摘要：對LDO線性穩(wěn)壓器關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行了分析，重點(diǎn)分析了LDO穩(wěn)壓器的穩(wěn)定性問題，在此基礎(chǔ)上提出了一種新型的動態(tài)頻率補(bǔ)償電路，利用MOS管的開關(guān)電阻、寄生電容等構(gòu)成的電阻電容網(wǎng)絡(luò)，通過采樣負(fù)載電流而改變MOS開關(guān)管的工作點(diǎn)或工作狀態(tài)，即改變開關(guān)電阻、寄生電容的值，從而實(shí)現(xiàn)動態(tài)的頻率補(bǔ)償。與傳統(tǒng)方法相比，該電路大大提高了系統(tǒng)的瞬態(tài)響應(yīng)性能。 關(guān)鍵詞：LDo；穩(wěn)定性；ESR；動態(tài)頻率補(bǔ)償
標(biāo)簽： LDO 線性穩(wěn)壓器 動態(tài) 電路設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-11-14
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Construction Strategy of ESD Protection CircuitAbstract： The principles used to construct ESD protection on circuits and the basic conceptions of ESD protection design are presented.Key words：ESD protection/On circuit, ESD design window, ESD current path1 引言靜電放電（ESD，Electrostatic Discharge）給電子器件環(huán)境會帶來破壞性的后果。它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展，互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS，Complementary Metal-Oxide Semiconductor）的特征尺寸不斷縮小，金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS, Metal-Oxide Semiconductor)的柵氧厚度越來越薄，MOS 管能承受的電流和電壓也越來越小，因此要進(jìn)一步優(yōu)化電路的抗ESD 性能，需要從全芯片ESD 保護(hù)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)來進(jìn)行考慮。
標(biāo)簽： Construction Strategy ESD of
上傳時(shí)間： 2013-11-09
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DC/DC升壓IC ，LDO穩(wěn)壓IC，鋰電池充電IC，恒流IC，LED驅(qū)動IC ,電壓檢測IC，降壓IC，AC-DC，MOS管等電源管理芯片。
上傳時(shí)間： 2013-10-22
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摘要：本裝置主要以AVR單片機(jī)為核心，通過SG3 5 25芯片完成DC-DC穩(wěn)壓電路，有單片機(jī)產(chǎn)生的SPWM波形完成DC-AC逆變并網(wǎng)。SPWM波形，經(jīng)光耦將主電路與控制電路隔離后將信號由一個(gè)非門變?yōu)閮陕坊bSPWM波形作為IR2110驅(qū)動芯片的輸入，兩個(gè)IR2110輸出控制逆變環(huán)節(jié)的MOS管導(dǎo)通。使整個(gè)系統(tǒng)能夠穩(wěn)定的工作規(guī)定范圍內(nèi)，通過采樣環(huán)節(jié)，可以做到實(shí)時(shí)的調(diào)整。也可以通過采樣電流的信號對系統(tǒng)的過電流進(jìn)行保護(hù)，設(shè)置了欠電壓工作點(diǎn)，通過這些環(huán)節(jié)，使系統(tǒng)在出現(xiàn)故障后能夠有良好的保護(hù)。
標(biāo)簽： AVR 單片機(jī) 逆變 并網(wǎng)
上傳時(shí)間： 2013-11-07
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附件是Semihow MOS 管的選型手冊,Semihow 是一家韓國品牌,品質(zhì)跟Fairchild(仙童)相同,但價(jià)格卻優(yōu)于仙童的一家品牌,如有需求MOS的朋友請聯(lián)系我,電話：021-54262182 EXT 114 (Eric)QQ:1187337351
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MOS管設(shè)計(jì)教程
標(biāo)簽： MOSFET 799 AN 驅(qū)動器
上傳時(shí)間： 2013-10-11
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鉦銘科SM8013C是一款電流模式的PWM離線式控制芯片，直接驅(qū)動外部高壓MOS管。采用自適應(yīng)多模式工作方式，根據(jù)負(fù)載情況，自動切換到Burst模式，PFM模式，或者PWM模式，滿足系統(tǒng)的低待機(jī)功耗（<0.3W,265V AC），高轉(zhuǎn)換效率的要求。內(nèi)部集成多種保護(hù)功能，如過流保護(hù)、過載保護(hù)、VDD過壓保護(hù)和VDD欠壓保護(hù)等多種保護(hù)。封裝形式：DIP8、SOP8、SOT23-6
上傳時(shí)間： 2013-12-08
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鉦銘科SM8012是一款電流模式的PWM離線式控制芯片，內(nèi)置高壓開關(guān)MOS管。采用自適應(yīng)多模式工作方式，根據(jù)負(fù)載情況，自動切換到Burst模式，PFM模式，或者PWM模式，滿足系統(tǒng)的低待機(jī)功耗（<0.3W@265V AC），高轉(zhuǎn)換效率的要求。內(nèi)部集成多種保護(hù)功能，如過流保護(hù)、過載保護(hù)、VDD過壓保護(hù)和VDD欠壓保護(hù)等多種保護(hù)。封裝形式：DIP8
上傳時(shí)間： 2013-11-24
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為解決直流逆變交流的問題，有效地利用能源，讓電源輸出最大功率，設(shè)計(jì)了高性能的基于IR2101最大功率跟蹤逆變器，并以SPMC75F2413A單片機(jī)作為主控制器。高電壓、高速功率的MOSFET或IGBT驅(qū)動器IR2101采用高度集成的電平轉(zhuǎn)換技術(shù)，同時(shí)上管采用外部自舉電容上電，能夠穩(wěn)定高效地驅(qū)動MOS管。該逆變器可以實(shí)現(xiàn)DC/AC的轉(zhuǎn)換，最大功率點(diǎn)的跟蹤等功能。實(shí)際測試結(jié)果表明，該逆變器系統(tǒng)具有跟蹤能力強(qiáng)，穩(wěn)定性高，反應(yīng)靈敏等特點(diǎn)，該逆變器不僅可應(yīng)用于普通的電源逆變系統(tǒng)，而且可應(yīng)用于光伏并網(wǎng)發(fā)電的逆變系統(tǒng)，具有廣泛的市場前景。 Abstract: To solve the problem of DC-AC inverter， and to utilize solar energy more efficiently， the design of maximum power point tracking inverter based on IR2101 was achieved with a high-performance， which can make the system output power maximum. SPMC75F2413A was adopted as main controller. IR2101 is a high voltage， high speed power MOSFET and IGBT driver. It adopted highly integrated voltage level transforming technology， and an external bootstrap capacitor was used， which could drive MOS tube efficiently and stably. Many functions are achieved in the system， such as DC/AC conversion， maximun power point tracking， etc. The actual test result shows that the inverter system has characteristics of strong tracking ability， high stability and reacting quickly. The design can not only be used in ordinary power inverter system， but also be used in photovoltaic power inverter system. The design has certain marketing prospects
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關(guān)于PCB封裝的資料收集整理. 大的來說,元件有插裝和貼裝.零件封裝是指實(shí)際零件焊接到電路板時(shí)所指示的外觀和焊點(diǎn)的位置。是純粹的空間概念.因此不同的元件可共用同一零件封裝，同種元件也可有不同的零件封裝。像電阻，有傳統(tǒng)的針插式，這種元件體積較大，電路板必須鉆孔才能安置元件，完成鉆孔后，插入元件，再過錫爐或噴錫（也可手焊），成本較高，較新的設(shè)計(jì)都是采用體積小的表面貼片式元件（SMD）這種元件不必鉆孔，用鋼膜將半熔狀錫膏倒入電路板，再把SMD 元件放上，即可焊接在電路板上了。晶體管是我們常用的的元件之一，在DEVICE。LIB庫中，簡簡單單的只有NPN與PNP之分，但實(shí)際上，如果它是NPN的2N3055那它有可能是鐵殼子的TO—3，如果它是NPN的2N3054，則有可能是鐵殼的TO-66或TO-5，而學(xué)用的CS9013，有TO-92A，TO-92B，還有TO-5，TO-46，TO-52等等，千變?nèi)f化。還有一個(gè)就是電阻，在DEVICE 庫中，它也是簡單地把它們稱為RES1 和RES2，不管它是100Ω 還是470KΩ都一樣，對電路板而言，它與歐姆數(shù)根本不相關(guān)，完全是按該電阻的功率數(shù)來決定的我們選用的1/4W 和甚至1/2W 的電阻，都可以用AXIAL0.3 元件封裝，而功率數(shù)大一點(diǎn)的話，可用AXIAL0.4,AXIAL0.5等等。現(xiàn)將常用的元件封裝整理如下：電阻類及無極性雙端元件：AXIAL0.3-AXIAL1.0無極性電容：RAD0.1-RAD0.4有極性電容：RB.2/.4-RB.5/1.0二極管：DIODE0.4及DIODE0.7石英晶體振蕩器：XTAL1晶體管、FET、UJT：TO-xxx(TO-3,TO-5)可變電阻（POT1、POT2）：VR1-VR5這些常用的元件封裝，大家最好能把它背下來，這些元件封裝，大家可以把它拆分成兩部分來記如電阻AXIAL0.3 可拆成AXIAL 和0.3，AXIAL 翻譯成中文就是軸狀的，0.3 則是該電阻在印刷電路板上的焊盤間的距離也就是300mil（因?yàn)樵陔姍C(jī)領(lǐng)域里，是以英制單位為主的。同樣的，對于無極性的電容，RAD0.1-RAD0.4也是一樣；對有極性的電容如電解電容，其封裝為RB.2/.4，RB.3/.6 等，其中“.2”為焊盤間距，“.4”為電容圓筒的外徑。對于晶體管，那就直接看它的外形及功率，大功率的晶體管，就用TO—3，中功率的晶體管，如果是扁平的，就用TO-220，如果是金屬殼的，就用TO-66，小功率的晶體管，就用TO-5，TO-46，TO-92A等都可以，反正它的管腳也長，彎一下也可以。對于常用的集成IC電路，有DIPxx，就是雙列直插的元件封裝，DIP8就是雙排，每排有4個(gè)引腳，兩排間距離是300mil,焊盤間的距離是100mil。SIPxx 就是單排的封裝。等等。值得我們注意的是晶體管與可變電阻，它們的包裝才是最令人頭痛的，同樣的包裝，其管腳可不一定一樣。例如，對于TO-92B之類的包裝，通常是1 腳為E（發(fā)射極），而2 腳有可能是B 極（基極），也可能是C（集電極）；同樣的，3腳有可能是C，也有可能是B，具體是那個(gè)，只有拿到了元件才能確定。因此，電路軟件不敢硬性定義焊盤名稱（管腳名稱），同樣的，場效應(yīng)管，MOS 管也可以用跟晶體管一樣的封裝，它可以通用于三個(gè)引腳的元件。Q1-B，在PCB 里，加載這種網(wǎng)絡(luò)表的時(shí)候，就會找不到節(jié)點(diǎn)（對不上）。在可變電阻
上傳時(shí)間： 2013-11-03
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