指令的使用..................................................................................2375.2 差分信號的仿真.......................................................................................2435.3 眼圖模式的使用.......................................................................................249第四部分：HYPERLYNX 仿真工具使用指南............................................................251第一章 使用LINESIM 進行前仿真.......................................................................2511.1 用LineSim 進行仿真工作的基本方法...................................................2511.2 處理信號完整性原理圖的具體問題.......................................................2591.3 在LineSim 中如何對傳輸線進行設置...................................................2601.4 在LineSim 中模擬IC 元件.....................................................................2631.5 在LineSim 中進行串擾仿真...................................................................268第二章 使用BOARDSIM 進行后仿真......................................................................2732.1 用BOARDSIM 進行后仿真工作的基本方法...................................................2732.2 BoardSim 的進一步介紹..........................................................................2922.3 BoardSim 中的串擾仿真..........................................................................309
上傳時間： 2014-04-18
上傳用戶：wpt
磁芯電感器的諧波失真分析 摘 要：簡述了改進鐵氧體軟磁材料比損耗系數和磁滯常數ηB，從而降低總諧波失真THD的歷史過程，分析了諸多因數對諧波測量的影響，提出了磁心性能的調控方向。 關鍵詞：比損耗系數， 磁滯常數ηB ，直流偏置特性DC-Bias，總諧波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年來，變壓器生產廠家和軟磁鐵氧體生產廠家，在電感器和變壓器產品的總諧波失真指標控制上，進行了深入的探討和廣泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的問題。從工藝技術上采取了不少有效措施，促進了質量問題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。 一、 歷史回顧 總諧波失真（Total harmonic distortion） ，簡稱THD，并不是什么新的概念，早在幾十年前的載波通信技術中就已有嚴格要求<1>。1978年郵電部公布的標準YD/Z17－78“載波用鐵氧體罐形磁心”中，規定了高μQ材料制作的無中心柱配對罐形磁心詳細的測試電路和方法。如圖一電路所示，利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測量磁心產生的非線性失真。這種相對比較的實用方法，專用于無中心柱配對罐形磁心的諧波衰耗測試。 這種磁心主要用于載波電報、電話設備的遙測振蕩器和線路放大器系統，其非線性失真有很嚴格的要求。 圖中 ZD —— QF867 型阻容式載頻振蕩器，輸出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通濾波器，阻抗 150Ω，阻帶衰耗大于61dB， Lg88 ——并聯高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 選頻電平表，輸入高阻抗， L ——被測無心罐形磁心及線圈， C ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測量時，所配用線圈應用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝， （線架為一格） ， 其空心電感值為 318μH（誤差1％） 被測磁心配對安裝好后，先調節振蕩器頻率為 36.6～40KHz， 使輸出電平值為+17.4 dB， 即選頻表在 22′端子測得的主波電平 （P2）為+17.4 dB，然后在33′端子處測得輸出的三次諧波電平（P3）， 則三次諧波衰耗值為：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 為放大器增益dB 從以往的資料引證， 就可以發現諧波失真的測量是一項很精細的工作，其中測量系統的高、低通濾波器，信號源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴，阻抗必須匹配，薄膜電容器的非線性也有相應要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質的大空心線圈繞成，以保證本身的“潔凈” ，不至于造成對磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機的小型化和穩定性要求， 必須生產低損耗高穩定磁心。上世紀 70 年代初，1409 所和四機部、郵電部各廠，從工藝上改變了推板空氣窯燒結，出窯后經真空罐冷卻的落后方式，改用真空爐，并控制燒結、冷卻氣氛。技術上采用共沉淀法攻關試制出了μQ乘積 60 萬和 100 萬的低損耗高穩定材料，在此基礎上，還實現了高μ7000～10000材料的突破，從而大大縮短了與國外企業的技術差異。當時正處于通信技術由FDM（頻率劃分調制）向PCM（脈沖編碼調制） 轉換時期， 日本人明石雅夫發表了μQ乘積125 萬為 0.8×10 ，100KHz）的超優鐵氧體材料<3>，其磁滯系數降為優鐵
上傳時間： 2014-12-24
上傳用戶：7891
為簡化總線式RS485隔離器的設計，提出基于脈沖變壓器的總線式RS485隔離器的技術方案。該方案具有簡單實用、無需電源、無需考慮數據流向、在有限范圍內波特率自適應、底層用戶群體易于理解和掌控等特點。給出了基本實驗電路和脈沖變壓器的主要設計依據。基于脈沖變壓器的總線式RS485隔離器，尤其適合工業環境下半雙工的A、B兩線制RS485通信網的升級改造，其基本思想也適用于全雙工的W、X、Y、Z四線制RS485/RS422通信網。
上傳時間： 2013-10-07
上傳用戶：lizx30340
EG8010是一款數字化的、功能很完善的自帶死區控制的純正弦波逆變發生器芯片，應用于DC-DC-AC兩級功率變換架構或DC-AC單級工頻變壓器升壓變換架構，外接12MHz晶體振蕩器，能實現高精度、失真和諧波都很小的純正弦波50Hz或60Hz逆變器專用芯片。該芯片采用CMOS工藝，內部集成SPWM正弦發生器、死區時間控制電路、幅度因子乘法器、軟啟動電路、保護電路、RS232串行通訊接口和12832串行液晶驅動模塊等功能。 應用領域 ? 單相純正弦波逆變器 ? 光伏發電逆變器 ? 風力發電逆變器 ? 不間斷電源UPS系統 ? 數碼發電機系統 ? 中頻電源 ? 單相電機調速控制器 ? 單相變頻器 ? 正弦波調光器 ? 正弦波調壓器 ? 正弦波發生器 ? 逆變焊機
上傳時間： 2014-07-04
上傳用戶：fairy0212
XRP7714是一款四輸出脈寬調制（PWM）分級降壓（step down）DC-DC控制器，并具有內置LDO提供待機電源。該器件在單個IC上為電池供電的產品提供了整套的電源管理方案，并且通過內含的I2C串行接口進行整體的編程配置。XRP7714器件的每一路輸出電壓的編程范圍是0.9V～5.1V，此范圍內無需外部分壓器。可編程DPWM開關頻率的范圍從300kHz到1.5MHz，使用戶能夠在效率和元件大小之間取得最優方案。為了讓用戶能夠在設計的多路電源XRP7714系統能夠取得最優的方案，下文將詳細的介紹影響XRP7714系統效率的參數設置以及外圍器件的選型。
上傳時間： 2013-10-31
上傳用戶：chendawei
目錄一、什么是直流電源供應器二、規格三、線性電源供應器切換式電源供應器的優缺點四、保護功能五、MPP系列電源供應器產品的優點
上傳時間： 2013-10-10
上傳用戶：894898248
加利福尼亞州米爾皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2009 年 8 月 31 日 – 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出隔離式 RS485 微型模塊 (uModule®) 收發器 LTM2881，該器件針對大的地至地差分電壓和共模瞬變提供了保護作用。在實際的 RS485系統中，各節點之間的地電位差異很大，常常超出可容許范圍，這有可能導致通信中斷或收發器受損。LTM2881 運用內部感應信號隔離來對邏輯電平接口和線路收發器實施隔離，以中斷接地環路，從而實現了大得多的共模電壓范圍和 >30kV/μs 的卓越共模抑制性能。一個低 EMI DC-DC 轉換器負責向收發器供電，并提供了一個用于給任何外部支持元件供電的 5V 隔離電源輸出。憑借 2,500VRMS 的電流隔離、板上輔助電源和一個完全符合標準的 RS485 發送器和接收器，LTM2881 不需要使用外部元件，從而確保了一款適合隔離串行數據通信的完整、小型μModule 解決方案。
上傳時間： 2013-10-25
上傳用戶：ljj722
