MOS管STP75NF75 H橋驅(qū)動(dòng)仿真電路(Multisim10格式)
標(biāo)簽： MOS管 stp75nf75 multisim
上傳時(shí)間： 2022-07-11
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14級(jí)電磁炮電路圖計(jì)算公式 一節(jié)MOS管放電即可，主是距離和光電開關(guān)之間距離的參數(shù)
標(biāo)簽： 電磁炮 電路圖 MOS管
上傳時(shí)間： 2022-07-17
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文件是基于Multisim的MOS管H橋驅(qū)動(dòng)仿真，電路原理圖由LM317恒流源電路、兩個(gè)IR2011PBF半橋驅(qū)動(dòng)電路、MOS管組成的全橋電路，可用于設(shè)計(jì)恒流電路和H橋驅(qū)動(dòng)電路。
標(biāo)簽： multisim H橋 MOS管
上傳時(shí)間： 2022-07-19
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ST MOS管選型表內(nèi)含產(chǎn)品型號(hào)規(guī)格目錄、PN構(gòu)成表、封裝清單和ST公司聯(lián)系購買二維碼
標(biāo)簽： mosfet
上傳時(shí)間： 2022-07-28
MOS管的資料
標(biāo)簽： MOS 場效應(yīng)管 參數(shù) 型號(hào)
上傳時(shí)間： 2013-11-19
上傳用戶：xieguodong1234
MOS關(guān)模型 Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實(shí)際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。Cgd：是兩個(gè)不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊，第二是耗盡區(qū)電容（非線性）。等效的Cgd電容是一個(gè)Vds電壓的函數(shù)。Cds：也是非線性的電容，它是體二極管的結(jié)電容，也是和電壓相關(guān)的。這些電容都是由Spec上面的Crss，Ciss和Coss決定的。由于Cgd同時(shí)在輸入和輸出，因此等效值由于Vds電壓要比原來大很多，這個(gè)稱為米勒效應(yīng)。由于SPEC上面的值按照特定的條件下測試得到的，我們在實(shí)際應(yīng)用的時(shí)候需要修改Cgd的值。
標(biāo)簽： MOS 驅(qū)動(dòng) 功耗計(jì)算
上傳時(shí)間： 2013-12-09
上傳用戶：qlpqlq
高端懸浮自舉電源設(shè)計(jì)，耐壓可達(dá)100V內(nèi)建死區(qū)控制電路自帶閉鎖功能，徹底杜絕上、下管輸出同時(shí)導(dǎo)通采用半橋達(dá)林頓管輸出結(jié)構(gòu)具有1A 大電流柵極驅(qū)動(dòng)能力 專用于無刷電機(jī)N 溝道MOS 管、IGBT 管柵極驅(qū)動(dòng)HIN 輸入通道高電平有效，控制高端HO 輸出LIN 輸入通道低電平有效，控制低端LO 輸出外圍器件少靜態(tài)電流小：4.5mA 封裝形式：SOP-8
標(biāo)簽： mos
上傳時(shí)間： 2022-01-02
以IRS2902S作D類功放驅(qū)動(dòng)，以場效應(yīng)管做功率放大，那么，柵極所串的二極管有什么作用？如果是為場效應(yīng)管的柵極放電，但二極管D3，D4的正向電阻遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于它們所并聯(lián)的4.7R電阻,有大俠解惑。
標(biāo)簽： irs2902 驅(qū)動(dòng) MOS管
上傳時(shí)間： 2022-02-19
文檔包含了解功率mos規(guī)格參數(shù)及特性介紹，有助于提升對(duì)mos的參數(shù)和特性的認(rèn)知。
標(biāo)簽： MOS管
上傳時(shí)間： 2022-03-17
上傳用戶：20125101110
很不錯(cuò)的MOS選型注意事項(xiàng)，選型相關(guān)參數(shù)介紹，自己有標(biāo)注亮點(diǎn)和重點(diǎn)，對(duì)于初級(jí)工程師來說有可以對(duì)MOS管選型有更深入的理解，希望大家多多支持，還會(huì)繼續(xù)更新中。
標(biāo)簽： 硬件 模電 元器件
上傳時(shí)間： 2022-04-01
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